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公开(公告)号：CN100423205C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200480033944.3
申请日：2004-11-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , B08B3/02
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , G02F2001/1316 , G11B23/505 , H01L21/67034
Abstract: 边使晶片(W)大致呈水平姿态以既定转速旋转边向其表面以既定流量供给纯水，对晶片(W)进行冲洗处理，之后，减少对晶片(W)的纯水供给流量并使纯水供给点从晶片(W)的中心向外侧移动。由此，边在纯水供给点的大致外侧形成液膜边对晶片(W)进行自旋干燥处理。
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公开(公告)号：CN115349163B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202180025344.6
申请日：2021-04-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 基板处理方法具有下述(A)～(C)。(A)在水平地保持基板并使其旋转的状态下，从包括与所述基板的下表面中央相对配置的多个喷嘴的喷嘴单元，向所述基板的下表面依次供给酸性或碱性的第1化学溶液、和纯水。(B)水平地保持所述基板并使其旋转，使所述基板干燥。(C)在供给所述第1化学溶液后且所述基板干燥前，从所述喷嘴单元的一所述喷嘴喷出纯水，在所述喷嘴单元之上形成覆盖所述喷嘴单元的全部的所述喷嘴的纯水的清洗膜。
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公开(公告)号：CN1883035A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200480033944.3
申请日：2004-11-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , B08B3/02
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , G02F2001/1316 , G11B23/505 , H01L21/67034
Abstract: 边使晶片(W)大致呈水平姿态以既定转速旋转边向其表面以既定流量供给纯水，对晶片(W)进行冲洗处理，之后，减少对晶片(W)的纯水供给流量并使纯水供给点从晶片(W)的中心向外侧移动。由此，边在纯水供给点的大致外侧形成液膜边对晶片(W)进行自旋干燥处理。
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公开(公告)号：CN115349163A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202180025344.6
申请日：2021-04-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 基板处理方法具有下述(A)～(C)。(A)在水平地保持基板并使其旋转的状态下，从包括与所述基板的下表面中央相对配置的多个喷嘴的喷嘴单元，向所述基板的下表面依次供给酸性或碱性的第1化学溶液、和纯水。(B)水平地保持所述基板并使其旋转，使所述基板干燥。(C)在供给所述第1化学溶液后且所述基板干燥前，从所述喷嘴单元的一所述喷嘴喷出纯水，在所述喷嘴单元之上形成覆盖所述喷嘴单元的全部的所述喷嘴的纯水的清洗膜。
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公开(公告)号：CN108538750A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810167755.9
申请日：2018-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/02057 , H01L21/30604 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/67253 , H01L21/68764 , H01L21/67017
Abstract: 本发明提供一种提高基板处理的面内均匀性的基板处理装置和基板处理方法。实施方式所涉及的基板处理装置具备保持部、旋转机构、喷嘴、移动机构以及控制部。保持部将基板水平保持。旋转机构用于使保持部旋转。喷嘴对由保持部保持着的基板供给蚀刻液。移动机构用于使喷嘴移动。控制部对旋转机构和移动机构进行控制，来执行扫描处理，在该扫描处理中，一边从喷嘴对进行旋转的基板供给蚀刻液，一边使喷嘴在基板上方的第一位置与比第一位置靠基板的外周侧的第二位置之间进行往复运动。另外，控制部一边变更第一位置一边多次执行扫描处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108538750B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201810167755.9
申请日：2018-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种提高基板处理的面内均匀性的基板处理装置和基板处理方法。实施方式所涉及的基板处理装置具备保持部、旋转机构、喷嘴、移动机构以及控制部。保持部将基板水平保持。旋转机构用于使保持部旋转。喷嘴对由保持部保持着的基板供给蚀刻液。移动机构用于使喷嘴移动。控制部对旋转机构和移动机构进行控制，来执行扫描处理，在该扫描处理中，一边从喷嘴对进行旋转的基板供给蚀刻液，一边使喷嘴在基板上方的第一位置与比第一位置靠基板的外周侧的第二位置之间进行往复运动。另外，控制部一边变更第一位置一边多次执行扫描处理。
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公开(公告)号：CN114068352A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110812387.0
申请日：2021-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306 , B01D19/00
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理部、贮存部、处理线路、循环线路和气体供给线路。处理部用碱性的药液对形成于基片的多晶硅膜或非晶硅膜进行蚀刻。贮存部回收并贮存所述处理部使用了的药液。处理线路将贮存于所述贮存部中的药液供给到处理部。循环线路从贮存部取出药液，并使取出的药液返回到贮存部。气体供给线路与循环线路连接，向所述循环线路供给非活泼气体。循环线路包括排出口，该排出口能够将利用第1气体供给线路供给的非活泼气体与从贮存部取出的药液的混合流体排出到所述贮存部所贮存的药液的内部。由此，在回收碱性的药液进行再使用的情况下，能够使药液的溶解氧浓度高效地降低。
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公开(公告)号：CN102044412B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201010513671.X
申请日：2010-10-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板液体处理装置以及基板液体处理方法。防止由于基板带有的电荷放电而产生静电击穿。在本发明中，在用于对基板(2)实施液体处理的基板液体处理装置(1)、基板液体处理方法以及记录有基板液体处理程序的计算机可读取的记录介质(48)中，在利用基板处理药液对基板(2)的电路形成面进行液体处理的液体处理工序之前，进行除电处理工序，在该除电处理工序中，利用除电处理液对基板(2)的电路形成面的相反面进行处理，由此使基板(2)带有的电荷释放出来。
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公开(公告)号：CN102044412A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010513671.X
申请日：2010-10-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02057 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种基板液体处理装置以及基板液体处理方法。防止由于基板带有的电荷放电而产生静电击穿。在本发明中，在用于对基板(2)实施液体处理的基板液体处理装置(1)、基板液体处理方法以及记录有基板液体处理程序的计算机可读取的记录介质(48)中，在利用基板处理药液对基板(2)的电路形成面进行液体处理的液体处理工序之前，进行除电处理工序，在该除电处理工序中，利用除电处理液对基板(2)的电路形成面的相反面进行处理，由此使基板(2)带有的电荷释放出来。
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公开(公告)号：CN209747468U
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201920567227.2
申请日：2019-04-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本实用新型的目的在于提供一种液体处理装置，其包括：保持机构；旋转机构；药液供给机构；排液杯；排液配管，其设置在排液杯的底部，并将由排液杯挡住的处理后的药液排出；回收机构，其设置在排液配管，并将从排液杯排出的处理后的药液回收以供再次利用；切换机构，其设置在回收机构的分支部分附近，并在将处理后的药液经由排液配管废弃的废弃侧以及通过回收机构回收的回收侧之间进行切换；以及控制部，其与旋转机构、药液供给机构、以及切换机构连接，并控制旋转机构、药液供给机构、以及切换机构。
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