公开(公告)号：CN105355532B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201510962055.5

申请日：2012-03-30

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大瀬刚

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32697 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/327

摘要： 本发明提供一种基板处理装置以及该基板处理装置的控制方法。上述基板处理装置，包括：内部被减压的处理室；配置在该处理室内、载置基板的载置台；施加等离子体生成用高频电压的第一高频电源；对所述载置台施加偏置电压发生用高频电压、在所述载置台产生偏置电压的第二高频电源；对所述载置台施加矩形波状的直流电压、在所述载置台产生偏置电压的直流电压施加单元；和开关机构，该开关机构配置在所述载置台与所述第二高频电源以及所述直流电压施加单元之间，能够控制所述载置台与所述第二高频电源的连接以及所述载置台与所述直流电压施加单元的连接。

公开(公告)号：CN105374674B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201510484856.5

申请日：2015-08-07

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 石田竜宇 ,  斋藤祐介

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/11553 ,  H01L27/1158

摘要： 本发明涉及多层膜的蚀刻方法。[课题]要求对形成于多层膜的空间的垂直性在被处理体的一部分区域中的劣化进行抑制。[解决手段]多层膜的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的处理容器内使等离子体产生，对多层膜进行蚀刻的工序。在该工序中，由用于向被处理体的中央区域供给气体的第1供给部和用于向该中央区域的外侧的区域供给气体的第2供给部，供给含有氢气、溴化氢气体、含氟气体、烃气体、氢氟烃气体和全氟烃气体的第1处理气体，由第1供给部和第2供给部中的一者，进一步供给包含烃气体和全氟烃气体的第2处理气体，并使第1处理气体和第2处理气体激发。

公开(公告)号：CN106941067A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201610873947.2

申请日：2016-09-30

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 永海幸一 ,  梅原直征 ,  山田纪和

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H05H1/46 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32183 ,  H05H2001/4682

摘要： 本发明根据高频电源的负载侧的阻抗的变动适当且高速地调整高频电力的频率。在一实施方式的方法中，由等离子体处理装置的高频电源开始与第一期间中的功率相比，与该第一期间交替反复的第二期间中的功率设定得小的调制高频电力的输出。接着，取得过去的第一期间内的第一副期间的高频电源的负载侧的阻抗的移动平均值和过去的第一期间内的第二副期间的高频电源的负载侧的阻抗的移动平均值。接着，第一副期间的调制高频电力的频率和第二副期间的调制高频电力的频率根据移动平均值被设定。

公开(公告)号：CN106937476A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201610935541.2

申请日：2013-09-16

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 约翰·C·小瓦尔考 ,  布拉德福德·J·林达克 ,  安德鲁·S·方

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4682 ,  H01J37/32 ,  H01J37/32082

摘要： 本发明涉及边沿缓变，具体描述了用于执行边沿缓变的方法。一种方法包括产生第一射频信号。所述第一射频信号从一种状态渡越到另一种状态。所述第一射频信号从一种状态到另一种状态的所述渡越导致等离子体阻抗的改变。该方法进一步包括产生第二射频信号。所述第二射频信号从一种状态渡越到另一种状态以稳定所述等离子体阻抗的改变。该方法包括当所述第二射频信号从一种状态渡越到另一种状态时，提供参数值用于执行所述第二射频信号的边沿缓变。当所述第二射频信号从一种状态渡越到另一种状态时，提供参数值用于执行所述第二射频信号的边沿缓变，其中执行第二射频信号的边沿缓变以将第二射频信号的渡越速率改变为不同于所述第一射频信号的渡越速率。

公开(公告)号：CN103814431B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201280043595.8

申请日：2012-09-10

申请人： 应用材料公司

发明人： 冲·蒋 ,  秉·圣·利奥·郭 ,  迈克尔·斯托厄尔 ,  卡尔·阿姆斯特朗

IPC分类号： H01L21/203 ,  H01L21/31

CPC分类号： C23C14/345 ,  C23C14/00 ,  C23C14/3471 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3405

