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公开(公告)号：CN110783260B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201910681549.4
申请日：2019-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供蚀刻方法，抑制因在布线层的蚀刻中使用的气体引起的半导体层的特性恶化。蚀刻方法包括供给工序、第一蚀刻工序、停止工序以及第二蚀刻工序。在供给工序中，为了形成半导体元件而向收容有被处理基板的腔室内供给还原性气体和含氯气体，被处理基板具有在氧化物半导体上层叠有包含铝的布线层的构造。在第一蚀刻工序中，利用包含混合气体的处理气体的等离子体对布线层进行蚀刻，该混合气体由被供给到腔室内的还原性气体和含氯气体构成。在停止工序中，在通过第一蚀刻工序将布线层蚀刻至规定的厚度的情况下，停止向腔室内供给还原性气体。在第二蚀刻工序中，利用包含被供给至腔室内的含氯气体的处理气体的等离子体，进一步对布线层进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN103545228B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201310285902.X
申请日：2013-07-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , H01J37/244
Abstract: 本发明提供即使在基板表面形成的形状变化，也能够可靠地检测出形状形成处理的终点的终点检测方法。将在被处理区域（A）形成的特定形状的形成结束时和强度的时间变化发生奇异性变化的奇异点的出现时刻一致的波长的光选定为监视光，使用等离子体对基板（S）实施蚀刻处理时，由照射单元（14）向基板（S）的表面的被处理区域（A）照射具有包括多个波长的规定的波段的照射光（L），监视从由光接收单元（15）接收的反射光（R）中选定的监视光的强度的时间变化，判定监视光的强度的时间变化是否到达监视光的强度变化分布图中强度发生奇异性变化的奇异点，在判定监视光的强度的时间变化到达奇异点的情况下，判断为在被处理区域（A）形成的特定形状的形成结束。
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公开(公告)号：CN103545228A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310285902.X
申请日：2013-07-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , H01J37/244
CPC classification number: H01L22/26
Abstract: 本发明提供即使在基板表面形成的形状变化，也能够可靠地检测出形状形成处理的终点的终点检测方法。将在被处理区域（A）形成的特定形状的形成结束时和强度的时间变化发生奇异性变化的奇异点的出现时刻一致的波长的光选定为监视光，使用等离子体对基板（S）实施蚀刻处理时，由照射单元（14）向基板（S）的表面的被处理区域（A）照射具有包括多个波长的规定的波段的照射光（L），监视从由光接收单元（15）接收的反射光（R）中选定的监视光的强度的时间变化，判定监视光的强度的时间变化是否到达监视光的强度变化分布图中强度发生奇异性变化的奇异点，在判定监视光的强度的时间变化到达奇异点的情况下，判断为在被处理区域（A）形成的特定形状的形成结束。
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公开(公告)号：CN115172163A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202211004556.9
申请日：2017-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在内表面具有含铝物的处理容器内，使用含氯气体对Ti/Al/Ti叠层膜进行等离子体蚀刻时，抑制含铝物的消耗。本发明的等离子体蚀刻方法包括：向内表面的至少一部分由含铝物形成的处理容器内，搬入具有下层Ti膜、Al膜和上层Ti膜叠层而成的Ti/Al/Ti叠层膜、且在其上形成有图案化的抗蚀剂层的基板的工序；和生成包含含氯气体的蚀刻气体和氮气的等离子体，以抗蚀剂层为掩模，利用生成的等离子体对Ti/Al/Ti叠层膜进行等离子体蚀刻的蚀刻工序。
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公开(公告)号：CN107622945B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201710574737.8
申请日：2017-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107731682A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710680020.1
申请日：2017-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 神户乔史
IPC: H01L21/3213 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/32136 , H01J37/32146
Abstract: 本发明提供一种能够抑制在有机膜上形成的金属膜的蚀刻速率下降的基板处理方法。当对具有形成在有机绝缘膜(26)上的金属膜(30)的基板(S)实施利用等离子体的蚀刻时，脉冲式施加用于将等离子体中的阳离子(34)引入基板(S)的偏置电压。
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公开(公告)号：CN119343011A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410920879.5
申请日：2024-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。一种基板处理方法，对基板进行处理，在所述基板中，在所述基板的表面上配置有多个第一电极层以及包围所述第一电极层且相比于该第一电极层向上方突出的绝缘层，在各个所述第一电极层上形成有发光层，以覆盖所述发光层和所述绝缘层的方式形成有第二电极层，形成有覆盖所述第二电极层的临时密封膜，在所述临时密封膜上形成有掩模，该基板处理方法包括以下工序：工序(A)，使用所述掩模至少去除所述临时密封膜和第二电极层各自的位于所述绝缘层上的部分；以及工序(B)，形成覆盖所述临时密封膜和所述第二电极层各自的上表面以及通过所述工序(A)而形成的侧端面的密封膜。
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公开(公告)号：CN112259457B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202011136319.9
申请日：2017-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤。
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公开(公告)号：CN110808228B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201910716800.6
申请日：2019-08-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/762 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供能够抑制有机绝缘膜的表面粗糙的蚀刻方法和半导体器件的制造方法。该蚀刻方法的特征在于：通过在层叠于层叠结构之上的有机绝缘膜设置的开口对该层叠结构进行蚀刻，其中所述层叠结构是将至少1层氧化硅膜和至少1层氮化硅膜层叠而形成的，上述蚀刻方法包括：第一步骤，其利用由CF系气体和含有氧原子的气体构成的第一处理气体而生成的等离子体，通过上述开口来蚀刻上述层叠结构；和第二步骤，其利用等离子体，通过上述开口对上述层叠结构进行蚀刻，其中上述等离子体是利用由CF系气体和稀有气体构成的或者由CHF系气体和稀有气体构成的第二处理气体而生成的。
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公开(公告)号：CN112259457A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011136319.9
申请日：2017-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤。
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