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公开(公告)号：CN107731681B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201710679727.0
申请日：2017-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种当利用含氯气体蚀刻Ti/Al/Ti层叠膜形成源极和漏极时能够抑制颗粒的产生而且能够抑制基底的氧化物半导体膜的损失的技术。在第一等离子体蚀刻装置中，利用含氯气体对Ti/Al/Ti层叠膜的上层Ti膜和Al膜进行第一等离子体蚀刻，接着，在第二等离子体蚀刻装置中，利用含氟气体对Ti/Al/Ti层叠膜的下层Ti膜进行第二等离子体蚀刻，接着，由第二等离子体蚀刻装置，利用O2气体的等离子体或O2气体和含氟气体的等离子体进行用于抑制腐蚀的后处理。
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公开(公告)号：CN107731681A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710679727.0
申请日：2017-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/32136 , H01J37/32449 , H01J37/32899
Abstract: 本发明提供一种当利用含氯气体蚀刻Ti/Al/Ti层叠膜形成源极和漏极时能够抑制颗粒的产生而且能够抑制基底的氧化物半导体膜的损失的技术。在第一等离子体蚀刻装置中，利用含氯气体对Ti/Al/Ti层叠膜的上层Ti膜和Al膜进行第一等离子体蚀刻，接着，在第二等离子体蚀刻装置中，利用含氟气体对Ti/Al/Ti层叠膜的下层Ti膜进行第二等离子体蚀刻，接着，由第二等离子体蚀刻装置，利用O2气体的等离子体或O2气体和含氟气体的等离子体进行用于抑制腐蚀的后处理。
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公开(公告)号：CN107546097B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201710499341.1
申请日：2017-06-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种在处理容器内对被处理体进行真空处理的真空处理装置和真空处理方法。对处理容器(10)连接第一排气路径(41)和第二排气路径(42)，并且在第一排气路径(41)设置作为自动调整阀的第一阀(51)，在第二排气路径(42)设置能够从3个阶段的开度中选择开度的作为半固定阀的第二阀(52)。第一阀(51)的开度基于处理容器(10)内的压力检测值和压力设定值进行自动调整。第二阀(52)的开度被控制成在超过作为该阀的压力调整界限而预先确定的阈值时基于第一阀(51)的开度检测值来进行自动变更。由此，在第一阀的压力控制无效之前，能够自动变更第二阀的开度，从而能够在宽的范围稳定地进行压力控制。
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公开(公告)号：CN110783260B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201910681549.4
申请日：2019-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供蚀刻方法，抑制因在布线层的蚀刻中使用的气体引起的半导体层的特性恶化。蚀刻方法包括供给工序、第一蚀刻工序、停止工序以及第二蚀刻工序。在供给工序中，为了形成半导体元件而向收容有被处理基板的腔室内供给还原性气体和含氯气体，被处理基板具有在氧化物半导体上层叠有包含铝的布线层的构造。在第一蚀刻工序中，利用包含混合气体的处理气体的等离子体对布线层进行蚀刻，该混合气体由被供给到腔室内的还原性气体和含氯气体构成。在停止工序中，在通过第一蚀刻工序将布线层蚀刻至规定的厚度的情况下，停止向腔室内供给还原性气体。在第二蚀刻工序中，利用包含被供给至腔室内的含氯气体的处理气体的等离子体，进一步对布线层进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN108335978A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810067360.1
申请日：2018-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供一种能够使用共用的处理气体原料供给部并且在多个气体喷淋头部的每一个调整处理气体的成分的等离子体处理装置。在对被处理基板(G)执行等离子体处理的等离子体处理装置(1)中，在对收纳有载置被处理基板(G)的载置台(13)的处理空间(100)进行第一、第二处理气体原料的供给的第一、第二处理气体原料供给部(4a、4b)分别设置有第一、第二供给流量调节部(41a、41b)，并且，对于向多个气体喷淋头部(30a～30d)分配上述第一、第二处理气体原料的多个第一、第二分配流路(401、402)也分别设置有第一、第二分配流量调节部(421a～424a、421b～424b)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104701343A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410730208.9
申请日：2014-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种不增厚密封层就能够获得高阻隔性的顶部发光型的有机EL显示装置及其制造方法。在该顶部发光型的有机EL显示装置(1)中，在基板(11)上隔着驱动电路(12)形成依次叠层有下部电极层(13)、有机EL层(14)和上部电极层(15)的有机EL元件(16)，并且，形成有将有机EL元件(16)的上表面密封的密封层(17)，上部电极层(15)和密封层(17)均通过原子层沉积法形成。
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公开(公告)号：CN116779437A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310209034.0
申请日：2023-03-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供将附着于基片的物质高效地除去的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法进行基片的后处理，上述基片具有金属膜，并利用含氯的蚀刻等离子体对上述金属膜实施了蚀刻处理，上述基片处理方法包括：步骤a，将上述基片送入用于进行上述后处理的后处理腔室，并载置于配置在上述后处理腔室的内部的载置台；步骤b，对上述后处理腔室供给水蒸气，对上述基片实施利用上述水蒸气的处理；和步骤c，对上述后处理腔室从设置于上述后处理腔室的外部的后处理等离子体源供给后处理等离子体，对上述基片实施利用上述后处理等离子体的处理。
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公开(公告)号：CN108335978B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201810067360.1
申请日：2018-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供一种能够使用共用的处理气体原料供给部并且在多个气体喷淋头部的每一个调整处理气体的成分的等离子体处理装置。在对被处理基板(G)执行等离子体处理的等离子体处理装置(1)中，在对收纳有载置被处理基板(G)的载置台(13)的处理空间(100)进行第一、第二处理气体原料的供给的第一、第二处理气体原料供给部(4a、4b)分别设置有第一、第二供给流量调节部(41a、41b)，并且，对于向多个气体喷淋头部(30a～30d)分配上述第一、第二处理气体原料的多个第一、第二分配流路(401、402)也分别设置有第一、第二分配流量调节部(421a～424a、421b～424b)。
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公开(公告)号：CN110783260A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910681549.4
申请日：2019-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供蚀刻方法，抑制因在布线层的蚀刻中使用的气体引起的半导体层的特性恶化。蚀刻方法包括供给工序、第一蚀刻工序、停止工序以及第二蚀刻工序。在供给工序中，为了形成半导体元件而向收容有被处理基板的腔室内供给还原性气体和含氯气体，被处理基板具有在氧化物半导体上层叠有包含铝的布线层的构造。在第一蚀刻工序中，利用包含混合气体的处理气体的等离子体对布线层进行蚀刻，该混合气体由被供给到腔室内的还原性气体和含氯气体构成。在停止工序中，在通过第一蚀刻工序将布线层蚀刻至规定的厚度的情况下，停止向腔室内供给还原性气体。在第二蚀刻工序中，利用包含被供给至腔室内的含氯气体的处理气体的等离子体，进一步对布线层进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN104701343B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201410730208.9
申请日：2014-12-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种不增厚密封层就能够获得高阻隔性的顶部发光型的有机EL显示装置及其制造方法。在该顶部发光型的有机EL显示装置(1)中，在基板(11)上隔着驱动电路(12)形成依次叠层有下部电极层(13)、有机EL层(14)和上部电极层(15)的有机EL元件(16)，并且，形成有将有机EL元件(16)的上表面密封的密封层(17)，上部电极层(15)和密封层(17)均通过原子层沉积法形成。
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