公开(公告)号：CN112585721B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN201980053577.X

申请日：2019-08-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 志村悟 ,  冈田聪一郎 ,  榎本正志 ,  八重樫英民

IPC: H01L21/027 ,  B05D1/38 ,  B05D3/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/38

Abstract: 本发明的对处理对象基片进行处理的基片处理方法，包括如下所述的工序：在形成于上述处理对象基片的基片表面的基底膜上涂敷用于形成抗蚀剂膜的抗蚀剂液之前，在上述基底膜的极性比上述抗蚀剂液的极性高的情况下，进行使上述基底膜的极性降低的处理，在上述基底膜的极性比上述抗蚀剂液的极性低的情况下，进行使上述基底膜的极性升高的处理。

公开(公告)号：CN117850175A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311251986.5

申请日：2023-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川上真一路 ,  吉原孝介 ,  志村悟 ,  桑原雄平 ,  鬼塚智也 ,  冈田聪一郎 ,  古庄彻成

IPC: G03F7/38

Abstract: 本发明提供能够抑制含金属抗蚀剂的覆膜的灵敏度降低，并且提高含金属抗蚀剂的图案的粗糙度的基片处理方法、基片处理装置和计算机存储介质。本发明的基片处理方法包括：对形成有含金属抗蚀剂的覆膜并实施了曝光处理的基片实施第一加热处理，在所述覆膜的曝光区域中使所述含金属抗蚀剂前体化的步骤；之后，对所述基片实施第二加热处理，在所述覆膜的曝光区域中使前体化了的所述含金属抗蚀剂缩合的步骤；和之后，对所述基片实施显影处理的步骤。

公开(公告)号：CN117501416A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202280042692.9

申请日：2022-06-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田聪一郎

IPC: H01L21/308

Abstract: 一种基片处理方法，其包括：对从下方起依次层叠有有机膜、含硅无机膜和抗蚀剂图案的基片照射紫外线，使所述抗蚀剂图案不溶于磷酸液的不溶化步骤；在所述不溶化步骤后，对所述基片供给所述磷酸液，将从所述抗蚀剂图案露出的所述含硅无机膜除去的除去步骤；和在所述除去步骤后，对所述基片进行蚀刻处理，将所述抗蚀剂图案转印到所述有机膜的步骤。

公开(公告)号：CN116964715A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280019898.X

申请日：2022-02-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤井宽之 ,  冈田聪一郎 ,  井户泰幸 ,  村松诚 ,  吉田圭佑 ,  宫原奈乃华

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明的基片处理方法包括：在形成于基片上的旋涂碳膜上形成碳化硅膜的步骤；和在上述碳化硅膜上形成EUV用的化学放大型的抗蚀剂膜的步骤。

公开(公告)号：CN118800646A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410401377.1

申请日：2024-04-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 内藤亮一郎 ,  川上真一路 ,  鬼塚智也 ,  冈田聪一郎 ,  志村悟

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/67 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种热处理方法、热处理装置以及计算机存储介质，能够抑制来自基板上的含金属的抗蚀剂的包含金属的升华物对基板或装置的污染，并且对基板进行良好的热处理。用于对形成有含金属的抗蚀剂的覆膜、且被进行了曝光处理的基板进行加热处理的热处理方法包括持续规定时间地以不会从所述含金属的抗蚀剂的覆膜产生包含金属的升华物的加热温度对所述基板进行加热的加热工序，在所述加热工序中，将二氧化碳和水分中的至少任一方的浓度相比于大气而言高的、用于促进所述含金属的抗蚀剂的覆膜内的反应的反应性流体供给到所述基板的周围的处理空间。

公开(公告)号：CN118377199A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410029503.5

申请日：2024-01-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 下青木刚 ,  A·A·J·多安道尔费尔 ,  吉田圭佑 ,  川上真一路 ,  龟井佑矢 ,  冈田聪一郎 ,  丹羽崇文

IPC: G03F7/40

Abstract: 本发明提供能够获得无机抗蚀剂的良好图案的基片处理方法、计算机存储介质和基片处理装置。基片处理方法包括：利用显影液对在基底膜之上形成无机抗蚀剂的覆膜后实施了曝光处理的基片进行显影，形成上述无机抗蚀剂的图案的工序；向显影后的上述基片供给埋入液，使埋入液填充在上述图案中的相邻的凸部之间的工序；使填充了的上述埋入液干燥，在上述基片上形成埋入膜的工序；和利用紫外线来减小上述埋入膜的厚度的工序。

公开(公告)号：CN112585721A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201980053577.X

申请日：2019-08-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 志村悟 ,  冈田聪一郎 ,  榎本正志 ,  八重樫英民

IPC: H01L21/027 ,  B05D1/38 ,  B05D3/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/38

Abstract: 本发明的对处理对象基片进行处理的基片处理方法，包括如下所述的工序：在形成于上述处理对象基片的基片表面的基底膜上涂敷用于形成抗蚀剂膜的抗蚀剂液之前，在上述基底膜的极性比上述抗蚀剂液的极性高的情况下，进行使上述基底膜的极性降低的处理，在上述基底膜的极性比上述抗蚀剂液的极性低的情况下，进行使上述基底膜的极性升高的处理。