公开(公告)号：CN105244270B

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201510379150.2

申请日：2015-07-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户田聪 ,  成嶋健索 ,  高桥宏幸

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。[课题]在对被壁部(62)划分了蚀刻区域的SiO2层(61)蚀刻至到达下层之前的中途阶段为止时，改善粗糙度与微负载。[解决手段]对载置于处理容器(1)的晶圆W，间歇地供给预先混合了HF气体与NH3气体的混合气体。通过间歇地供给混合气体，由混合气体与SiO2的反应产物形成的保护膜在停止供给混合气体的期间通过真空排气而升华(挥发)。因此，无论图案的疏密，蚀刻速度都均匀并改善了微负载。另外，通过预先混合HF气体与NH3气体而供给至晶圆W，可以抑制附着于晶圆W的表面的HF浓度的偏差，改善粗糙度并且谋求进一步改善微负载。

公开(公告)号：CN105529289A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201510685548.9

申请日：2015-10-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥宏幸 ,  风间和典 ,  岩渕纪之 ,  户田聪 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67011

Abstract: 提供一种基板处理装置和基板处理方法，在使用多个处理部对多个被处理基板分别进行处理时，能够共用排气机构并且实施不同的气体条件的基板处理。该基板处理装置具备对多个被处理基板(Wa、Wb)实施基板处理的多个处理部(11a、11b)、从多个处理部共同排出气体的排气机构(15)、对多个处理部相独立地供给气体的气体供给机构(14)以及控制部(16)，其中，在对多个被处理基板实施基板处理时，控制部一边控制排气机构使得从多个处理部一并排出气体，一边控制气体供给机构使得对多个处理部相独立地供给处理气体并且阻止产生多个处理部之间的压力差。

公开(公告)号：CN104112636A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410150372.2

申请日：2014-04-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户田聪 ,  齐藤英树

IPC: H01J37/305 ,  H01J37/30 ,  C23C14/56

Abstract: 本发明的目的在于提供能够应用以大流量使用处理气体的处理的真空装置和阀控制方法。在等离子体处理装置中，与处理容器连接的排气管中，在4个第一排气管中，将APC阀设定为开度300（30%），在剩下的4个第二排气管中，将APC阀设定为开度1000（100%）。由此，如曲线（C）所示，能够在将APC阀的开度设定为300时的曲线（A）与将APC阀的开度设定为1000的曲线（B）之间，进行处理容器内的压力控制和处理气体的流量控制。曲线（C）与曲线（A）相比，在相同的压力（P1）下，能够排出更大流量的处理气体（Q1＜Q2）。此外，曲线（C）与曲线（A）相比，在相同流量（例如Q1）时，能够进行更低压力的处理（P1＜P2）。

公开(公告)号：CN112542400A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202010938557.5

申请日：2020-09-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新藤尚树 ,  桑岛亮 ,  户田聪

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及蚀刻装置和蚀刻方法。[课题]使用属于β‑二酮的气体对形成于基板的金属膜进行蚀刻时，防止该基板的金属污染。[解决方案]构成一种蚀刻装置，所述蚀刻装置具备：处理容器，其内部经排气且形成真空气氛、并且具有以由铝和添加金属形成的合金为母材的壁部；台，其设置于前述处理容器内、且用于载置在表面形成有金属膜的基板；气体供给部，其向前述台供给用于氧化前述金属膜的氧化气体、和属于β‑二酮的蚀刻气体，为了对氧化后的前述金属膜进行蚀刻而设置于前述处理容器；和，壁部用的加热部，其在从前述气体供给部向前述处理容器内供给前述蚀刻气体时，将前述壁部加热至60℃～90℃。

公开(公告)号：CN108878328A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810744557.4

申请日：2015-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 浅川雄二 ,  绿川洋平 ,  户田聪 ,  高桥宏幸

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在将被处理基板载置在载置台上并利用处理气体来进行基板处理时能进一步确保处理均匀性。用于在真空气氛下利用处理气体对作为被处理基板的晶圆(W)实施规定的处理的基板处理装置(5)包括：腔室(40)，其被保持为真空气氛，用于容纳晶圆(W)；基板载置台(41)，其用于在腔室(40)内载置晶圆(W)；气体导入构件(42)，其用于向腔室(40)内导入含有处理气体的气体；分隔壁构件(44)，其以能够进行升降的方式设置，用于形成分隔壁，该分隔壁在基板载置台(41)的上方的包括晶圆(W)的区域中限定处理空间(S)；以及升降机构(45)，其用于使分隔壁构件(44)进行升降。

