-
公开(公告)号：CN111916350B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201810959062.3
申请日：2018-08-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 斋藤祐介
IPC: H01L21/3065 , H01L21/768 , H10B41/35 , H10B41/20 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在维持规定的蚀刻特性的同时抑制电弧放电的蚀刻方法和蚀刻处理装置。所述蚀刻方法向处理容器内供给气体、第一频率的高频电力以及比该第一频率低的第二频率的高频电力，来对形成于为浮动电位的电极层的上层的含硅膜进行蚀刻，所述蚀刻方法包括以下工序：当蚀刻所述含硅膜而得到的图案的底部距所述电极层的距离为规定的距离以下时，供给连续波形的所述第一频率的高频电力和占空比为20％以下的脉冲波形的所述第二频率的高频电力，来对所述含硅膜进行蚀刻。
-
公开(公告)号：CN109659216B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201811183235.3
申请日：2018-10-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置、聚焦环的升降控制方法和聚焦环的升降控制程序。第一载置台(2)用于载置作为等离子体处理对象的晶片(W)。升降机构(120)使载置于晶片(W)周围的聚焦环(5)升降。获取部获取通过测定晶片(W)的状态而得的状态信息。计算部基于获取的状态信息所表示的晶片(W)的状态，计算使晶片(W)的上表面与聚焦环(5)的上表面的位置关系成为预先设定的距离间隔的聚焦环(5)的高度。升降控制部控制升降机构(120)，使聚焦环5成为计算出的高度。由此，能够抑制对被处理体进行等离子体处理的均匀性降低。
-
公开(公告)号：CN109659216A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811183235.3
申请日：2018-10-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置、聚焦环的升降控制方法和聚焦环的升降控制程序。第一载置台(2)用于载置作为等离子体处理对象的晶片(W)。升降机构(120)使载置于晶片(W)周围的聚焦环(5)升降。获取部获取通过测定晶片(W)的状态而得的状态信息。计算部基于获取的状态信息所表示的晶片(W)的状态，计算使晶片(W)的上表面与聚焦环(5)的上表面的位置关系成为预先设定的距离间隔的聚焦环(5)的高度。升降控制部控制升降机构(120)，使聚焦环5成为计算出的高度。由此，能够抑制对被处理体进行等离子体处理的均匀性降低。
-
公开(公告)号：CN105374756B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201510484931.8
申请日：2015-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及多层膜的蚀刻方法。[课题]在多层膜的蚀刻中，可以抑制掩模开口的闭塞且提高形成于多层膜的空间的垂直性。[解决手段]多层膜包含交替层叠的第1膜和第2膜且第1膜和第2膜具有相互不同的介电常数。多层膜的蚀刻方法包括以下工序：(a)在等离子体处理装置的处理容器内准备被处理体的工序，所述被处理体具有多层膜和设置于该多层膜上的掩模；以及(b)对多层膜进行蚀刻的工序，并且在该工序中使含有氢气、氢氟烃气体、含氟气体、烃气体、三氯化硼气体和氮气的处理气体在所述处理容器内激发。
-
公开(公告)号：CN102683247B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210072681.3
申请日：2012-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , C23C16/4585 , H01J37/32091 , H01J37/32522 , H01J37/32642 , H01J2237/3343 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L21/68721 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法，其为如下所述的技术：在基板的等离子体蚀刻中，对于蚀刻，能获得较高的面内均匀性。预先把握能对形成在晶圆(W)上的多层膜(7)的各膜进行面内均匀性较高的蚀刻的、适当的聚焦环(3)的温度，并作为设定温度反映在处理制程程序(64)中，并且针对被连续蚀刻的各膜、使聚焦环(3)的温度处于包括聚焦环(3)的设定温度的适当的温度范围内的方式控制加热机构及冷却机构。另外，作为聚焦环(3)的加热机构，利用由激光产生的热辐射。另外，在聚焦环(3)的冷却中，不借助作为热介质的加热器而是构成为使聚焦环(3)的热量向支承台(2)散发掉，使加热机构与冷却机构相互独立并分开。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110546744B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201880025732.2
