-
公开(公告)号：CN107523800A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710457272.8
申请日：2017-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/40 , H01L21/02 , H01L29/786
Abstract: 本发明的课题在于降低保护膜中的H原子的含量并且在含Cu的电极上正常地形成保护膜。保护膜的成膜方法包括搬入步骤、供给步骤和成膜步骤。在搬入步骤中，向处理容器内搬入Cu部露出的基板，其中Cu部为由含Cu的材料形成的构造物。在供给步骤中，向处理容器内供给第一气体、第二气体和第三气体。在成膜步骤中，利用供给到处理容器内的、含有第一气体、第二气体和第三气体的混合气体的等离子体，在Cu部上形成保护膜。第一气体为含卤素原子的硅系气体。第二气体为O2气体、N2O气体、N2气体或者稀有气体。第三气体为H2O气体或者SiH4气体。
-
公开(公告)号：CN112652514A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011059075.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , C23C16/04 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置和基板处理方法能够确保随着基板的大型化而同样大型化的、保护基板的边缘部的保护框的刚性，并且能够实现面内均匀的成膜。一种在处理容器内对基板进行处理的基板处理装置，其中，该基板处理装置具有：保护框，其具有环状的主体部和向所述主体部的内侧伸出的环状的遮檐部；基板载置台，其具有载置基板的载置面和在所述载置面的周围自所述载置面凹下的环状的台阶部，所述主体部能够收纳于所述台阶部；以及升降机构，其支承所述主体部并使所述保护框相对于所述基板载置台升降，在所述主体部收纳于所述台阶部时，所述遮檐部的顶端定位在载置于所述载置面的所述基板的边缘部的上方。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108335978B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201810067360.1
申请日：2018-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供一种能够使用共用的处理气体原料供给部并且在多个气体喷淋头部的每一个调整处理气体的成分的等离子体处理装置。在对被处理基板(G)执行等离子体处理的等离子体处理装置(1)中，在对收纳有载置被处理基板(G)的载置台(13)的处理空间(100)进行第一、第二处理气体原料的供给的第一、第二处理气体原料供给部(4a、4b)分别设置有第一、第二供给流量调节部(41a、41b)，并且，对于向多个气体喷淋头部(30a～30d)分配上述第一、第二处理气体原料的多个第一、第二分配流路(401、402)也分别设置有第一、第二分配流量调节部(421a～424a、421b～424b)。
-
公开(公告)号：CN113161224A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110041720.2
申请日：2021-01-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置，能够降低在同一处理容器内对基片连续地反复进行多层膜的成膜的情况下处理容器内的清洁的频次。成膜方法是在同一处理容器内在基片形成包含不同的膜的多层膜的成膜方法，包括第1工序、第2工序、第3工序、第4工序、第5工序和第6工序。第1工序将基片送入处理容器内。第2工序在基片形成第1膜。第3工序在第2工序后的基片形成第2膜。第4工序将第3工序后的基片从处理容器送出。第5工序在第4工序后用第1气体的等离子体将形成第2膜时沉积在处理容器内的第1沉积物除去。第6工序在反复执行了从第1工序至第5工序为止的工序后，用第2气体的等离子体将形成第1膜时沉积在处理容器内的第2沉积物除去。
-
公开(公告)号：CN113161224B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202110041720.2
申请日：2021-01-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置，能够降低在同一处理容器内对基片连续地反复进行多层膜的成膜的情况下处理容器内的清洁的频次。成膜方法是在同一处理容器内在基片形成包含不同的膜的多层膜的成膜方法，包括第1工序、第2工序、第3工序、第4工序、第5工序和第6工序。第1工序将基片送入处理容器内。第2工序在基片形成第1膜。第3工序在第2工序后的基片形成第2膜。第4工序将第3工序后的基片从处理容器送出。第5工序在第4工序后用第1气体的等离子体将形成第2膜时沉积在处理容器内的第1沉积物除去。第6工序在反复执行了从第1工序至第5工序为止的工序后，用第2气体的等离子体将形成第1膜时沉积在处理容器内的第2沉积物除去。
-
公开(公告)号：CN107523800B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201710457272.8
申请日：2017-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/40 , H01L21/02 , H01L29/786
Abstract: 本发明的课题在于降低保护膜中的H原子的含量并且在含Cu的电极上正常地形成保护膜。保护膜的成膜方法包括搬入步骤、供给步骤和成膜步骤。在搬入步骤中，向处理容器内搬入Cu部露出的基板，其中Cu部为由含Cu的材料形成的构造物。在供给步骤中，向处理容器内供给第一气体、第二气体和第三气体。在成膜步骤中，利用供给到处理容器内的、含有第一气体、第二气体和第三气体的混合气体的等离子体，在Cu部上形成保护膜。第一气体为含卤素原子的硅系气体。第二气体为O2气体、N2O气体、N2气体或者稀有气体。第三气体为H2O气体或者SiH4气体。
-
公开(公告)号：CN108335978A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810067360.1
申请日：2018-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供一种能够使用共用的处理气体原料供给部并且在多个气体喷淋头部的每一个调整处理气体的成分的等离子体处理装置。在对被处理基板(G)执行等离子体处理的等离子体处理装置(1)中，在对收纳有载置被处理基板(G)的载置台(13)的处理空间(100)进行第一、第二处理气体原料的供给的第一、第二处理气体原料供给部(4a、4b)分别设置有第一、第二供给流量调节部(41a、41b)，并且，对于向多个气体喷淋头部(30a～30d)分配上述第一、第二处理气体原料的多个第一、第二分配流路(401、402)也分别设置有第一、第二分配流量调节部(421a～424a、421b～424b)。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.019 seconds)
