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公开(公告)号：CN115466941B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202210609924.6
申请日：2022-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/67
Abstract: 提供一种用于改善膜厚的面内分布的喷淋头及基板处理装置。该喷淋头包括：喷淋板；基座部件，设置有气体流路，并对所述喷淋板进行固定；以及多个气体供给部件，布置在形成于所述喷淋板与所述基座部件之间的气体扩散空间中，并与所述气体流路连接，其中，所述气体供给部件具有用于沿放射方向喷出气体的多个喷出口，从多个所述气体供给部件的喷出口喷出的气体形成旋流。
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公开(公告)号：CN108531889B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201810175365.6
申请日：2018-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/14
Abstract: 本发明提供一种能够使处理开始时的原料气体的流量在短时间内稳定化的气体供给装置。一实施方式的气体供给装置，其使原料容器内的原料气化，将原料气体与载气一起供给到处理容器内，包括：设置在所述原料容器和所述处理容器之间的缓冲罐；以能够将所述缓冲罐内和所述原料容器内排气的方式设置的压力调节通路；存储部，其存储向所述处理容器内供给所述原料气体进行了处理时的所述缓冲罐内的压力；和控制部，其控制在所述压力调节通路中进行排气的流量和对所述缓冲罐填充的所述原料气体和所述载气的流量，使得在向所述处理容器内供给所述原料气体之前，所述缓冲罐内的压力成为在所述存储部中所存储的压力。
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公开(公告)号：CN101606228B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200880004044.4
申请日：2008-01-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/34 , H01L21/28562 , H01L21/76877
Abstract: 本发明的成膜方法包括：在层间绝缘膜(520)上和接触孔(530)底部的含硅表面(512)上形成钛膜的钛膜形成工序；将该钛膜全部氮化，形成单一的氮化钛膜(550)的氮化工序；和在氮化钛膜上形成钨膜(560)的钨膜形成工序。由此，能够防止由于钛层的变质而引起的钨膜的剥离，并且能够使阻挡层比现有技术薄，并提高生产率。
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公开(公告)号：CN101443477B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200780017194.4
申请日：2007-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/14 , C23C16/4405 , C23C16/45565 , C23C16/56 , H01L21/28556
Abstract: 本发明提供一种Ti类膜的成膜方法和存储介质，该Ti类膜的成膜方法包括：在基座上不存在晶片(W)的状态下向腔室内导入含氟的清洗气体而对腔室内进行清洗的工序(工序1)；在基座上不存在晶片(W)的状态下对基座进行加热，并从喷淋头向腔室内喷出含Ti的处理气体，至少在喷淋头的表面形成预敷膜的工序(工序2)；和之后，在已加热基座(2)的状态下将晶片载置于其上，通过向腔室(1)内供给处理气体而在晶片(W)上形成Ti类膜的工序(工序3)，其中，使基座的温度低于成膜工序时的温度进行预敷膜形成工序。
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公开(公告)号：CN101606228A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200880004044.4
申请日：2008-01-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/34 , H01L21/28562 , H01L21/76877
Abstract: 本发明的成膜方法包括：在层间绝缘膜(520)上和接触孔(530)底部的含硅表面(512)上形成钛膜的钛膜形成工序；将该钛膜全部氮化，形成单一的氮化钛膜(550)的氮化工序；和在氮化钛膜上形成钨膜(560)的钨膜形成工序。由此，能够防止由于钛层的变质而引起的钨膜的剥离，并且能够使阻挡层比现有技术薄，并提高生产率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101397653A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810169541.1
申请日：2008-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供金属膜成膜方法和计算机能够读取的存储介质，仅是形成氮化钛膜的工序就能够容易地发生硅化反应，从而大幅提高处理能力。该金属膜成膜方法具有通过向晶片上供给钛化合物气体、还原气体和氮气并生成等离子体，在晶片上形成氮化钛膜的工序，在该工序中，氮气以从其开始供给直至达到规定的设定流量(时间Ts)逐渐增加其供给流量的方式进行供给，从而在含硅表面上形成硅化钛膜，并且在晶片上形成氮化钛膜。
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公开(公告)号：CN107818944B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201710816549.1
申请日：2017-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , C23C16/08 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种使用钨填充凹部的方法。一实施方式的方法包括在成膜装置的腔室内准备衬底的工序，将第一循环执行一次以上的工序，和在将第一循环执行一次以上的工序之后，将第二循环执行一次以上的工序。第一循环和第二循环各自包括：将含钨的前体气体导入腔室的步骤；对腔室进行吹扫的步骤；将含氢气体导入腔室的步骤；和对腔室进行吹扫的步骤。该方法中，第二循环执行时的腔室的压力被设定为比第一循环执行时的腔室的压力低的压力。
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公开(公告)号：CN105244270B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201510379150.2
申请日：2015-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。[课题]在对被壁部(62)划分了蚀刻区域的SiO2层(61)蚀刻至到达下层之前的中途阶段为止时，改善粗糙度与微负载。[解决手段]对载置于处理容器(1)的晶圆W，间歇地供给预先混合了HF气体与NH3气体的混合气体。通过间歇地供给混合气体，由混合气体与SiO2的反应产物形成的保护膜在停止供给混合气体的期间通过真空排气而升华(挥发)。因此，无论图案的疏密，蚀刻速度都均匀并改善了微负载。另外，通过预先混合HF气体与NH3气体而供给至晶圆W，可以抑制附着于晶圆W的表面的HF浓度的偏差，改善粗糙度并且谋求进一步改善微负载。
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公开(公告)号：CN108531889A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810175365.6
申请日：2018-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/14
Abstract: 本发明提供一种能够使处理开始时的原料气体的流量在短时间内稳定化的气体供给装置。一实施方式的气体供给装置，其使原料容器内的原料气化，将原料气体与载气一起供给到处理容器内，包括：设置在所述原料容器和所述处理容器之间的缓冲罐；以能够将所述缓冲罐内和所述原料容器内排气的方式设置的压力调节通路；存储部，其存储向所述处理容器内供给所述原料气体进行了处理时的所述缓冲罐内的压力；和控制部，其控制在所述压力调节通路中进行排气的流量和对所述缓冲罐填充的所述原料气体和所述载气的流量，使得在向所述处理容器内供给所述原料气体之前，所述缓冲罐内的压力成为在所述存储部中所存储的压力。
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公开(公告)号：CN105164307B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201480024289.9
申请日：2014-02-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/34 , C23C16/4405 , C23C16/4409 , C23C16/4412 , C23C16/45544 , C23C16/4583 , H01L21/68742 , H01L21/68792
Abstract: 本发明提供一种易于进行组装、维护等且能够抑制反应气体进入到波纹管内的成膜装置。配置于在真空氛围下向基板(W)的表面供给反应气体而进行成膜处理的处理容器(1)内的升降轴(23)以自下表面侧支承着用于载置基板(W)的载置台(2)的状态沿上下方向延伸地设置，该升降轴(23)穿过被设于处理容器(1)的贯通口(15)而与外部的升降机构相连接。波纹管(231)自侧方覆盖升降轴(23)的周围而将处理容器(1)内保持为真空气氛，盖构件(41)以包围升降轴(23)的方式配置，吹扫气体供给部(63b)向波纹管(231)内供给吹扫气体，以便形成经由升降轴(23)与盖构件(41)之间的间隙向处理容器(1)流动的气体的流动。
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