公开(公告)号：CN105023863A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510217206.4

申请日：2015-04-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井户泰幸 ,  新藤尚树 ,  折居武彦 ,  江头佳祐 ,  八谷洋介 ,  大石幸太郎 ,  河野央 ,  下村伸一郎

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供能够降低因喷嘴内的水解劣化而导致的甲硅烷基化液的废弃量的基板液处理装置和基板液处理方法。通过向喷嘴(43)内的甲硅烷基化液流路(431)供给阻隔流体，从而利用在比位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液靠近喷出口(434)的一侧存在的阻隔流体将位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液与喷出口的外部的气氛阻隔开。

公开(公告)号：CN105023863B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201510217206.4

申请日：2015-04-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井户泰幸 ,  新藤尚树 ,  折居武彦 ,  江头佳祐 ,  八谷洋介 ,  大石幸太郎 ,  河野央 ,  下村伸一郎

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供能够降低因喷嘴内的水解劣化而导致的甲硅烷基化液的废弃量的基板液处理装置和基板液处理方法。通过向喷嘴(43)内的甲硅烷基化液流路(431)供给阻隔流体，从而利用在比位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液靠近喷出口(434)的一侧存在的阻隔流体将位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液与喷出口的外部的气氛阻隔开。

公开(公告)号：CN116964715A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280019898.X

申请日：2022-02-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤井宽之 ,  冈田聪一郎 ,  井户泰幸 ,  村松诚 ,  吉田圭佑 ,  宫原奈乃华

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明的基片处理方法包括：在形成于基片上的旋涂碳膜上形成碳化硅膜的步骤；和在上述碳化硅膜上形成EUV用的化学放大型的抗蚀剂膜的步骤。