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公开(公告)号：CN101615568B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910140027.X
申请日：2005-07-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/10 , G03F7/3021 , Y10S134/902
Abstract: 向曝光的半导体晶片表面供给显影液进行显影后，在清洗基板的表面上的溶解物时得到较高的清洗效果。一边使显影完毕的晶片旋转一边从喷嘴向晶片中心部排出清洗液，该清洗液向周围扩展而形成液膜，接下来使上述喷嘴移动，使基板的中心部产生干燥区域，以1500rpm的转速旋转基板，通过其离心力使上述干燥区域向周围扩展。上述喷嘴以不会被干燥区域追赶到的速度移动到距晶片中心例如80mm的位置、且从晶片的周缘向中心部一侧偏靠5mm以上的位置，在此处停止排出清洗液。此外，预先在该位置配置其它的喷嘴，从该处预先排出清洗液，在干燥区域即将到达此处之前，可停止排出。在晶片的中心形成干燥区域心部的情况下，优选将气体喷吹向基板的中心部，并立刻停止该喷吹。
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公开(公告)号：CN101000465B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200610163166.0
申请日：2006-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/26 , G03F7/30 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/67253
Abstract: 本发明的对将曝光图案显影处理后的基板进行漂洗处理的漂洗处理方法包括：预先对应于基板的表面状态设定漂洗处理条件的工序；测定基板的表面状态的工序；根据测得的基板的表面状态选择对应的漂洗处理条件的工序；按照上述选择的条件进行漂洗处理的工序。
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公开(公告)号：CN100576443C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200580030224.6
申请日：2005-07-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/30
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/10 , G03F7/3021 , Y10S134/902
Abstract: 向曝光的半导体晶片表面供给显影液进行显影后，在清洗基板的表面上的溶解物时得到较高的清洗效果。一边使显影完毕的晶片旋转一边从喷嘴向晶片中心部排出清洗液，该清洗液向周围扩展而形成液膜，接下来使上述喷嘴移动，使基板的中心部产生干燥区域，以1500rpm的转速旋转基板，通过其离心力使上述干燥区域向周围扩展。上述喷嘴以不会被干燥区域追赶到的速度移动到距晶片中心例如80mm的位置、且从晶片的周缘向中心部一侧偏靠5mm以上的位置，在此处停止排出清洗液。此外，预先在该位置配置其它的喷嘴，从该处预先排出清洗液，在干燥区域即将到达此处之前，可停止排出。在晶片的中心形成干燥区域心部的情况下，优选将气体喷吹向基板的中心部，并立刻停止该喷吹。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101000465A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610163166.0
申请日：2006-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/26 , G03F7/30 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/67253
Abstract: 本发明的对将曝光图案显影处理后的基板进行漂洗处理的漂洗处理方法包括：预先对应于基板的表面状态设定漂洗处理条件的工序；测定基板的表面状态的工序；根据测得的基板的表面状态选择对应的漂洗处理条件的工序；按照上述选择的条件进行漂洗处理的工序。
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公开(公告)号：CN107689337B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201710657588.1
申请日：2017-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板处理装置、基板处理方法及存储有实行基板处理方法的程序的存储介质。本发明的目的在于，提供能够有效地从基板将该基板上的附着物去除的基板处理装置及基板处理方法。利用处理液供给部向基板供给处理液，所述处理液含有附着物的去除剂和具有比去除剂的沸点低的沸点的溶剂；接着，利用基板加热部在处理液中的溶剂的沸点以上且低于去除剂的沸点的规定温度下对基板进行加热；接着，利用冲洗液供给部向基板供给冲洗液，由此从基板去除附着物。
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公开(公告)号：CN101015040A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200580030224.6
申请日：2005-07-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/30
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/10 , G03F7/3021 , Y10S134/902
Abstract: 向曝光的半导体晶片表面供给显影液进行显影后，在清洗基板的表面上的溶解物时得到较高的清洗效果。一边使显影完毕的晶片旋转一边从喷嘴向晶片中心部排出洗净液，该洗净液向周围扩展而形成液膜，接下来使上述喷嘴移动，使基板的中心部产生干燥区域，以1500rpm的转速旋转基板，通过其离心力使上述干燥区域向周围扩展。上述喷嘴以不会被干燥区域追赶到的速度移动到距晶片中心例如80mm的位置、且从晶片的周缘向中心部一侧偏靠5mm以上的位置，在此处停止排出清洗液。此外，预先在该位置配置其它的喷嘴，从该处预先排出清洗液，在干燥区域即将到达此处之前，可停止排出。在晶片的中心形成干燥区域心部的情况下，优选将气体喷吹向基板的中心部，并立刻停止该喷吹。
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公开(公告)号：CN107689337A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710657588.1
申请日：2017-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/0206 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B3/106 , H01L21/02071 , H01L21/31122 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/67028 , H01L21/6704 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , H01L21/67253 , H01L21/02057 , H01L21/67023 , H01L21/67115
Abstract: 本发明涉及基板处理装置、基板处理方法及存储有实行基板处理方法的程序的存储介质。本发明的目的在于，提供能够有效地从基板将该基板上的附着物去除的基板处理装置及基板处理方法。利用处理液供给部向基板供给处理液，所述处理液含有附着物的去除剂和具有比去除剂的沸点低的沸点的溶剂；接着，利用基板加热部在处理液中的溶剂的沸点以上且低于去除剂的沸点的规定温度下对基板进行加热；接着，利用冲洗液供给部向基板供给冲洗液，由此从基板去除附着物。
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公开(公告)号：CN101615568A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910140027.X
申请日：2005-07-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/10 , G03F7/3021 , Y10S134/902
Abstract: 向曝光的半导体晶片表面供给显影液进行显影后，在清洗基板的表面上的溶解物时得到较高的清洗效果。一边使显影完毕的晶片旋转一边从喷嘴向晶片中心部排出清洗液，该清洗液向周围扩展而形成液膜，接下来使上述喷嘴移动，使基板的中心部产生干燥区域，以1500rpm的转速旋转基板，通过其离心力使上述干燥区域向周围扩展。上述喷嘴以不会被干燥区域追赶到的速度移动到距晶片中心例如80mm的位置、且从晶片的周缘向中心部一侧偏靠5mm以上的位置，在此处停止排出清洗液。此外，预先在该位置配置其它的喷嘴，从该处预先排出清洗液，在干燥区域即将到达此处之前，可停止排出。在晶片的中心形成干燥区域心部的情况下，优选将气体喷吹向基板的中心部，并立刻停止该喷吹。
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