公开(公告)号：CN113557797B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202080020699.1

申请日：2020-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加贺谷宗仁 ,  川上聪 ,  守屋刚 ,  松土龙夫 ,  山涌纯 ,  小野田裕之

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。分隔板具有绝缘性，将处理容器的内部分隔为载置被处理体的反应室和生成等离子体的等离子体生成室。此外，分隔板在等离子体生成室侧的面设置第一电极，形成有用于将在等离子体生成室内生成的等离子体所包含的活性种供给到反应室的多个贯通孔。第二电极与第一电极相对地配置在等离子体生成室。在等离子体生成室生成等离子体时，电功率供给部对第一电极和第二电极中的任一者供给将多个频率的高频电功率进行相位控制并叠加而成的高频电功率。

公开(公告)号：CN112135925A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201980031668.3

申请日：2019-04-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山涌纯

IPC: C23C16/505 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明的成膜装置通过等离子体ALD在基片上形成规定的膜，其包括：腔室；载置台；喷淋头，其具有上部电极和与上部电极绝缘的喷淋板；与上部电极连接的第一高频电源；以及与包含于载置台的电极连接的第二高频电源。通过从第一高频电源对上部电极供给高频电功率，在上部电极与喷淋板之间形成高频电场，生成第一电容耦合等离子体，通过从第二高频电源对电极供给高频电功率，在喷淋板与电极之间形成高频电场，生成与第一电容耦合等离子体独立的第二电容耦合等离子体。

公开(公告)号：CN104768317B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201510161834.5

申请日：2010-10-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山泽阳平 ,  舆水地盐 ,  齐藤昌司 ,  传宝一树 ,  山涌纯

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在感应耦合型等离子体工艺中，采用简单的补正线圈自由且精细地控制等离子体的密度分布。在该感应耦合型等离子体处理装置中，在与RF天线(54)接近的电介质窗(52)之下炸面饼圈状地产生感应耦合等离子体，使该炸面饼圈状的等离子体分散在大的处理空间内，在基座(12)附近(即半导体晶片W上)使等离子体的密度平均化。并且，使基座(12)附近的等离子体密度分布在径向上均匀化，由补正环(70)对RF天线(54)产生的RF磁场实施电磁场的补正，而且能够根据工艺条件由开关机构(110)改变补正线圈(70)的通电占空比。

公开(公告)号：CN104768317A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201510161834.5

申请日：2010-10-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山泽阳平 ,  舆水地盐 ,  齐藤昌司 ,  传宝一树 ,  山涌纯

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在感应耦合型等离子体工艺中，采用简单的补正线圈自由且精细地控制等离子体的密度分布。在该感应耦合型等离子体处理装置中，在与RF天线(54)接近的电介质窗(52)之下炸面饼圈状地产生感应耦合等离子体，使该炸面饼圈状的等离子体分散在大的处理空间内，在基座(12)附近(即半导体晶片W上)使等离子体的密度平均化。并且，使基座(12)附近的等离子体密度分布在径向上均匀化，由补正环(70)对RF天线(54)产生的RF磁场实施电磁场的补正，而且能够根据工艺条件由开关机构(110)改变补正线圈(70)的通电占空比。

公开(公告)号：CN102737940B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201210089052.1

申请日：2012-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山涌纯 ,  舆水地盐

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置。通过控制环部件的温度抑制沉积物向基板背面的附着量。在电容耦合型的等离子体蚀刻装置中，以包围载置台的基板载置区域的方式，在该载置台上设置用于调整等离子体的状态的聚焦环。此外，在载置台的上表面与聚焦环的下表面之间，沿着聚焦环设置环状的绝缘部件，并且在相对该绝缘部件在晶片W的径向上相邻的位置、且在载置台的上表面与聚焦环的下表面之间，与上表面和下表面紧贴地设置导热部件。在等离子体处理时，聚焦环的热通过导热部件向载置台导热，所以聚焦环被冷却，能够减少沉积物向晶片W背面的附着量。

公开(公告)号：CN102592936B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201210003658.9

申请日：2012-01-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山涌纯 ,  輿水地盐

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32724

Abstract: 本发明提供一种能够防止在温度差大的两个部件的缝隙中堆积物附着到低温的部件的聚焦环。聚焦环(25)包围配置于基板处理装置(10)的腔室(11)内的晶片(W)的边缘，内侧聚焦环(25a)和外侧聚焦环(25b)构成聚焦环(25)，内侧聚焦环(25a)与晶片(W)邻接地配置且被冷却，外侧聚焦环(25b)包围内侧聚焦环(25a)且不被冷却，块部件(25c)配置于内侧聚焦环(25a)和外侧聚焦环(25b)之间。

公开(公告)号：CN102157325A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010589485.4

申请日：2010-10-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山泽阳平 ,  舆水地盐 ,  齐藤昌司 ,  传宝一树 ,  山涌纯

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/00 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在感应耦合型等离子体工艺中，采用简单的补正线圈自由且精细地控制等离子体的密度分布。在该感应耦合型等离子体处理装置中，在与RF天线(54)接近的电介质窗(52)之下炸面饼圈状地产生感应耦合等离子体，使该炸面饼圈状的等离子体分散在大的处理空间内，在基座(12)附近(即半导体晶片W上)使等离子体的密度平均化。并且，使基座(12)附近的等离子体密度分布在径向上均匀化，由补正环(70)对RF天线(54)产生的RF磁场实施电磁场的补正，而且能够根据工艺条件由开关机构(110)改变补正线圈(70)的通电占空比。

公开(公告)号：CN101275574A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810086397.5

申请日：2008-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山涌纯 ,  守屋刚

IPC: F04D19/04 ,  F04D29/40 ,  H01L21/00

CPC classification number: F04D19/042 ,  F04D29/701 ,  F05D2260/607 ,  Y02T50/675

Abstract: 本发明提供一种能够抑制堆积物向构成部件附着的涡轮分子泵(18)，用于从腔室(11)排出堆积物附着要因气体，包括：具有沿着排气流的旋转轴(36)的转子(37)；收容该转子(37)的壳体(38)；从该转子(37)相对于旋转轴(36)垂直突出的多个旋转翼(39)；和从壳体(38)相对于旋转轴(36)垂直突出的多个静止翼(40)，多个旋转翼(39)被分割成多个旋转翼组(41)，多个静止翼(40)被分割成多个静止翼组(42)，各旋转翼组(41)和各静止翼组(42)沿旋转轴(36)交互配置，从相对于排气流在比位于最下游侧的旋转翼组(41)的更上游侧开口的气体供给口(43)供给含氩分子的堆积物附着抑制气体。

公开(公告)号：CN112259457B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202011136319.9

申请日：2017-07-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木芳彦 ,  南雅人 ,  藤永元毅 ,  神户乔史 ,  山涌纯 ,  宇贺神肇

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤。

公开(公告)号：CN112135925B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201980031668.3

申请日：2019-04-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山涌纯

IPC: C23C16/505 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明的成膜装置通过等离子体ALD在基片上形成规定的膜，其包括：腔室；载置台；喷淋头，其具有上部电极和与上部电极绝缘的喷淋板；与上部电极连接的第一高频电源；以及与包含于载置台的电极连接的第二高频电源。通过从第一高频电源对上部电极供给高频电功率，在上部电极与喷淋板之间形成高频电场，生成第一电容耦合等离子体，通过从第二高频电源对电极供给高频电功率，在喷淋板与电极之间形成高频电场，生成与第一电容耦合等离子体独立的第二电容耦合等离子体。