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公开(公告)号：CN106796875B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201580054389.0
申请日：2015-10-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种基板处理方法，进行以下工序：液体处理工序，利用处理液对基板进行液体处理；冲洗处理工序，利用冲洗液对进行液体处理后的所述基板进行冲洗处理；以及疏水处理工序，利用疏水化液对进行冲洗处理后的所述基板进行疏水处理，接着，进行清洗处理工序，利用功能水对进行疏水处理后的所述基板进行清洗处理，之后，进行乙醇处理工序，使乙醇接触进行清洗处理后的所述基板，之后，进行干燥处理工序，使所述基板干燥。通过清洗处理工序来去除残留在进行疏水处理后的基板的表面的杂质。
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公开(公告)号：CN103377882A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310145382.2
申请日：2013-04-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02076 , G03F7/423 , H01L21/31133 , H01L21/6708
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，在SPM处理中兼顾抗蚀剂膜的去除效率的提高和膜损耗的降低。基板处理方法包括以下工序：通过将加热后的硫酸和过氧化氢水混合而生成充分含有具有抗蚀剂膜剥离效果的卡罗酸的第1温度的SPM液；在生成上述第1温度的SPM液的工序之后，将上述SPM液冷却到具有膜损耗降低效果的第2温度；以及通过使上述第2温度的SPM液接触抗蚀剂膜而去除抗蚀剂膜。
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公开(公告)号：CN111696889B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202010134070.1
申请日：2020-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种混合装置、混合方法以及基板处理系统。高效地混合磷酸水溶液和抑制硅氧化物的沉积的添加剂。本公开的一个方式的混合装置具备磷酸水溶液供给部、添加剂供给部、罐、磷酸水溶液供给线路以及添加剂供给线路。磷酸水溶液供给部用于供给磷酸水溶液。添加剂供给部用于供给抑制硅氧化物的沉积的添加剂。磷酸水溶液供给线路将磷酸水溶液供给部与罐连接。添加剂供给线路将添加剂供给部与罐连接。另外，混合装置一边对从磷酸水溶液供给部供给到罐的磷酸水溶液提供流动性，一边供给添加剂。
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公开(公告)号：CN111696891B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202010160379.8
申请日：2020-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置、混合方法和基片处理方法。本发明的一方式的基片处理装置包括处理槽、混合装置、送液路径和硅溶液供给部。处理槽用于浸渍基片来对其进行处理。混合装置将磷酸水溶液和抑制硅氧化物的析出的添加剂混合来生成混合液。送液路径从混合装置向处理槽输送混合液。硅溶液供给部与送液路径和处理槽中的至少一者连接，向从混合装置供给的混合液供给含硅化合物水溶液。由此，能够适当地实施用含有磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液所进行的蚀刻处理。
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公开(公告)号：CN108538750B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201810167755.9
申请日：2018-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种提高基板处理的面内均匀性的基板处理装置和基板处理方法。实施方式所涉及的基板处理装置具备保持部、旋转机构、喷嘴、移动机构以及控制部。保持部将基板水平保持。旋转机构用于使保持部旋转。喷嘴对由保持部保持着的基板供给蚀刻液。移动机构用于使喷嘴移动。控制部对旋转机构和移动机构进行控制，来执行扫描处理，在该扫描处理中，一边从喷嘴对进行旋转的基板供给蚀刻液，一边使喷嘴在基板上方的第一位置与比第一位置靠基板的外周侧的第二位置之间进行往复运动。另外，控制部一边变更第一位置一边多次执行扫描处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106796876B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201580054445.0
申请日：2015-10-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种基板液体处理方法，进行以下工序：液体处理工序，利用处理液对基板进行液体处理；冲洗处理工序，利用冲洗液对进行液体处理后的所述基板进行冲洗处理；以及疏水处理工序，利用疏水化液对进行冲洗处理后的所述基板进行疏水处理，接着，进行以下工序：置换处理工序，利用置换促进液对进行疏水处理后的所述基板进行置换处理；以及清洗处理工序，利用清洗液对进行疏水处理后的所述基板进行清洗处理，之后，进行干燥处理工序，利用挥发性比所述清洗液的挥发性高的干燥液来置换所述清洗液，并且将所述干燥液从所述基板去除。能够防止进行干燥处理时图案损坏，并且能够减少因水印产生的微粒。
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公开(公告)号：CN115621160A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210797344.4
申请日：2022-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，抑制伴随微粒向基板上附着而产生的图案倒塌。本公开的基板处理装置是对湿润的状态下的多个基板统一地进行干燥处理的基板处理装置。实施方式所涉及的基板处理装置具备腔室、保持部、疏水化剂喷嘴、第一有机溶剂喷嘴、第二有机溶剂喷嘴以及排气口。腔室具有能够收容多个基板的气密空间。保持部使多个基板在气密空间中的用于贮存液体的贮存区域与气密空间中的位于贮存区域的上方的干燥区域之间进行升降。疏水化剂喷嘴对干燥区域供给疏水化剂的蒸气。第一有机溶剂喷嘴从干燥区域朝向贮存区域供给有机溶剂。第二有机溶剂喷嘴对干燥区域供给有机溶剂的蒸气。排气口将气密空间内的气体排出。
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公开(公告)号：CN113725121A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110559784.1
申请日：2021-05-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法。适当地实施利用包含磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液进行的蚀刻处理。本公开的一个方式的基板处理装置具备处理槽、混合装置、送液路径以及控制部。处理槽使基板浸渍于处理液来对基板进行处理。混合装置将磷酸水溶液与添加剂混合来生成成为处理液的原料的混合液。送液路径将混合液从混合装置送到处理槽。控制部控制各部。另外，控制部使得将混合装置中磷酸浓度变为比被供给到混合装置时的第一浓度高的第二浓度的混合液从混合装置输送到正在对基板进行浸渍处理的处理槽。
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公开(公告)号：CN106449470B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201610633367.6
申请日：2016-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 野中纯
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供基板液处理装置和基板液处理方法。基板中心部不会暴露在周围气氛中，自一喷嘴喷出的处理液不会阻挡自另一喷嘴喷出而在基板表面上朝向基板周缘部流去的处理液的流动或者不会将该处理液的流动朝向基板中心部挤回。基板液处理方法包括以下：工序a，使基板(W)绕铅垂轴线旋转；工序b，一边自第1喷嘴(411)向基板的中心部供给处理液，一边自第2喷嘴(412)向基板供给处理液，此时，使自第2喷嘴喷出的处理液的着液点自基板的中心部向周缘部连续地移动；工序c，在所述工序b之后，一边自第1喷嘴向基板的中心部继续供给处理液，一边停止自第2喷嘴喷出处理液，并使第2喷嘴向能够向基板的中心部供给处理液的位置移动。
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公开(公告)号：CN111696891A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010160379.8
申请日：2020-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置、混合方法和基片处理方法。本发明的一方式的基片处理装置包括处理槽、混合装置、送液路径和硅溶液供给部。处理槽用于浸渍基片来对其进行处理。混合装置将磷酸水溶液和抑制硅氧化物的析出的添加剂混合来生成混合液。送液路径从混合装置向处理槽输送混合液。硅溶液供给部与送液路径和处理槽中的至少一者连接，向从混合装置供给的混合液供给含硅化合物水溶液。由此，能够适当地实施用含有磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液所进行的蚀刻处理。
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