公开(公告)号：CN105225926B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201510367912.7

申请日：2015-06-29

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 小仓慎太郎 ,  笹岛亮太

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： C23C16/4405 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/30 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0228

摘要： 清洁方法、半导体器件的制造方法及衬底处理装置，抑制由进行清洁处理导致的排气管的腐蚀。交替地重复：通过向处理衬底的处理室内供给清洁气体，并经由排气管排出处理室内的清洁气体而清洁处理室内的工序；和通过维持实质停止了清洁气体向排气管内的流通的状态而冷却排气管的工序。

公开(公告)号：CN105374705B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201510090136.0

申请日：2015-02-27

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 镰仓司

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： C23C16/4412 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52

摘要： 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。提供一种即使在利用排气缓冲室进行气体排气的情况下也能形成良好特性的膜的技术。衬底处理装置，包括：处理空间，对载置于衬底载置台的衬底载置面上的衬底进行处理；气体供给系统，从与所述衬底载置面相对的一侧向所述处理空间内供给气体；排气缓冲室，其构成为至少具有连通孔和气流阻断壁，所述连通孔在所述处理空间的侧方与该处理空间连通，所述气流阻断壁在将通过所述连通孔的气流阻断的方向上延伸；以及第一加热部，设于所述气流阻断壁。

公开(公告)号：CN104576453B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201410575684.8

申请日：2014-10-24

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 西野雅 ,  舟久保隆男 ,  狐塚慎一 ,  新妻良祐 ,  伊藤务

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32862 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32642 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3344 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

摘要： 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其有效地除去含金属的附着物。该等离子体处理方法，利用含CxFy气体(其中，x为2以下的整数，y为6以下的整数)且不含氯类气体和氮类气体的处理气体的等离子体，除去附着在配置于处理容器的内部的部件上的含过渡金属和贱金属中的至少任一者的附着物。

公开(公告)号：CN108130523A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201810101540.7

申请日：2014-03-13

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 芦原洋司 ,  小川有人

IPC分类号： C23C16/44 ,  H01L21/316 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02271 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67017

摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法及记录介质，防止设在排气系统中的涡轮分子泵的动作变得不稳定。该衬底处理装置向处理空间供给气体而对衬底进行处理，具有：在上述处理空间的上游侧使上述气体分散的缓冲空间；在将上述衬底向上述处理空间搬运时供上述衬底通过的搬运空间；与上述搬运空间连接的第1排气管；与上述缓冲空间连接的第2排气管；与上述处理空间连接的第3排气管；与上述第1排气管、上述第2排气管及上述第3排气管各自的下游侧连接的第4排气管；设于上述第1排气管的第1真空泵；设于上述第4排气管的第2真空泵；在上述第1排气管中设于上述第1真空泵的下游侧的第1阀；设于上述第2排气管的第2阀；以及设于上述第3排气管的第3阀。

公开(公告)号：CN104752271B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201410092352.4

申请日：2014-03-13

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 广地志有 ,  大桥直史

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02274 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02186

摘要： 本发明提供衬底处理装置及半导体装置的制造方法。衬底处理装置具有：原料气体供给系统，具有与原料气体源连接，设有原料气体供给控制部的原料气体供给管；反应气体供给系统，具有反应气体供给管和非活性气体供给管，反应气体供给管与反应气体源连接，从上游起按顺序设有反应气体供给控制部、等离子体生成部、离子捕获部；非活性气体供给管的下游端连接在反应气体供给控制部与等离子体生成部之间，上游端与非活性气体供给源连接，设有非活性气体供给控制部；处理室，收容被处理衬底，从原料气体供给系统被供给原料气体，从反应气体供给系统被供给反应气体；控制部，至少对原料气体供给控制部和反应气体供给控制部和非活性气体供给控制部进行控制。

公开(公告)号：CN107768223A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710556214.0

申请日：2017-07-10

申请人： FEI ,  公司

发明人： V.斯维达 ,  L.诺瓦克 ,  V.斯特帕内克 ,  P.保罗乌舍克

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32871 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/02 ,  H01J37/26 ,  H01J37/30 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/028 ,  H01J37/32669 ,  H01J2237/335

