公开(公告)号：CN105164307A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201480024289.9

申请日：2014-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成嶋健索 ,  鸟屋大辅 ,  朝仓贤太朗 ,  村上诚志

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明提供一种易于进行组装、维护等且能够抑制反应气体进入到波纹管内的成膜装置。配置于在真空氛围下向基板(W)的表面供给反应气体而进行成膜处理的处理容器(1)内的升降轴(23)以自下表面侧支承着用于载置基板(W)的载置台(2)的状态沿上下方向延伸地设置，该升降轴(23)穿过被设于处理容器(1)的贯通口(15)而与外部的升降机构相连接。波纹管(231)自侧方覆盖升降轴(23)的周围而将处理容器(1)内保持为真空气氛，盖构件(41)以包围升降轴(23)的方式配置，吹扫气体供给部(63b)向波纹管(231)内供给吹扫气体，以便形成经由升降轴(23)与盖构件(41)之间的间隙向处理容器(1)流动的气体的流动。

公开(公告)号：CN1777986A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200480010775.1

申请日：2004-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 朝仓贤太朗

IPC: H01L21/68

Abstract: 本发明涉及对被处理基板(W)进行半导体处理的装置，包含配置在载置台(38)上的，辅助进行被处理基板的运送的升降机构(48)。升降机构包含支承和使被处理基板升降的升降机销子(51)和引导升降机销子的升降动作的导向孔(49)。导向孔具有贯通载置台，从上表面延伸至下表面的主孔部分(49a)，和与主孔部分对应在从载置台的下表面向下方突出的延长套管(66)内延伸的延长孔部分(49b)。

公开(公告)号：CN112185882A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010600872.7

申请日：2020-06-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 我妻雄一郎 ,  朝仓贤太朗 ,  齐藤哲也 ,  渡边将久

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板的交接方法。在将基板利用载置台加热、冷却的情况下，改善基板的温度的面内均匀性，防止基板支承销折断。基板处理装置包括：具有沿上下方向贯通载置台的贯通孔的载置台，其在上表面载置基板，并对基板进行加热和/或冷却；设有贯穿贯通孔且能够自载置台的上表面突出的贯穿部的基板支承销；能够支承基板支承销的销支承构件，基板支承销设有位于比载置台的下表面靠下侧的凸缘部，销支承构件利用与凸缘部的卡合来支承基板支承销，载置台的贯通孔比基板支承销的凸缘部细，基板支承销具有包含凸缘部的第1构件和与第1构件独立且包含贯穿部的第2构件，第1构件具有载置第2构件且将其支承为滑动自如的滑动面。

公开(公告)号：CN100541715C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200710186550.7

申请日：2004-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 朝仓贤太朗

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明涉及对被处理基板(W)进行半导体处理的装置，包含配置在载置台(38)上的，辅助进行被处理基板的运送的升降机构(48)。升降机构包含支承和使被处理基板升降的升降机销子(51)和引导升降机销子的升降动作的导向孔(49)。导向孔具有贯通载置台，从上表面延伸至下表面的主孔部分(49a)，和与主孔部分对应在从载置台的下表面向下方突出的延长套管(66)内延伸的延长孔部分(49b)。

公开(公告)号：CN112185882B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202010600872.7

申请日：2020-06-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 我妻雄一郎 ,  朝仓贤太朗 ,  齐藤哲也 ,  渡边将久

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板的交接方法。在将基板利用载置台加热、冷却的情况下，改善基板的温度的面内均匀性，防止基板支承销折断。基板处理装置包括：具有沿上下方向贯通载置台的贯通孔的载置台，其在上表面载置基板，并对基板进行加热和/或冷却；设有贯穿贯通孔且能够自载置台的上表面突出的贯穿部的基板支承销；能够支承基板支承销的销支承构件，基板支承销设有位于比载置台的下表面靠下侧的凸缘部，销支承构件利用与凸缘部的卡合来支承基板支承销，载置台的贯通孔比基板支承销的凸缘部细，基板支承销具有包含凸缘部的第1构件和与第1构件独立且包含贯穿部的第2构件，第1构件具有载置第2构件且将其支承为滑动自如的滑动面。

公开(公告)号：CN101421599B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200780012739.2

