公开(公告)号：CN107689337B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201710657588.1

申请日：2017-08-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户岛孝之 ,  寺田正一 ,  中村淳司

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及基板处理装置、基板处理方法及存储有实行基板处理方法的程序的存储介质。本发明的目的在于，提供能够有效地从基板将该基板上的附着物去除的基板处理装置及基板处理方法。利用处理液供给部向基板供给处理液，所述处理液含有附着物的去除剂和具有比去除剂的沸点低的沸点的溶剂；接着，利用基板加热部在处理液中的溶剂的沸点以上且低于去除剂的沸点的规定温度下对基板进行加热；接着，利用冲洗液供给部向基板供给冲洗液，由此从基板去除附着物。

公开(公告)号：CN1971843A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610163747.4

申请日：2006-11-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 寺田正一 ,  水野刚资 ,  上原健

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/316 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/6715

Abstract: 本发明的基板处理方法，向在表面具有凹凸的基板供给涂敷液而在基板表面上形成涂敷膜，向旋转的基板供给涂敷液，在基板的表面上形成涂敷膜，对形成有涂敷膜的基板加热，调整涂敷膜的蚀刻条件。接着，对旋转的基板供给蚀刻液，对涂敷膜进行蚀刻后，对基板供给涂敷液，在基板表面上形成平坦状的涂敷膜。其后，对基板进行加热而使涂敷膜固化。由此，无需经过化学机械研磨那样的高负荷工艺，可实现均匀且高精度的涂敷膜的平坦化。

公开(公告)号：CN114843205A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210086475.1

申请日：2022-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 白石豪介 ,  寺田正一 ,  山下阳平 ,  田之上隼斗

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开涉及一种基板处理装置、系统及方法、以及计算机存储介质，抑制在EBR(边缘涂布膜去除)处理中发生涂布膜的隆起、侵蚀。基板处理装置具备：基板保持部，其保持形成有图案形成用的涂布膜的基板并使其旋转；处理液喷出部，其向保持于所述基板保持部的所述基板喷出用于形成保护膜的处理液；激光照射部，其向形成有所述保护膜的所述基板的周缘部照射激光；以及去除液喷出部，其向所述保护膜喷出用于去除该保护膜的去除液。

公开(公告)号：CN1312732C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN02820803.X

申请日：2002-12-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 寺田正一 ,  吉高直人 ,  饱本正巳

IPC: H01L21/027 ,  B05C5/00 ,  B05C11/10 ,  B05D3/00

CPC classification number: B23K26/0853 ,  B08B7/0042 ,  B23K26/146 ,  B23K26/147 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/681 ,  H01L21/6838 ,  H01L23/544 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种膜除去装置，它包括：基板保持部(60)，保持具有涂布膜的基板；激光光源(63)，将激光局部照射到该基板保持部上的基板的定位记号位置(14)上，将涂布膜从基板部分剥离；流体供给机构(113-116，201，202)，具有向定位记号位置供给规定流体的主喷嘴(64，172，200)；回收机构(90)，具有在基板上将供给到定位记号位置的规定流体连同剥离了的膜成分吸引的吸引口(66a，171，193)；和引导部件(65，170，191)，将主喷嘴所喷出的规定流体引导到定位记号位置，同时引导到回收机构的吸引口使得规定的流体以及剥离了的膜成分不扩散到定位记号位置周围，并且不泄漏。

公开(公告)号：CN107689337A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710657588.1

申请日：2017-08-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户岛孝之 ,  寺田正一 ,  中村淳司

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0206 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B3/106 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67115

Abstract: 本发明涉及基板处理装置、基板处理方法及存储有实行基板处理方法的程序的存储介质。本发明的目的在于，提供能够有效地从基板将该基板上的附着物去除的基板处理装置及基板处理方法。利用处理液供给部向基板供给处理液，所述处理液含有附着物的去除剂和具有比去除剂的沸点低的沸点的溶剂；接着，利用基板加热部在处理液中的溶剂的沸点以上且低于去除剂的沸点的规定温度下对基板进行加热；接着，利用冲洗液供给部向基板供给冲洗液，由此从基板去除附着物。

公开(公告)号：CN100585797C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200610163747.4

申请日：2006-11-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 寺田正一 ,  水野刚资 ,  上原健

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/316 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/6715

Abstract: 本发明的基板处理方法，向在表面具有凹凸的基板供给涂敷液而在基板表面上形成涂敷膜，向旋转的基板供给涂敷液，在基板的表面上形成涂敷膜，对形成有涂敷膜的基板加热，调整涂敷膜的蚀刻条件。接着，对旋转的基板供给蚀刻液，对涂敷膜进行蚀刻后，对基板供给涂敷液，在基板表面上形成平坦状的涂敷膜。其后，对基板进行加热而使涂敷膜固化。由此，无需经过化学机械研磨那样的高负荷工艺，可实现均匀且高精度的涂敷膜的平坦化。

公开(公告)号：CN1572015A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN02820803.X

申请日：2002-12-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 寺田正一 ,  吉高直人 ,  饱本正巳

IPC: H01L21/027 ,  B05C5/00 ,  B05C11/10 ,  B05D3/00

CPC classification number: B23K26/0853 ,  B08B7/0042 ,  B23K26/146 ,  B23K26/147 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/681 ,  H01L21/6838 ,  H01L23/544 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种膜除去装置，它包括：基板保持部(60)，保持具有涂布膜的基板；激光光源(63)，将激光局部照射到该基板保持部上的基板的定位记号位置(14)上，将涂布膜从基板部分剥离；流体供给机构(113－116，201，202)，具有向定位记号位置供给规定流体的主喷嘴(64，172，200)；回收机构(90)，具有在基板上将供给到定位记号位置的规定流体连同剥离了的膜成分吸引的吸引(66a，171，193)和引导部件(65，170，191)，将主喷嘴所喷出的规定流体引导到定位记号位置，同时引导到回收机构的吸引口使得规定的流体以及剥离了的膜成分不扩散到定位记号位置周围，并且不泄漏。