公开(公告)号：CN111527591A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201880078824.7

申请日：2018-12-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  法国国立奥尔良大学

Inventor： 八田浩一 ,  前川薫 ,  佐藤渚 ,  大野久美子 ,  田原慈 ,  雅各·法盖 ,  雷米·杜萨特 ,  托马斯·蒂洛彻 ,  菲利普·勒福舍 ,  盖尔·安托万

IPC: H01L21/3065

Abstract: 等离子体蚀刻方法包括如下工序：物理吸附工序，其边将形成有蚀刻对象膜的被处理体进行冷却，边使基于第1处理气体的吸附物物理吸附于蚀刻对象膜；和，蚀刻工序，其使吸附物与蚀刻对象膜通过第2处理气体的等离子体进行反应，从而对蚀刻对象膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN113966546A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202080041655.7

申请日：2020-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  法国国立奥尔良大学

Inventor： 田原慈 ,  雅各·法盖 ,  前川薫 ,  大野久美子 ,  佐藤渚 ,  雷米·杜萨特 ,  托马斯·蒂洛彻 ,  菲利普·勒福舍 ,  盖尔·安托万

IPC: H01L21/3065

Abstract: 蚀刻方法包括：物理吸附工序，一边将形成有蚀刻对象膜的被处理体进行冷却，一边在第一处理气体的压力比针对被处理体的温度的该第一处理气体的饱和蒸气压小的条件下使基于该第一处理气体的吸附质物理吸附于蚀刻对象膜；以及蚀刻工序，利用第二处理气体的等离子体来使吸附质与蚀刻对象膜进行反应，由此对蚀刻对象膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN105225913B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201510379033.6

申请日：2015-06-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舟久保隆男 ,  芳贺博文 ,  狐塚慎一 ,  小澤亘 ,  坂本晃浩 ,  谷口直树 ,  辻本宏 ,  大野久美子

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够在步骤切换后使等离子体迅速地稳定从而能够进行适当的等离子体处理的等离子处理装置以及等离子处理方法。控制装置(16)在第一步骤中以第一能量条件来驱动高频波产生源(1)，在第二步骤中以第二能量条件来驱动高频波产生源(1)。在第一步骤与第二步骤的切换时刻之前切换从气体提供供给系统(11)向处理容器(8)内提供供给的气体的种类，将刚切换后的初始期间内的气体流量设定成比经过初始期间后的稳定期间内的气体流量大。

公开(公告)号：CN105225913A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510379033.6

申请日：2015-06-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舟久保隆男 ,  芳贺博文 ,  狐塚慎一 ,  小澤亘 ,  坂本晃浩 ,  谷口直树 ,  辻本宏 ,  大野久美子

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/3299

Abstract: 本发明提供一种能够在步骤切换后使等离子体迅速地稳定从而能够进行适当的等离子体处理的等离子处理装置以及等离子处理方法。控制装置(16)在第一步骤中以第一能量条件来驱动高频波产生源(1)，在第二步骤中以第二能量条件来驱动高频波产生源(1)。在第一步骤与第二步骤的切换时刻之前切换从气体提供供给系统(11)向处理容器(8)内提供供给的气体的种类，将刚切换后的初始期间内的气体流量设定成比经过初始期间后的稳定期间内的气体流量大。

公开(公告)号：CN111527591B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN201880078824.7

申请日：2018-12-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  法国国立奥尔良大学

Inventor： 八田浩一 ,  前川薫 ,  佐藤渚 ,  大野久美子 ,  田原慈 ,  雅各·法盖 ,  雷米·杜萨特 ,  托马斯·蒂洛彻 ,  菲利普·勒福舍 ,  盖尔·安托万

IPC: H01L21/3065

Abstract: 等离子体蚀刻方法包括如下工序：物理吸附工序，其边将形成有蚀刻对象膜的被处理体进行冷却，边使基于第1处理气体的吸附物物理吸附于蚀刻对象膜；和，蚀刻工序，其使吸附物与蚀刻对象膜通过第2处理气体的等离子体进行反应，从而对蚀刻对象膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN107221486B

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201710173345.0

申请日：2017-03-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大野久美子 ,  辻本宏 ,  永海幸一

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，执行多次各自包括第一阶段和第二阶段的循环，第一阶段生成含有第一气体的第一处理气体的等离子体，第二阶段生成含有第一气体和第二气体的第二处理气体的等离子体，依照方案自动决定进行第二阶段的期间的开始时刻与来自气体供给系统的第二气体的输出的开始时刻之间的时间差。使用函数或者表确定与第二阶段的第一气体的流量和第二气体的流量对应的延迟时间。来自气体供给系统的第二气体的输出在比第二阶段的开始时刻仅靠前基于延迟时间设定的时间差的量的时刻开始。

公开(公告)号：CN107221486A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201710173345.0

申请日：2017-03-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大野久美子 ,  辻本宏 ,  永海幸一

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32577

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，执行多次各自包括第一阶段和第二阶段的循环，第一阶段生成含有第一气体的第一处理气体的等离子体，第二阶段生成含有第一气体和第二气体的第二处理气体的等离子体，依照方案自动决定进行第二阶段的期间的开始时刻与来自气体供给系统的第二气体的输出的开始时刻之间的时间差。使用函数或者表确定与第二阶段的第一气体的流量和第二气体的流量对应的延迟时间。来自气体供给系统的第二气体的输出在比第二阶段的开始时刻仅靠前基于延迟时间设定的时间差的量的时刻开始。