公开(公告)号：CN103515220B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310230866.7

申请日：2013-06-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河野央 ,  伊藤规宏 ,  八谷洋介 ,  野上淳 ,  大石幸太郎 ,  菅野至

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02057 ,  G03F7/423 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在不对基板的基底层造成损伤的情况下良好地将去除对象层去除。在本发明中，基板处理装置（1）用于向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板（3）供给硫酸与过氧化氢水的混合液而将去除对象层去除，包括：基板处理室（16），用于处理基板；基板保持部件（12），设于基板处理室内，用于保持基板；混合液供给部件（13），用于以不会对基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比向由基板保持部件保持着的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液；OH基供给部件（14），用于向基板供给含有OH基的流体，OH基供给部件供给含有在混合液与OH基在基板上混合时不会对基底层造成损伤的量的OH基的流体。

公开(公告)号：CN119072770A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202380030298.8

申请日：2023-03-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小原隆宪 ,  野上淳

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明的基片处理装置包括第一基片保持部、杯状体、处理液供给部和处理槽。上述第一基片保持部对基片的下表面中心部进行吸附而水平地保持上述基片。上述杯状体是在上下两个方向开放的环状，包围由上述第一基片保持部保持的上述基片的外周。上述处理液供给部对由上述杯状体包围的上述基片供给处理液。上述处理槽回收从上述杯状体下落的上述处理液。上述处理槽的内壁面具有侧面和底面，上述底面的至少一部分为亲水面。

公开(公告)号：CN103515220A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310230866.7

申请日：2013-06-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河野央 ,  伊藤规宏 ,  八谷洋介 ,  野上淳 ,  大石幸太郎 ,  菅野至

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02057 ,  G03F7/423 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在不对基板的基底层造成损伤的情况下良好地将去除对象层去除。在本发明中，基板处理装置（1）用于向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板（3）供给硫酸与过氧化氢水的混合液而将去除对象层去除，包括：基板处理室（16），用于处理基板；基板保持部件（12），设于基板处理室内，用于保持基板；混合液供给部件（13），用于以不会对基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比向由基板保持部件保持着的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液；OH基供给部件（14），用于向基板供给含有OH基的流体，OH基供给部件供给含有在混合液与OH基在基板上混合时不会对基底层造成损伤的量的OH基的流体。

公开(公告)号：CN103377882A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310145382.2

申请日：2013-04-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八谷洋介 ,  伊藤规宏 ,  河野央 ,  野中纯 ,  野上淳

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02076 ,  G03F7/423 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/6708

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，在SPM处理中兼顾抗蚀剂膜的去除效率的提高和膜损耗的降低。基板处理方法包括以下工序：通过将加热后的硫酸和过氧化氢水混合而生成充分含有具有抗蚀剂膜剥离效果的卡罗酸的第1温度的SPM液；在生成上述第1温度的SPM液的工序之后，将上述SPM液冷却到具有膜损耗降低效果的第2温度；以及通过使上述第2温度的SPM液接触抗蚀剂膜而去除抗蚀剂膜。