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公开(公告)号：CN119663233A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411257190.5
申请日：2024-09-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/515 , C23C16/52 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种气体供给系统、气体控制系统、等离子体处理装置以及气体控制方法。气体供给系统具有：多个气体供给流路，其能够独立地供给气体；流量控制器，其配置于气体供给流路；一次侧阀，其配置于流量控制器的上游侧；一次侧气体排气流路，其在流量控制器与一次侧阀之间的位置分支出来，连接于一次侧排气机构；一次侧排气阀，其配置于一次侧气体排气流路；二次侧阀，其配置于流量控制器的下游侧；二次侧气体排气流路，其在流量控制器与二次侧阀之间的位置分支出来，连接于二次侧排气机构；二次侧排气阀，其配置于二次侧气体排气流路，流量控制器具有：控制阀，其与一次侧阀及二次侧阀连接；以及控制侧节流孔，其配置于控制阀与二次侧阀之间。
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公开(公告)号：CN119631167A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202380056590.7
申请日：2023-07-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/42
Abstract: 等离子体处理装置用的部件的制造方法包括以下工序：工序(A)，准备芯材，所述芯材的形状与所述电极的最终形状相似且比所述最终形状小；工序(B)，通过成膜装置在所述芯材形成SiC层叠部；以及工序(C)，通过至少去除所述SiC层叠部的一部分来形成SiC层并加工成所述最终形状。由此，能够高精度地制造具有SiC的等离子体处理装置用的部件。
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公开(公告)号：CN117813677A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280053234.5
申请日：2022-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , G05D7/06 , H01L21/205 , H01L21/31
Abstract: 一种向处理腔室内供给气体的气体供给系统，具有：多个气体供给流路，所述多个气体供给流路构成为能够各自独立地向所述处理腔室供给气体；流量控制器，在多个所述气体供给流路的各所述气体供给流路配置所述流量控制器；一次侧阀，其配置于所述气体供给流路中的比所述流量控制器靠上游侧的位置；一次侧气体排气流路，其在所述气体供给流路中的所述流量控制器与所述一次侧阀之间分支出来并连接于一次侧排气机构；一次侧排气阀，其配置于所述一次侧气体排气流路；二次侧阀，其配置于所述气体供给流路中的比所述流量控制器靠下游侧的位置；二次侧气体排气流路，其在所述气体供给流路中的所述流量控制器与所述二次侧阀之间分支出来并连接于二次侧排气机构；以及二次侧排气阀，其配置于所述二次侧气体排气流路，其中，所述流量控制器具有：控制阀，其与所述一次侧阀及所述二次侧阀连接；以及控制侧节流孔，其配置于所述控制阀与所述二次侧阀之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101320676A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810099893.4
申请日：2008-06-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , C23F4/00 , H01J37/32 , B01J3/03
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明提供一种抽真空方法和存储介质，该抽真空方法不会引起以水分为原因的问题，能够缩短抽真空的时间。在具有腔室(11)的真空处理装置(10)中，在对腔室(11)内抽真空时，通过APC阀(16)在一定的时间，例如数十秒的过程中，将腔室(11)内的压力维持为6.7～13.3×102Pa(5～10Torr)(压力维持)，接着，向腔室(11)内迅速导入加热气体，使腔室11内迅速升压至1.3～2.7×104Pa(100～200Torr)(迅速升压)，在时间T1到时间T2之间，多次重复压力维持和迅速升压。
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公开(公告)号：CN115440562A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210576592.6
申请日：2022-05-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高对处理气体的耐腐蚀性的喷淋头、电极组件、气体供给组件、基片处理装置和基片处理系统。在一个例示性实施方式中，提供一种喷淋头，其为等离子体处理用的喷淋头，其特征在于：包括主体部，该主体部具有第一面、与第一面相反的一侧的第二面、和多个内侧面，多个内侧面界定从第一面到第二面贯穿主体部的多个气孔，第二面由第一耐腐蚀性材料构成。
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公开(公告)号：CN104882360B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201510089197.5
申请日：2015-02-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及简便且有效地除去残留在等离子体处理装置的处理容器内的含Ti反应物的方法。在Low‑k膜的蚀刻加工中，紧接在完成了干蚀刻步骤(S2)之后，在将半导体晶片保持在静电吸盘(40)上的状态下，执行具有晶片的干清洁的步骤(步骤S3)。该具有晶片的干清洁步骤(S3)，主要为了除去残留在腔室(10)内的含Ti反应物，由处理气体供给部(70)以规定的流量比将包括H2气体和N2气体的清洁气体导入腔室(10)内，将等离子体生成用的第一高频(HF)以规定的功率施加到基座(12)上，在腔室(10)内，利用清洁气体的高频放电生成等离子体。
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公开(公告)号：CN104882360A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510089197.5
申请日：2015-02-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及简便且有效地除去残留在等离子体处理装置的处理容器内的含Ti反应物的方法。在Low-k膜的蚀刻加工中，紧接在完成了干蚀刻步骤(S2)之后，在将半导体晶片保持在静电吸盘(40)上的状态下，执行具有晶片的干清洁的步骤(步骤S3)。该具有晶片的干清洁步骤(S3)，主要为了除去残留在腔室(10)内的含Ti反应物，由处理气体供给部(70)以规定的流量比将包括H2气体和N2气体的清洁气体导入腔室(10)内，将等离子体生成用的第一高频(HF)以规定的功率施加到基座(12)上，在腔室(10)内，利用清洁气体的高频放电生成等离子体。
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公开(公告)号：CN101320676B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810099893.4
申请日：2008-06-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , C23F4/00 , H01J37/32 , B01J3/03
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明提供一种抽真空方法和存储介质，该抽真空方法不会引起以水分为原因的问题，能够缩短抽真空的时间。在具有腔室(11)的真空处理装置(10)中，在对腔室(11)内抽真空时，通过APC阀(16)在一定的时间，例如数十秒的过程中，将腔室(11)内的压力维持为6.7～13.3×102Pa(5～10Torr)(压力维持)，接着，向腔室(11)内迅速导入加热气体，使腔室11内迅速升压至1.3～2.7×104Pa(100～200Torr)(迅速升压)，在时间T1到时间T2之间，多次重复压力维持和迅速升压。
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