申请日：2007-08-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 朝仓贤太朗

IPC: G01K1/14 ,  G01K7/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: G01K13/00 ,  G01K7/02

Abstract: 测温装置(5)包括：具有前端部(50a)和缓冲部(50b)的护套热电偶(50)，上述前端部(50a)能够跟随基座(4)在进退方向移动，上述缓冲部(50b)以在腔室(1)外延伸伸出的方式设置，允许前端部(50a)的移动；和在使前端部(50a)压在基座(4)上的方向上施力的压缩螺旋弹簧(53)。收容压缩螺旋弹簧(53)和缓冲部(50b)的密闭部件(51)以其内部与腔室(1)内连通的方式与腔室(1)的底壁(19)密接。缓冲部(50b)的终端部分向密闭部件(51)的外部延伸伸出，利用焊接，在密闭部件(51)中缓冲部(50b)的终端部分向外部延伸伸出的部分上形成接合部(55)。

公开(公告)号：CN100367485C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200480010775.1

申请日：2004-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 朝仓贤太朗

IPC: H01L21/68

Abstract: 本发明涉及对被处理基板(W)进行半导体处理的装置，包含配置在载置台(38)上的，辅助进行被处理基板的运送的升降机构(48)。升降机构包含支承和使被处理基板升降的升降机销子(51)和引导升降机销子的升降动作的导向孔(49)。导向孔具有贯通载置台，从上表面延伸至下表面的主孔部分(49a)，和与主孔部分对应在从载置台的下表面向下方突出的延长套管(66)内延伸的延长孔部分(49b)。

公开(公告)号：CN115995418A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211249558.4

申请日：2022-10-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中岛孝一 ,  朝仓贤太朗 ,  加贺谷靖之

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/68 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供基板载置方法和基板载置机构。在向载置台的载置面载置基板时，即使在基板产生横向偏移而使基板卡定于非期望的位置时，也能够将基板载置于期望的位置。载置基板的基板载置方法具有以下工序：使以相对于载置面能够突出没入的方式设置的升降销位于向载置面的上方突出来的基板交接位置，并向升降销上交接基板；接着，使载置有基板的升降销向所述载置面的下方的基板载置位置下降；以及接着，使升降销上升微小距离接着返回基板载置位置，在使升降销自基板交接位置向基板载置位置下降时，在基板的边缘卡定于锥面的情况下，利用使升降销上升微小距离接着返回基板载置位置的工序，解除边缘的相对于锥面的卡定而将基板向载置面引导。

公开(公告)号：CN101421599A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200780012739.2

申请日：2007-08-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 朝仓贤太朗

IPC: G01K1/14 ,  G01K7/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: G01K13/00 ,  G01K7/02

Abstract: 测温装置(5)包括：具有前端部(50a)和缓冲部(50b)的护套热电偶(50)，上述前端部(50a)能够跟随基座(4)在进退方向移动，上述缓冲部(50b)以在腔室(1)外延伸伸出的方式设置，允许前端部(50a)的移动；和在使前端部(50a)压在基座(4)上的方向上施力的压缩螺旋弹簧(53)。收容压缩螺旋弹簧(53)和缓冲部(50b)的密闭部件(51)以其内部与腔室(1)内连通的方式与腔室(1)的底壁(19)密接。缓冲部(50b)的终端部分向密闭部件(51)的外部延伸伸出，利用焊接，在密闭部件(51)中缓冲部(50b)的终端部分向外部延伸伸出的部分上形成接合部(55)。

公开(公告)号：CN100440476C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200610128962.0

申请日：2006-09-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岛村明典 ,  朝仓贤太朗

IPC: H01L21/687

Abstract: 本发明提供一种基板载置机构，抑制伴随处理气体的供给而生成的反应生成物堆积在设置于基板载置机构的载置台上的销插通孔和在该销插通孔内升降从而在载置台上进行基板交换的升降销的间隙中。该基板的载置机构包括：在销插通孔的下端的开口部中，呈环状向内侧突出形成的环状突出部；和形成于上述升降销上，当该升降销下降时，支承在环出突出部上并塞住上述开口部的扩径部。进入到载置有基板的载置台下方周围的处理气体难以从销插通孔的下端进入，可以抑制反应生成物堆积在升降销和销插通孔之间的间隙中，因此能够抑制对升降销升降的阻碍。