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公开(公告)号：CN111524808B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010079765.4
申请日：2020-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种即使为高层叠有氮化硅膜和氧化硅膜的基板也能够得到氧化硅膜的良好的图案形状的基板处理方法和基板处理装置，本公开的一个方式的基板处理方法包括第一蚀刻工序、加工工序以及第二蚀刻工序。第一蚀刻工序通过蚀刻液对形成有氧化硅膜和氮化硅膜的基板进行蚀刻。加工工序在第一蚀刻工序之后通过图案形状加工液对在基板中由氧化硅膜形成的图案进行加工。第二蚀刻工序在加工工序之后通过蚀刻液对基板进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN107492511B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201710414430.1
申请日：2017-06-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。不改变磷酸水溶液的浓度地将磷酸水溶液的沸腾状态保持固定，实现蚀刻均匀性。基板液处理装置(1)具有液处理部(39)、处理液循环线(42)以及调整设置于液处理部(39)的处理槽(34)的沸腾状态检测部(70)。控制部(7)基于来自沸腾状态检测部(70)的信号对处理液循环线(42)的供给泵(51)进行控制来对供给的流路内的磷酸水溶液的压力进行调整，从而将磷酸水溶液的沸腾状态调整为期望的状态。
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公开(公告)号：CN109698142B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201811214795.0
申请日：2018-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，其能够缩短蚀刻处理时间。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、混合部以及供给线路。基板处理槽用于利用蚀刻液进行蚀刻处理。混合部将新液与含硅化合物或含有含硅化合物的液体混合。供给线路用于向基板处理槽供给通过混合部进行混合所得的混合液。
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公开(公告)号：CN111696889A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010134070.1
申请日：2020-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种混合装置、混合方法以及基板处理系统。高效地混合磷酸水溶液和抑制硅氧化物的沉积的添加剂。本公开的一个方式的混合装置具备磷酸水溶液供给部、添加剂供给部、罐、磷酸水溶液供给线路以及添加剂供给线路。磷酸水溶液供给部用于供给磷酸水溶液。添加剂供给部用于供给抑制硅氧化物的沉积的添加剂。磷酸水溶液供给线路将磷酸水溶液供给部与罐连接。添加剂供给线路将添加剂供给部与罐连接。另外，混合装置一边对从磷酸水溶液供给部供给到罐的磷酸水溶液提供流动性，一边供给添加剂。
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公开(公告)号：CN111524808A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010079765.4
申请日：2020-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种即使为高层叠有氮化硅膜和氧化硅膜的基板也能够得到氧化硅膜的良好的图案形状的基板处理方法和基板处理装置，本公开的一个方式的基板处理方法包括第一蚀刻工序、加工工序以及第二蚀刻工序。第一蚀刻工序通过蚀刻液对形成有氧化硅膜和氮化硅膜的基板进行蚀刻。加工工序在第一蚀刻工序之后通过图案形状加工液对在基板中由氧化硅膜形成的图案进行加工。第二蚀刻工序在加工工序之后通过蚀刻液对基板进行蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114127908B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202080051958.7
申请日：2020-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306 , H01L21/304
Abstract: 一种基板处理装置，具有：液处理部，其包括将基板水平地保持的基板保持部以及从被所述基板保持部保持的状态的所述基板的上方对该基板供给处理液的液供给部；液制作部，其制作在所述液处理部中使用的处理液；以及控制部，其控制所述液供给部和所述液制作部，其中，所述控制部控制所述液供给部来设为使从所述液供给部朝向所述基板的所述处理液的铅垂方向的流速比沿所述基板的上表面流动的所述处理液的水平方向流速快的所述处理液的供给速度。
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公开(公告)号：CN118402046A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280082834.4
申请日：2022-12-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/677
Abstract: 基板处理装置具备：批处理部，其具有多个批处理单元，各个批处理单元用于在贮存于处理槽内的处理液中对多个基板一并实施液处理；单片处理部，其对由批处理部处理后的基板逐张地实施处理；待机部，其使由批处理部处理后的基板在浸渍槽内的浸渍液中等待；以及搬送系统，其从待机部向单片处理部搬送基板，所述搬送系统包括用于将基板从浸渍液中逐张地取出的第一基板搬送单元。待机部对基板进行第一液处理和第二液处理中的至少一方，所述第一液处理是使基板表面亲水化的液处理、或者是提高或维持表面的亲水性的液处理，所述第二液处理是使基板表面的电动电位为负的液处理。
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公开(公告)号：CN109686681B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201811222568.2
申请日：2018-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备处理部和控制部。处理部使基板浸在包含磷酸和含硅化合物的处理液中来进行蚀刻处理。控制部以如下方式控制处理液，该方式是：在蚀刻处理的第一处理时间，利用第一磷酸浓度及第一硅浓度的处理液对基板进行处理，在第一处理时间之后的第二处理时间，利用比第一磷酸浓度低的第二规定磷酸浓度及比第一硅浓度低的第二规定硅浓度的处理液或者第二规定磷酸浓度及第一硅浓度的处理液对基板进行处理。
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公开(公告)号：CN107017160B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201610849288.9
申请日：2016-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板液处理装置和基板液处理方法。基板液处理装置能够利用处理液对基板均匀地进行处理。在本发明中，基板液处理装置具有：处理槽，其用于将多个基板以排列的状态浸渍于处理液来进行处理；以及处理液供给喷嘴，其在所述处理槽的内部配置于所述基板的下方，在沿着所述基板的排列方向延伸的管体形成有用于喷出所述处理液的喷出口，所述喷出口形成有第1侧面和第2侧面，第1侧面和第2侧面在与所述基板的排列方向正交的水平方向上隔开间隔，所述第1侧面和/或所述第2侧面的外侧端缘设于比从所述管体的中心沿着径向使内侧端缘延伸而得的位置（B1、D1）朝向水平方向地向外侧打开的位置（A1、C1）。
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公开(公告)号：CN111696891A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010160379.8
申请日：2020-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置、混合方法和基片处理方法。本发明的一方式的基片处理装置包括处理槽、混合装置、送液路径和硅溶液供给部。处理槽用于浸渍基片来对其进行处理。混合装置将磷酸水溶液和抑制硅氧化物的析出的添加剂混合来生成混合液。送液路径从混合装置向处理槽输送混合液。硅溶液供给部与送液路径和处理槽中的至少一者连接，向从混合装置供给的混合液供给含硅化合物水溶液。由此，能够适当地实施用含有磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液所进行的蚀刻处理。
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