公开(公告)号：CN104112636B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410150372.2

申请日：2014-04-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户田聪 ,  齐藤英树

IPC: H01J37/305 ,  H01J37/30 ,  C23C14/56

Abstract: 本发明的目的在于提供能够应用以大流量使用处理气体的处理的真空装置和阀控制方法。在等离子体处理装置中，与处理容器连接的排气管中，在4个第一排气管中，将APC阀设定为开度300（30%），在剩下的4个第二排气管中，将APC阀设定为开度1000（100%）。由此，如曲线（C）所示，能够在将APC阀的开度设定为300时的曲线（A）与将APC阀的开度设定为1000的曲线（B）之间，进行处理容器内的压力控制和处理气体的流量控制。曲线（C）与曲线（A）相比，在相同的压力（P1）下，能够排出更大流量的处理气体（Q1＜Q2）。此外，曲线（C）与曲线（A）相比，在相同流量（例如Q1）时，能够进行更低压力的处理（P1＜P2）。

公开(公告)号：CN105304526A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510437109.6

申请日：2015-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 浅川雄二 ,  绿川洋平 ,  户田聪 ,  高桥宏幸

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/54 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在将被处理基板载置在载置台上并利用处理气体来进行基板处理时能进一步确保处理均匀性。用于在真空气氛下利用处理气体对作为被处理基板的晶圆(W)实施规定的处理的基板处理装置(5)包括：腔室(40)，其被保持为真空气氛，用于容纳晶圆(W)；基板载置台(41)，其用于在腔室(40)内载置晶圆(W)；气体导入构件(42)，其用于向腔室(40)内导入含有处理气体的气体；分隔壁构件(44)，其以能够进行升降的方式设置，用于形成分隔壁，该分隔壁在基板载置台(41)的上方的包括晶圆(W)的区域中限定处理空间(S)；以及升降机构(45)，其用于使分隔壁构件(44)进行升降。

公开(公告)号：CN109075061B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN201780023819.1

申请日：2017-03-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户田聪 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/455 ,  H01L21/302

Abstract: 基板处理装置具备：两个处理部(11a、11b)，其对两张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构(14)，其对处理部(11a、11b)独立地供给气体；以及共同的排气机构(15)，其对处理部(11a、11b)内的气体统一进行排气，在使用该基板处理装置实施规定的处理时，进行第一模式并进行第二模式，在所述第一模式中，向处理部(11a)供给HF气体和NH3气体，不对处理部(11b)供给HF气体，在所述第二模式中，对处理部(11a、11b)以相同的气体条件供给HF气体和NH3气体，其中，在进行第一模式时，阻止处理部(11a、11b)间产生压力差。

公开(公告)号：CN108878328B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201810744557.4

申请日：2015-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 浅川雄二 ,  绿川洋平 ,  户田聪 ,  高桥宏幸

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在将被处理基板载置在载置台上并利用处理气体来进行基板处理时能进一步确保处理均匀性。用于在真空气氛下利用处理气体对作为被处理基板的晶圆(W)实施规定的处理的基板处理装置(5)包括：腔室(40)，其被保持为真空气氛，用于容纳晶圆(W)；基板载置台(41)，其用于在腔室(40)内载置晶圆(W)；气体导入构件(42)，其用于向腔室(40)内导入含有处理气体的气体；分隔壁构件(44)，其以能够进行升降的方式设置，用于形成分隔壁，该分隔壁在基板载置台(41)的上方的包括晶圆(W)的区域中限定处理空间(S)；以及升降机构(45)，其用于使分隔壁构件(44)进行升降。

公开(公告)号：CN110581067A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910471001.7

申请日：2019-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户田聪 ,  菊岛悟 ,  中込健 ,  小泽淑惠 ,  林军

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及蚀刻方法及蚀刻装置。本发明的课题是提供在不发生基于反应产物的蚀刻抑制的情况下能够以高选择比对基板上的材料进行化学蚀刻的蚀刻方法及蚀刻装置。本发明的蚀刻方法具备如下工序：在腔室内设置基板的工序，该基板具有硅氧化物系材料和其它材料，且硅氧化物系材料具有蚀刻对象部位，蚀刻对象部位具有10nm以下的宽度、并且具有10以上的深宽比；将HF气体及含OH气体供给至基板，相对于其它材料选择性地对蚀刻对象部位进行蚀刻的工序。