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公开(公告)号：CN110047727B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201910040416.9
申请日：2019-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的零部件的清洁方法。等离子体处理装置的零部件的表面包含于划分在腔室内所提供的内部空间的表面。在一实施方式的清洁方法中，在零部件的表面上形成覆膜。构成覆膜的化合物是由于第1气体所含有的第1化合物与第2气体所含有的第2化合物之间的聚合而形成的。第1化合物是异氰酸酯，第2化合物是胺或具有羟基的化合物。在在内部空间中执行了基板处理之后，将因基板处理而在覆膜上形成的堆积物去除。为了去除堆积物，对零部件进行加热以产生构成覆膜的化合物的解聚。
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公开(公告)号：CN110047726A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910039959.9
申请日：2019-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的零部件的清洁方法。在一实施方式的清洁方法中，要清洁的零部件是配置于由等离子体处理装置的处理腔室提供的内部空间中的零部件。在清洁方法中，在零部件的表面上形成覆膜。构成覆膜的化合物是通过第1气体所含有的第1化合物和第2气体所含有的第2化合物之间的聚合而形成的。第1化合物是异氰酸酯，第2化合物是胺或具有羟基的化合物。在内部空间中执行了基板处理之后，使零部件从处理腔室向加热腔室移动。并且，在加热腔室中对零部件进行加热以产生构成覆膜的化合物的解聚。
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公开(公告)号：CN119487613A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380049967.6
申请日：2023-06-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种能够期待估计半导体制造装置的动作状态等的信息处理方法、计算机程序以及信息处理装置。本实施方式所涉及的信息处理方法包括以下处理：在使设置有多个传感器的第一半导体制造装置运转了时，获取所述第一半导体制造装置的运转数据和所述传感器所输出的传感器数据；基于所获取到的所述运转数据和所述传感器数据，通过机器学习来生成根据所述运转数据的输入而输出所述传感器数据的学习模型；以及将所生成的所述学习模型配置于与所述第一半导体制造装置不同的第二半导体制造装置。
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公开(公告)号：CN110047727A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910040416.9
申请日：2019-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的零部件的清洁方法。等离子体处理装置的零部件的表面包含于划分在腔室内所提供的内部空间的表面。在一实施方式的清洁方法中，在零部件的表面上形成覆膜。构成覆膜的化合物是由于第1气体所含有的第1化合物与第2气体所含有的第2化合物之间的聚合而形成的。第1化合物是异氰酸酯，第2化合物是胺或具有羟基的化合物。在在内部空间中执行了基板处理之后，将因基板处理而在覆膜上形成的堆积物去除。为了去除堆积物，对零部件进行加热以产生构成覆膜的化合物的解聚。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104576453B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201410575684.8
申请日：2014-10-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32862 , B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/32091 , H01J37/32477 , H01J37/32642 , H01J2237/334 , H01J2237/3344 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其有效地除去含金属的附着物。该等离子体处理方法，利用含CxFy气体(其中，x为2以下的整数，y为6以下的整数)且不含氯类气体和氮类气体的处理气体的等离子体，除去附着在配置于处理容器的内部的部件上的含过渡金属和贱金属中的至少任一者的附着物。
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公开(公告)号：CN110047726B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201910039959.9
申请日：2019-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的零部件的清洁方法。在一实施方式的清洁方法中，要清洁的零部件是配置于由等离子体处理装置的处理腔室提供的内部空间中的零部件。在清洁方法中，在零部件的表面上形成覆膜。构成覆膜的化合物是通过第1气体所含有的第1化合物和第2气体所含有的第2化合物之间的聚合而形成的。第1化合物是异氰酸酯，第2化合物是胺或具有羟基的化合物。在内部空间中执行了基板处理之后，使零部件从处理腔室向加热腔室移动。并且，在加热腔室中对零部件进行加热以产生构成覆膜的化合物的解聚。
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公开(公告)号：CN105225913B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201510379033.6
申请日：2015-06-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够在步骤切换后使等离子体迅速地稳定从而能够进行适当的等离子体处理的等离子处理装置以及等离子处理方法。控制装置(16)在第一步骤中以第一能量条件来驱动高频波产生源(1)，在第二步骤中以第二能量条件来驱动高频波产生源(1)。在第一步骤与第二步骤的切换时刻之前切换从气体提供供给系统(11)向处理容器(8)内提供供给的气体的种类，将刚切换后的初始期间内的气体流量设定成比经过初始期间后的稳定期间内的气体流量大。
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公开(公告)号：CN105225913A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510379033.6
申请日：2015-06-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01J37/3299
Abstract: 本发明提供一种能够在步骤切换后使等离子体迅速地稳定从而能够进行适当的等离子体处理的等离子处理装置以及等离子处理方法。控制装置(16)在第一步骤中以第一能量条件来驱动高频波产生源(1)，在第二步骤中以第二能量条件来驱动高频波产生源(1)。在第一步骤与第二步骤的切换时刻之前切换从气体提供供给系统(11)向处理容器(8)内提供供给的气体的种类，将刚切换后的初始期间内的气体流量设定成比经过初始期间后的稳定期间内的气体流量大。
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公开(公告)号：CN104576453A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410575684.8
申请日：2014-10-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32862 , B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/32091 , H01J37/32477 , H01J37/32642 , H01J2237/334 , H01J2237/3344 , H01L21/3065 , H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其有效地除去含金属的附着物。该等离子体处理方法，利用含CxFy气体(其中，x为2以下的整数，y为6以下的整数)且不含氯类气体和氮类气体的处理气体的等离子体，除去附着在配置于处理容器的内部的部件上的含过渡金属和贱金属中的至少任一者的附着物。
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