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公开(公告)号：CN118402046A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280082834.4
申请日：2022-12-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/677
Abstract: 基板处理装置具备：批处理部，其具有多个批处理单元，各个批处理单元用于在贮存于处理槽内的处理液中对多个基板一并实施液处理；单片处理部，其对由批处理部处理后的基板逐张地实施处理；待机部，其使由批处理部处理后的基板在浸渍槽内的浸渍液中等待；以及搬送系统，其从待机部向单片处理部搬送基板，所述搬送系统包括用于将基板从浸渍液中逐张地取出的第一基板搬送单元。待机部对基板进行第一液处理和第二液处理中的至少一方，所述第一液处理是使基板表面亲水化的液处理、或者是提高或维持表面的亲水性的液处理，所述第二液处理是使基板表面的电动电位为负的液处理。
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公开(公告)号：CN109686681B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201811222568.2
申请日：2018-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备处理部和控制部。处理部使基板浸在包含磷酸和含硅化合物的处理液中来进行蚀刻处理。控制部以如下方式控制处理液，该方式是：在蚀刻处理的第一处理时间，利用第一磷酸浓度及第一硅浓度的处理液对基板进行处理，在第一处理时间之后的第二处理时间，利用比第一磷酸浓度低的第二规定磷酸浓度及比第一硅浓度低的第二规定硅浓度的处理液或者第二规定磷酸浓度及第一硅浓度的处理液对基板进行处理。
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公开(公告)号：CN105321804A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510463686.2
申请日：2015-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , JSR株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决手段]本实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、和去除液供给工序。成膜处理液供给工序向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于上述有机溶剂中的聚合物。去除液供给工序对处理膜供给去除处理膜的去除液，所述处理膜是成膜处理液在基板上固化或硬化而成的。
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公开(公告)号：CN111524808B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010079765.4
申请日：2020-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种即使为高层叠有氮化硅膜和氧化硅膜的基板也能够得到氧化硅膜的良好的图案形状的基板处理方法和基板处理装置，本公开的一个方式的基板处理方法包括第一蚀刻工序、加工工序以及第二蚀刻工序。第一蚀刻工序通过蚀刻液对形成有氧化硅膜和氮化硅膜的基板进行蚀刻。加工工序在第一蚀刻工序之后通过图案形状加工液对在基板中由氧化硅膜形成的图案进行加工。第二蚀刻工序在加工工序之后通过蚀刻液对基板进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN110265325B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201910477249.4
申请日：2015-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109698142B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201811214795.0
申请日：2018-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，其能够缩短蚀刻处理时间。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、混合部以及供给线路。基板处理槽用于利用蚀刻液进行蚀刻处理。混合部将新液与含硅化合物或含有含硅化合物的液体混合。供给线路用于向基板处理槽供给通过混合部进行混合所得的混合液。
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公开(公告)号：CN111524808A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010079765.4
申请日：2020-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种即使为高层叠有氮化硅膜和氧化硅膜的基板也能够得到氧化硅膜的良好的图案形状的基板处理方法和基板处理装置，本公开的一个方式的基板处理方法包括第一蚀刻工序、加工工序以及第二蚀刻工序。第一蚀刻工序通过蚀刻液对形成有氧化硅膜和氮化硅膜的基板进行蚀刻。加工工序在第一蚀刻工序之后通过图案形状加工液对在基板中由氧化硅膜形成的图案进行加工。第二蚀刻工序在加工工序之后通过蚀刻液对基板进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN105321804B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201510463686.2
申请日：2015-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , JSR株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决手段]本实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、和去除液供给工序。成膜处理液供给工序向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于上述有机溶剂中的聚合物。去除液供给工序对处理膜供给去除处理膜的去除液，所述处理膜是成膜处理液在基板上固化或硬化而成的。
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公开(公告)号：CN103515220B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310230866.7
申请日：2013-06-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02057 , G03F7/423 , H01L21/31133 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在不对基板的基底层造成损伤的情况下良好地将去除对象层去除。在本发明中，基板处理装置（1）用于向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板（3）供给硫酸与过氧化氢水的混合液而将去除对象层去除，包括：基板处理室（16），用于处理基板；基板保持部件（12），设于基板处理室内，用于保持基板；混合液供给部件（13），用于以不会对基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比向由基板保持部件保持着的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液；OH基供给部件（14），用于向基板供给含有OH基的流体，OH基供给部件供给含有在混合液与OH基在基板上混合时不会对基底层造成损伤的量的OH基的流体。
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公开(公告)号：CN109698143B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN201811219721.6
申请日：2018-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。实施方式的基片处理装置包括基片处理槽和控制部。基片处理槽通过将基片浸渍在磷酸处理液中，来进行蚀刻处理。控制部随着蚀刻处理的进展，控制用于对磷酸处理液进行温度调节的温度调节部，来降低磷酸处理液的温度。本发明能够抑制硅氧化物析出。
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