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公开(公告)号：CN104112636B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410150372.2
申请日：2014-04-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/305 , H01J37/30 , C23C14/56
Abstract: 本发明的目的在于提供能够应用以大流量使用处理气体的处理的真空装置和阀控制方法。在等离子体处理装置中，与处理容器连接的排气管中，在4个第一排气管中，将APC阀设定为开度300（30%），在剩下的4个第二排气管中，将APC阀设定为开度1000（100%）。由此，如曲线（C）所示，能够在将APC阀的开度设定为300时的曲线（A）与将APC阀的开度设定为1000的曲线（B）之间，进行处理容器内的压力控制和处理气体的流量控制。曲线（C）与曲线（A）相比，在相同的压力（P1）下，能够排出更大流量的处理气体（Q1＜Q2）。此外，曲线（C）与曲线（A）相比，在相同流量（例如Q1）时，能够进行更低压力的处理（P1＜P2）。
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公开(公告)号：CN107731681A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710679727.0
申请日：2017-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/32136 , H01J37/32449 , H01J37/32899
Abstract: 本发明提供一种当利用含氯气体蚀刻Ti/Al/Ti层叠膜形成源极和漏极时能够抑制颗粒的产生而且能够抑制基底的氧化物半导体膜的损失的技术。在第一等离子体蚀刻装置中，利用含氯气体对Ti/Al/Ti层叠膜的上层Ti膜和Al膜进行第一等离子体蚀刻，接着，在第二等离子体蚀刻装置中，利用含氟气体对Ti/Al/Ti层叠膜的下层Ti膜进行第二等离子体蚀刻，接着，由第二等离子体蚀刻装置，利用O2气体的等离子体或O2气体和含氟气体的等离子体进行用于抑制腐蚀的后处理。
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公开(公告)号：CN108335978A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810067360.1
申请日：2018-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供一种能够使用共用的处理气体原料供给部并且在多个气体喷淋头部的每一个调整处理气体的成分的等离子体处理装置。在对被处理基板(G)执行等离子体处理的等离子体处理装置(1)中，在对收纳有载置被处理基板(G)的载置台(13)的处理空间(100)进行第一、第二处理气体原料的供给的第一、第二处理气体原料供给部(4a、4b)分别设置有第一、第二供给流量调节部(41a、41b)，并且，对于向多个气体喷淋头部(30a～30d)分配上述第一、第二处理气体原料的多个第一、第二分配流路(401、402)也分别设置有第一、第二分配流量调节部(421a～424a、421b～424b)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107731681B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201710679727.0
申请日：2017-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种当利用含氯气体蚀刻Ti/Al/Ti层叠膜形成源极和漏极时能够抑制颗粒的产生而且能够抑制基底的氧化物半导体膜的损失的技术。在第一等离子体蚀刻装置中，利用含氯气体对Ti/Al/Ti层叠膜的上层Ti膜和Al膜进行第一等离子体蚀刻，接着，在第二等离子体蚀刻装置中，利用含氟气体对Ti/Al/Ti层叠膜的下层Ti膜进行第二等离子体蚀刻，接着，由第二等离子体蚀刻装置，利用O2气体的等离子体或O2气体和含氟气体的等离子体进行用于抑制腐蚀的后处理。
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公开(公告)号：CN110581087B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201910488033.8
申请日：2019-06-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供一种在对FPD用的基板进行蚀刻等处理时、进行面内均匀性较高的处理的基板载置台和基板处理装置。一种基板载置台，其是于在处理容器内对基板进行处理之际载置所述基板并对该基板进行调温的基板载置台，其具有：第1板，其包括隔着间隙而隔开的多个金属制的分离板；以及第2板，其为金属制，并与各所述分离板接触，该第2板具有比所述第1板的导热系数低的导热系数，各所述分离板内置有进行固有的调温的调温部。
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公开(公告)号：CN108335978B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201810067360.1
申请日：2018-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供一种能够使用共用的处理气体原料供给部并且在多个气体喷淋头部的每一个调整处理气体的成分的等离子体处理装置。在对被处理基板(G)执行等离子体处理的等离子体处理装置(1)中，在对收纳有载置被处理基板(G)的载置台(13)的处理空间(100)进行第一、第二处理气体原料的供给的第一、第二处理气体原料供给部(4a、4b)分别设置有第一、第二供给流量调节部(41a、41b)，并且，对于向多个气体喷淋头部(30a～30d)分配上述第一、第二处理气体原料的多个第一、第二分配流路(401、402)也分别设置有第一、第二分配流量调节部(421a～424a、421b～424b)。
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公开(公告)号：CN110581087A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910488033.8
申请日：2019-06-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供一种在对FPD用的基板进行蚀刻等处理时、进行面内均匀性较高的处理的基板载置台和基板处理装置。一种基板载置台，其是于在处理容器内对基板进行处理之际载置所述基板并对该基板进行调温的基板载置台，其具有：第1板，其包括隔着间隙而隔开的多个金属制的分离板；以及第2板，其为金属制，并与各所述分离板接触，该第2板具有比所述第1板的导热系数低的导热系数，各所述分离板内置有进行固有的调温的调温部。
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公开(公告)号：CN104112636A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410150372.2
申请日：2014-04-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/305 , H01J37/30 , C23C14/56
Abstract: 本发明的目的在于提供能够应用以大流量使用处理气体的处理的真空装置和阀控制方法。在等离子体处理装置中，与处理容器连接的排气管中，在4个第一排气管中，将APC阀设定为开度300（30%），在剩下的4个第二排气管中，将APC阀设定为开度1000（100%）。由此，如曲线（C）所示，能够在将APC阀的开度设定为300时的曲线（A）与将APC阀的开度设定为1000的曲线（B）之间，进行处理容器内的压力控制和处理气体的流量控制。曲线（C）与曲线（A）相比，在相同的压力（P1）下，能够排出更大流量的处理气体（Q1＜Q2）。此外，曲线（C）与曲线（A）相比，在相同流量（例如Q1）时，能够进行更低压力的处理（P1＜P2）。
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