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公开(公告)号：CN115943481A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202180052467.9
申请日：2021-05-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一个示例性实施方式提供一种基板处理方法。基板处理方法包含以下工序：在腔室内的基板支撑器上准备具有电介质膜的基板的工序；和由包含HF气体和选自C4H2F6气体、C4H2F8气体、C3H2F4气体以及C3H2F6气体中的至少1种CxHyFz气体的反应气体生成等离子体，对电介质膜进行蚀刻的工序，在进行蚀刻的工序中，将基板支撑器的温度设定为0℃以下，HF气体的流量比所述CxHyFz气体的流量多。
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公开(公告)号：CN116169018A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310013829.4
申请日：2020-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 本申请所公开的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内从处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含含磷气体、含氟气体及含氢气体。含氢气体含有选自由氟化氢、H2、氨及烃组成的组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN115312382A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210469239.8
申请日：2022-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够实现提高蚀刻的生产率和抑制通过蚀刻形成的凹部的形状异常中的至少一方。基板处理方法包括工序a1)、工序a2)、工序a3)以及工序a4)。在工序a1)中，向腔室内提供包含含硅膜的基板。在工序a2)中，向腔室内供给包含HF气体的处理气体。在工序a3)中，利用从处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻，来在含硅膜形成凹部。在工序a4)中，进行控制，以使HF气体的分压随着凹部的深宽比的增加而降低。
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公开(公告)号：CN112786440A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011215778.6
申请日：2020-11-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的腔室内准备基板的工序。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括通过来自在腔室内由处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻的工序。处理气体包含卤素元素及磷。
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公开(公告)号：CN116034454A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202180054563.7
申请日：2021-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本申请所公开的蚀刻方法包含工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包含含硅膜及掩模。掩模设置于含硅膜上。蚀刻方法还包含工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内由处理气体生成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含氟化氢气体及含碳气体。在不包含稀有气体的处理气体中的所有气体的流量中，氟化氢气体的流量最多。或者，在处理气体中的除了稀有气体以外的所有气体的流量中，氟化氢气体的流量最多。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115917711A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180052466.4
申请日：2021-05-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一个示例性实施方式提供一种基板处理方法。基板处理方法包含以下工序：在腔室内准备具有含硅膜的基板的工序；和将包含选自C4H2F6气体、C4H2F8气体、C3H2F4气体及C3H2F6气体中的至少1种气体、HF气体以及卤化磷气体的处理气体导入至腔室内生成等离子体，对基板的含硅膜进行蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN115440562A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210576592.6
申请日：2022-05-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高对处理气体的耐腐蚀性的喷淋头、电极组件、气体供给组件、基片处理装置和基片处理系统。在一个例示性实施方式中，提供一种喷淋头，其为等离子体处理用的喷淋头，其特征在于：包括主体部，该主体部具有第一面、与第一面相反的一侧的第二面、和多个内侧面，多个内侧面界定从第一面到第二面贯穿主体部的多个气孔，第二面由第一耐腐蚀性材料构成。
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公开(公告)号：CN114175214A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080005420.2
申请日：2020-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本申请所公开的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内从处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含含磷气体、含氟气体及含氢气体。含氢气体含有选自由氟化氢、H2、氨及烃组成的组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN113745105A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110522833.4
申请日：2021-05-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/8242 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本发明涉及形成用于抑制弧状弯曲的保护侧壁层的方法以及装置。基板处理装置实施蚀刻基板的方法。本方法包括蚀刻基板而在基板形成凹部的第一部分的第一工序。凹部的第一部分包括底面和侧壁。本方法还包括：在侧壁内或侧壁上形成氟硅酸铵(AFS)层的第二工序，以及接着蚀刻底面而形成凹部的第二部分的第三工序。第三工序在维持由AFS层对侧壁的保护的同时实施。
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公开(公告)号：CN113053745A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011483012.6
申请日：2020-12-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67 , H01J37/305 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。蚀刻方法包括提供的步骤、设定的步骤和蚀刻的步骤。提供的步骤将基片提供到载置台上，该基片具有包含硅氧化物膜的被蚀刻膜和形成在被蚀刻膜之上的掩模。设定的步骤，将载置台的温度设定为0℃以下的温度的步骤。蚀刻的步骤，从气体生成等离子体，隔着掩模来蚀刻硅氧化物膜，该气体包含氟、氮和碳，且氟的数量相对于氮的数量的比率F/N为0.5～10的范围。根据本发明，能够抑制CD(Critical Dimension：关键尺寸)的扩大并且提高蚀刻速率。
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