摘要： 本发明涉及与等离子清洁机一起使用的磁体。等离子体发生器位于真空室外侧并生成中性活性粒子和带电粒子。定位在等离子体发生器外侧的磁体使带电粒子偏转，从而防止其中的一些或全部进入真空室，由此防止在真空室中形成二次等离子体源，同时允许中性活性粒子进入真空室以减少污染物。

公开(公告)号：CN107761074A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710710469.8

申请日：2017-08-18

申请人： 应用材料公司

发明人： 大木慎一 ,  森义信 ,  青木裕司

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： H01L21/67248 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/455 ,  C23C16/466 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  C30B25/14 ,  H01L21/20 ,  C23C16/45591

摘要： 本文中描述了一种外延沉积腔室，比如高生长速率外延腔室，所述外延沉积腔室在腔室中圆顶上方具有上部锥体，用于控制空气流。所述上部锥体在所述腔室中具有由两个或更多个间隙分离的第一部件和第二部件，每个部件具有部分圆柱形区域和从所述部分圆柱形区域延伸的部分圆锥形区域，所述部分圆柱形区域具有第一凹形内表面、第一凸形外表面、以及所述第一凹形内表面的固定曲率半径，所述部分圆锥形区域具有第二凹形内表面、第二凸形外表面、以及所述第二凹形内表面的变化曲率半径，其中所述第二凹形内表面从所述部分圆柱形区域延伸至小于所述固定曲率半径的第二曲率半径。

公开(公告)号：CN107424898A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710358043.0

申请日：2017-05-19

申请人： SPTS科技有限公司

发明人： 凯瑟琳·克鲁克 ,  马克·卡拉瑟斯 ,  安德鲁·普赖斯

IPC分类号： H01J37/32 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/4405 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/452 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862 ,  H01J37/32963 ,  H01J2237/335

摘要： 根据本发明提供了一种使用自由基对等离子体处理装置的室进行清洁的方法，包括以下步骤：在与所述室分离的远程等离子体源内产生等离子体，所述等离子体包括自由基和离子；通过使得自由基能够从所述远程等离子体源进入所述室来清洁所述室，同时防止在所述远程等离子体源产生的离子的大部分进入所述室；对清洁过程中在所述室的组件上形成的DC偏置进行检测；以及使用所检测的DC偏置来确定所述清洁的终点，并且在确定所述终点时终止所述清洁。

公开(公告)号：CN104919077B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201480004713.3

申请日：2014-01-10

申请人： 加州理工学院

发明人： 大卫·A·博伊德 ,  乃-昌·叶

IPC分类号： C23C14/02

CPC分类号： C23C16/26 ,  C01B32/184 ,  C01B32/186 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/511 ,  Y10T428/24355

摘要： 一种形成石墨烯的方法包括将基底放置在处理室中并且将包括氢气和氮气的清洁气体引入到处理室中。该方法还包括将碳源引入到处理室中并且在处理室中引发微波等离子体。该方法还包括使基底经受清洁气体和碳源的流动持续预定的时间段以形成石墨烯。

公开(公告)号：CN104362066B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201410459032.8

申请日：2008-06-02

申请人： 应用材料公司

发明人： 卡尔A·索伦森 ,  乔瑟夫·库德拉

IPC分类号： H01J37/32 ,  C23C16/44 ,  H05H1/46

CPC分类号： C23C16/4405 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862 ,  H05H1/46

摘要： 本发明主要包括远程等离子体源和在远程等离子体源中产生等离子体的方法。清洗气体可在远程位置被激发为等离子体并且随后提供到处理腔室。通过在冷却RF线圈外部流动清洗气体，在可高压或低压下并且将高RF偏压施加到线圈而激发等离子体。冷却RF线圈可减少线圈的溅射并从而减少与清洗气体等离子体一起被输送到处理腔室的不期望污染物。减少线圈的溅射可延长远程等离子体源的使用寿命。