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公开(公告)号：CN101996914A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010243321.6
申请日：2010-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种基板的液体处理装置和液体处理方法。该基板的液体处理装置及液体处理方法在对晶圆的周缘部分进行处理的情况下，能够充分地对基板进行高温处理，并且，能够充分地抑制微粒附着在基板的表面上。基板的液体处理装置(1)包括用于保持基板(W)的保持部(10)、用于使保持部(10)旋转的旋转驱动部(20)以及遮蔽单元(39)。遮蔽单元(39)包括与由保持部(10)保持的基板(W)相对的相对板(32)、用于隔着相对板(32)对基板(W)加热的加热部分(31)以及用于向所保持的基板(W)的表面供给加热后的气体的加热气体供给部分(32a)。
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公开(公告)号：CN107275253A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710142468.8
申请日：2017-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/02 , B08B3/041 , B08B3/08 , C23F1/02 , C23F1/08 , C23F1/16 , C23F1/32 , G03F7/168 , H01L21/02087 , H01L21/67051 , H01L21/67253 , H01L21/68764 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L21/6708
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、液处理方法以及存储介质。提供一种能够降低伴随膜的特性的差异而引起的去除宽度的变动的基板处理装置等。在向基板的周缘部供给处理液来去除膜的基板处理装置中，能够在基板的径向上移动的喷出部向被基板保持部保持并旋转的基板的周缘部喷出处理液。喷出位置设定部与制程中包含的膜的去除宽度对应地设定来自喷出部的处理液的喷出位置，特性信息获取部获取要去除的膜的特性信息。校正量获取部根据膜的特性信息获取对处理液的喷出位置进行校正的校正量，喷出位置校正部根据由校正量获取部获取到的校正量，对喷出部的处理液的喷出位置进行校正。
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公开(公告)号：CN101996914B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201010243321.6
申请日：2010-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种基板的液体处理装置和液体处理方法。该基板的液体处理装置及液体处理方法在对晶圆的周缘部分进行处理的情况下，能够充分地对基板进行高温处理，并且，能够充分地抑制微粒附着在基板的表面上。基板的液体处理装置(1)包括用于保持基板(W)的保持部(10)、用于使保持部(10)旋转的旋转驱动部(20)以及遮蔽单元(39)。遮蔽单元(39)包括与由保持部(10)保持的基板(W)相对的相对板(32)、用于隔着相对板(32)对基板(W)加热的加热部分(31)以及用于向所保持的基板(W)的表面供给加热后的气体的加热气体供给部分(32a)。
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公开(公告)号：CN100585797C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200610163747.4
申请日：2006-11-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/316 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/316 , H01L21/31055 , H01L21/31111 , H01L21/6715
Abstract: 本发明的基板处理方法，向在表面具有凹凸的基板供给涂敷液而在基板表面上形成涂敷膜，向旋转的基板供给涂敷液，在基板的表面上形成涂敷膜，对形成有涂敷膜的基板加热，调整涂敷膜的蚀刻条件。接着，对旋转的基板供给蚀刻液，对涂敷膜进行蚀刻后，对基板供给涂敷液，在基板表面上形成平坦状的涂敷膜。其后，对基板进行加热而使涂敷膜固化。由此，无需经过化学机械研磨那样的高负荷工艺，可实现均匀且高精度的涂敷膜的平坦化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115349163B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202180025344.6
申请日：2021-04-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 基板处理方法具有下述(A)～(C)。(A)在水平地保持基板并使其旋转的状态下，从包括与所述基板的下表面中央相对配置的多个喷嘴的喷嘴单元，向所述基板的下表面依次供给酸性或碱性的第1化学溶液、和纯水。(B)水平地保持所述基板并使其旋转，使所述基板干燥。(C)在供给所述第1化学溶液后且所述基板干燥前，从所述喷嘴单元的一所述喷嘴喷出纯水，在所述喷嘴单元之上形成覆盖所述喷嘴单元的全部的所述喷嘴的纯水的清洗膜。
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公开(公告)号：CN1971843A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610163747.4
申请日：2006-11-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/316 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/316 , H01L21/31055 , H01L21/31111 , H01L21/6715
Abstract: 本发明的基板处理方法，向在表面具有凹凸的基板供给涂敷液而在基板表面上形成涂敷膜，向旋转的基板供给涂敷液，在基板的表面上形成涂敷膜，对形成有涂敷膜的基板加热，调整涂敷膜的蚀刻条件。接着，对旋转的基板供给蚀刻液，对涂敷膜进行蚀刻后，对基板供给涂敷液，在基板表面上形成平坦状的涂敷膜。其后，对基板进行加热而使涂敷膜固化。由此，无需经过化学机械研磨那样的高负荷工艺，可实现均匀且高精度的涂敷膜的平坦化。
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公开(公告)号：CN115349163A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202180025344.6
申请日：2021-04-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 基板处理方法具有下述(A)～(C)。(A)在水平地保持基板并使其旋转的状态下，从包括与所述基板的下表面中央相对配置的多个喷嘴的喷嘴单元，向所述基板的下表面依次供给酸性或碱性的第1化学溶液、和纯水。(B)水平地保持所述基板并使其旋转，使所述基板干燥。(C)在供给所述第1化学溶液后且所述基板干燥前，从所述喷嘴单元的一所述喷嘴喷出纯水，在所述喷嘴单元之上形成覆盖所述喷嘴单元的全部的所述喷嘴的纯水的清洗膜。
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公开(公告)号：CN107275253B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201710142468.8
申请日：2017-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、液处理方法以及存储介质。提供一种能够降低伴随膜的特性的差异而引起的去除宽度的变动的基板处理装置等。在向基板的周缘部供给处理液来去除膜的基板处理装置中，能够在基板的径向上移动的喷出部向被基板保持部保持并旋转的基板的周缘部喷出处理液。喷出位置设定部与制程中包含的膜的去除宽度对应地设定来自喷出部的处理液的喷出位置，特性信息获取部获取要去除的膜的特性信息。校正量获取部根据膜的特性信息获取对处理液的喷出位置进行校正的校正量，喷出位置校正部根据由校正量获取部获取到的校正量，对喷出部的处理液的喷出位置进行校正。
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