公开(公告)号：CN110546744B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201880025732.2

申请日：2018-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村松诚 ,  斋藤祐介 ,  源岛久志 ,  藤井宽之

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的课题是提供一种技术：在基板上形成包含氧化硅的绝缘膜作为涂布膜时，可获得良好的膜质。本发明的成膜方法的特征在于，将包含聚硅氮烷的涂布液涂布在晶圆W上，并使涂布液的溶剂挥发后，在进行固化工序之前，在氮气气氛下对前述涂布膜照射紫外线。因此，在聚硅氮烷的被水解的部位容易生成悬挂键。因此，由于在作为预先被水解的部位的硅中生成悬挂键，因此羟基的生成效率变高。即，由于水解所需的能量降低，因此，即使在将固化工序的温度设为350℃时，未被水解而残留的部位也会变少。其结果，由于有效地发生脱水缩合，因此交联率提高，从而能够成膜致密的(为良好的膜质)绝缘膜。

公开(公告)号：CN110546744A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880025732.2

申请日：2018-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村松诚 ,  斋藤祐介 ,  源岛久志 ,  藤井宽之

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的课题是提供一种技术：在基板上形成包含氧化硅的绝缘膜作为涂布膜时，可获得良好的膜质。本发明的成膜方法的特征在于，将包含聚硅氮烷的涂布液涂布在晶圆W上，并使涂布液的溶剂挥发后，在进行固化工序之前，在氮气气氛下对前述涂布膜照射紫外线。因此，在聚硅氮烷的被水解的部位容易生成悬挂键。因此，由于在作为预先被水解的部位的硅中生成悬挂键，因此羟基的生成效率变高。即，由于水解所需的能量降低，因此，即使在将固化工序的温度设为350℃时，未被水解而残留的部位也会变少。其结果，由于有效地发生脱水缩合，因此交联率提高，从而能够成膜致密的(为良好的膜质)绝缘膜。

公开(公告)号：CN116964715A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280019898.X

申请日：2022-02-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤井宽之 ,  冈田聪一郎 ,  井户泰幸 ,  村松诚 ,  吉田圭佑 ,  宫原奈乃华

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明的基片处理方法包括：在形成于基片上的旋涂碳膜上形成碳化硅膜的步骤；和在上述碳化硅膜上形成EUV用的化学放大型的抗蚀剂膜的步骤。

公开(公告)号：CN115066742A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202180013830.6

申请日：2021-02-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤祐介 ,  村松诚 ,  藤井宽之

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的对基片进行处理的基片处理方法包括：将包含有机金属配合物、溶剂和添加物的涂敷液涂敷于基片，形成上述涂敷液的液膜的步骤；对形成有上述涂敷液的液膜的基片进行加热，形成含有机成分的金属氧化膜的步骤，其中，上述含有机成分的金属氧化膜是包含上述添加物中所含的有机成分的金属氧化膜；将上述含有机成分的金属氧化膜作为掩模进行干蚀刻的步骤；在上述干蚀刻后，将上述含有机成分的金属氧化膜中的上述有机成分除去的步骤；和将从上述含有机成分的金属氧化膜中除去了上述有机成分的膜通过湿蚀刻除去的步骤。