摘要： 一种溅射沉积介电薄膜的方法，可包含：在处理腔室中的基板基座上提供基板，所述基板被定位成面向溅射靶材；将来自第一电源的第一射频频率和来自第二电源的第二射频频率同时施加到溅射靶材；和在基板与溅射靶材之间的处理腔室中形成等离子体，用于溅射所述靶材；其中第一射频频率小于第二射频频率，第一射频频率被选择以控制等离子体的离子能量并且第二射频频率被选择以控制等离子体的离子密度。可选择在所述处理腔室之内的表面的自偏压；这是通过在基板基座与地面之间连接阻塞电容器来实现的。

公开(公告)号：CN105103274B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580000336.0

申请日：2015-02-25

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 森口尚树

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32697 ,  C03C15/00 ,  C09K13/00 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/04 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H02N13/00 ,  H05F3/00

摘要： 一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘第2等离子体(PL2)。(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成

公开(公告)号：CN103632914B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201310018419.5

申请日：2013-01-18

申请人： 株式会社日立高新技术

发明人： 森本未知数 ,  大越康雄 ,  大平原勇造 ,  小野哲郎

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

摘要： 本发明提供一种具备供给可宽范围并且高精度地控制的进行了时间调制的高频电力的高频电源的等离子体处理装置以及使用了所述等离子体处理装置的等离子体处理方法。本发明提供一种等离子体处理装置，具备：真空容器；第1高频电源，用于在所述真空容器内生成等离子体；试样台，配置于所述真空容器内来载置试样；以及第2高频电源，对所述试样台供给高频电力，所述等离子体处理装置的特征在于：所述第1高频电源或者所述第2高频电源的至少某一个供给进行了时间调制的高频电力，控制所述时间调制的参数中的一个具有2个以上的不同的控制范围，所述控制范围中的一个是用于进行高精度的控制的控制范围。

公开(公告)号：CN104103486B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310330382.X

申请日：2013-08-01

申请人： 株式会社日立高新技术

发明人： 武藤悟 ,  小野哲郎 ,  大越康雄 ,  永德宏文

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32137 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L29/66795

摘要： 本发明提供一种随着等离子体处理时间的经过，使等离子体的离解状态逐渐地变化，从而能够进行期望的等离子体处理的等离子体处理方法以及等离子体处理装置。在本发明中，在使用具备对试样进行等离子体处理的等离子体处理室、供给等离子体生成用的第一高频电力的第一高频电源、以及对载置所述试样的试样台供给第二高频电力的第二高频电源的等离子体处理装置的等离子体处理方法中，通过第一脉冲对所述第一高频电力进行调制，通过随着等离子体处理时间的经过逐渐地控制所述第一脉冲的占空比，将等离子体的离解状态控制为期望的离解状态。

公开(公告)号：CN104025266B

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201280064757.6

申请日：2012-12-13

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社大亨

发明人： 山田纪和 ,  立川俊文 ,  永海幸一 ,  池成达也 ,  前原大辅

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23C16/509 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32155 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/515 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H05H2001/4682

摘要： 本发明能够简便且可靠地防止对开关方式的高频电源进行电力调制时在高频供电线上发生RF电力拖尾现象。该电容耦合型的等离子体处理装置，在真空腔室(10)内使基座(下部电极)(16)与兼作喷头的上部电极(46)相对配置。基座(16)分别经由匹配器(40、42)与第1和第2高频电源(36、38)电连接。第1高频电源(36)由线性放大器方式的高频电源构成，输出等离子体生成用的第1高频(RF1)。第2高频电源(38)由开关方式的高频电源构成，输出离子引入用的第2高频(RF2)。第2高频电源(38)侧的高频供电线(43)与残留高频除去部(74)连接。

公开(公告)号：CN102810447B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201210177708.5

申请日：2012-05-31

申请人： 细美事有限公司

发明人： 文商玟 ,  金斗淳 ,  梁大贤

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532

摘要： 提供了一种处理基板的设备。该处理基板的设备可包括：工艺腔室，所述工艺腔室中形成有空间，卡盘，所述卡盘被放置在所述工艺腔室中并且支撑基板，气体供应单元，所述气体供应单元将反应气体供应到工艺腔室内，上电极，所述上电极被放置在所述卡盘上方并且向反应气体施加高频功率，和加热器，所述加热器安装在所述上电极中并且加热所述上电极。