申请日：2018-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/76 , H01L21/768
Abstract: 本发明的课题是提供一种技术：在基板上形成包含氧化硅的绝缘膜作为涂布膜时，可获得良好的膜质。本发明的成膜方法的特征在于，将包含聚硅氮烷的涂布液涂布在晶圆W上，并使涂布液的溶剂挥发后，在进行固化工序之前，在氮气气氛下对前述涂布膜照射紫外线。因此，在聚硅氮烷的被水解的部位容易生成悬挂键。因此，由于在作为预先被水解的部位的硅中生成悬挂键，因此羟基的生成效率变高。即，由于水解所需的能量降低，因此，即使在将固化工序的温度设为350℃时，未被水解而残留的部位也会变少。其结果，由于有效地发生脱水缩合，因此交联率提高，从而能够成膜致密的(为良好的膜质)绝缘膜。
-
公开(公告)号：CN116782480A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310220734.X
申请日：2023-03-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种预测方法和信息处理装置，预测等离子体蚀刻处理的处理结果。预测方法包括计算工序和预测工序。在计算工序中，计算对配置于腔室内的基板实施了等离子体蚀刻处理时的腔室内的磁场的空间分布值与针对基板进行的等离子体蚀刻处理的处理结果之间的相关关系。在预测工序中，基于计算出的相关关系，根据腔室内的磁场的空间分布值来预测针对基板进行的等离子体蚀刻处理的处理结果。
-
公开(公告)号：CN113903647A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202110743919.X
申请日：2021-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供边缘环和蚀刻装置。提供能够抑制边缘环的内周部的消耗的边缘环。一种边缘环，其围绕在被等离子体处理腔室内的基板支承部支承着的被蚀刻物的外周，其中，所述边缘环具有自外周部朝向内周部去而变低的倾斜面，将位于所述倾斜面上的比距离所述边缘环的最内周和最外周为等距离的中间线靠内周部的地点Xa处的等离子体处理前的所述边缘环的厚度设为T1，将位于所述倾斜面上的比所述中间线靠外周的地点Xb处的等离子体处理前的所述边缘环的厚度设为T2，将所述地点Xa处的等离子体处理后的所述边缘环的厚度设为T3，将所述地点Xb处的等离子体处理后的所述边缘环的厚度设为T4，此时，满足T2/T1＞T4/T3的关系。
-
公开(公告)号：CN111916350A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201810959062.3
申请日：2018-08-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 斋藤祐介
IPC: H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在维持规定的蚀刻特性的同时抑制电弧放电的蚀刻方法和蚀刻处理装置。所述蚀刻方法向处理容器内供给气体、第一频率的高频电力以及比该第一频率低的第二频率的高频电力，来对形成于为浮动电位的电极层的上层的含硅膜进行蚀刻，所述蚀刻方法包括以下工序：当蚀刻所述含硅膜而得到的图案的底部距所述电极层的距离为规定的距离以下时，供给连续波形的所述第一频率的高频电力和占空比为20％以下的脉冲波形的所述第二频率的高频电力，来对所述含硅膜进行蚀刻。
-
公开(公告)号：CN105390387B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201510542329.5
申请日：2015-08-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供对具有通过交替设置氧化硅膜和氮化硅膜而构成的多层膜的第一区域和具有单层的氧化硅膜的第二区域进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：在收纳有被处理体的处理容器内生成包含氢氟烃气体的第一处理气体的等离子体的步骤；和在该处理容器内生成包含碳氟化合物气体的第二处理气体的等离子体的步骤。在该方法中，交替反复进行生成第一处理气体的等离子体的步骤和生成第二处理气体的等离子体的步骤。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.024 seconds)
