公开(公告)号：CN106558517B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201610079287.0

申请日：2016-02-04

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 高野智

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67196 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68792

Abstract: 目的在于提供一种即使在高温的衬底处理中也能维持高产能的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。包括：机械装置，其具有：支承衬底的末端执行器；第一连杆构造，其由前端固定有末端执行器的固定部、支承固定部的支承部和设于支承部的第一孔构成；设有第二孔的第二连杆构造；以及轴，通过插入于第一孔及第二孔而将第一连杆构造及第二连杆构造连接，轴的上端位于与载置在末端执行器的衬底的高度相同或比其低；真空搬送室，在内侧具有所述机械装置；组件，具有多个腔室，所述腔室与所述真空搬送室相邻，对通过机械装置从真空搬送室搬送的衬底进行加热处理；以及冷却机构，设于第一连杆构造或轴的上方，对第一连杆构造或轴进行冷却。

公开(公告)号：CN106449469B

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201610602519.6

申请日：2016-07-27

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 西堂周平 ,  吉田秀成 ,  山口天和 ,  中田高行 ,  谷山智志

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明提供一种能够缩短处理室内的升温时间的衬底处理装置以及半导体器件的制造方法。衬底处理装置具备：处理室，其对衬底进行处理；衬底保持件，其在处理室内保持衬底；处理气体供给部，其向处理室内供给处理气体；第1加热器，其设置于处理室外，对处理室内进行加热；隔热部，其设置于衬底保持件的下方；第2加热器，其设置于隔热部内，对处理室内进行加热；以及吹扫气体供给部，其向隔热部内供给吹扫气体，对隔热部内进行吹扫。

公开(公告)号：CN106206286B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201610346574.3

申请日：2016-05-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 泽田石真之 ,  三轮智典

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法。该蚀刻方法对具有多层膜的第一区域和具有单层的氧化硅膜的第二区域进行蚀刻，该多层膜是通过将氧化硅膜和氮化硅膜交替地层叠而构成的。一个实施方式的方法包括以下工序：第一等离子体处理工序，在等离子体处理装置的处理容器内生成包含碳氟化合物气体和氧气的第一处理气体的等离子体；以及第二等离子体处理工序，在处理容器内生成包含氢气、三氟化氮气体、溴化氢气体以及含碳气体的第二处理气体的等离子体。在第一等离子体处理工序中，将静电卡盘的温度设定为第一温度。在第二等离子体处理工序中，将静电卡盘的温度设定为低于第一温度的第二温度。

公开(公告)号：CN109075102A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680083753.0

申请日：2016-03-18

Applicant: 盛美半导体设备(上海)有限公司

Inventor： 王晖 ,  杨宏超 ,  吴均 ,  王文军 ,  陈福平 ,  方志友

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/68785 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明公开了一种用于热处理衬底的衬底热处理装置，包括烤盘、多个支撑件、挡板和驱动装置。烤盘设有至少一条气体通道。多个支撑件支撑衬底。挡板安装在烤盘的顶面，挡板包围衬底且挡板的内壁与衬底之间形成有间隙。驱动装置驱动该多个支撑件上升或下降。热处理衬底时，通过烤盘的气体通道向衬底和烤盘顶面之间的空间供入热的气体，热的气体从挡板的内壁与衬底之间的间隙流出。

公开(公告)号：CN109037018A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810588738.2

申请日：2018-06-08

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 文商珉

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68757 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/32623

Abstract: 公开了一种基板处理设备。该基板处理设备包括：卡盘，其被构造为在被供应工艺气体的腔室的处理空间中支撑基板；以及围绕卡盘的环组件，该环组件包括内环、围绕该内环定位的外环以及驱动器，内环被定位成使得内环的一部分围绕由卡盘支撑的基板的外侧，驱动器被构造成使外环上下移动。

公开(公告)号：CN108878313A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810425448.6

申请日：2018-05-07

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 特拉维斯·R·泰勒 ,  亚当·贝特曼 ,  托德·A·洛佩斯 ,  尚卡拉纳拉亚南·拉维 ,  西尔维亚·阿吉拉尔 ,  德里克·威特科维基

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/67011

Abstract: 本发明涉及卤素去除模块及相关系统和方法。室形成为包围处理区域。通道配置成使得衬底能进入处理区域和从处理区域移除衬底。衬底支撑结构被布置在处理区域内并被配置为在处理区域内支撑衬底。至少一个气体输入端被配置为向处理区域供应一种或多种气体。至少一个气体输出端被配置为从处理区域排出气体。湿度控制装置被配置成控制处理区域内的相对湿度。设置至少一个加热装置以提供对处理区域内的衬底的温度控制。室的处理区域可直接从配置成在大气压下操作的衬底处理模块访问。

公开(公告)号：CN106024611B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201610544080.6

申请日：2013-05-20

Applicant: 新南创新私人有限公司

Inventor： 斯图尔特·罗斯·文哈姆 ,  菲利普·乔治·哈默 ,  布雷特·杰森·哈拉姆 ,  阿德莱恩·苏吉安托 ,  凯瑟琳·艾米丽·尚 ,  宋立辉 ,  吕珮玄 ,  艾利森·马里·文哈姆 ,  林·迈 ,  张子文 ,  徐光琦 ,  马修·布鲁斯·爱德华兹

IPC: H01L21/30 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1868 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67706 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1864 ,  Y02B10/10 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种用于处理半导体晶片的设备和方法，以用于制造光伏装置，所述设备包括：加热区，在氢源的存在下，能操作以将所述半导体晶片的至少一个区域加热至至少100℃；以及冷却区，包括第一照射器件，所述第一照射器件被配置为在所述半导体晶片的冷却期间利用光子照射所述半导体晶片的表面。

公开(公告)号：CN108807240A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810720818.9

申请日：2018-07-04

Applicant: 芜湖启迪打印机科技有限公司

Inventor： 骆晓龙 ,  郭健

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H05F3/02

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67742 ,  H05F3/02

Abstract: 本发明公开了一种电子器件生产用冷却架机构，包括箱柜和拉门，所述箱柜的内部设有隔板，且所述隔板嵌入设置在箱柜中，且所述箱柜与拉门通过设置在拉门侧面的铰链连接，所述隔板的顶部设有若干个插孔，且所述插孔嵌入设置在隔板中，该种电子器件生产用冷却架机构，增加了水平板可以方便将需要制冷的电子器件放置到其上面，且制冷之后通过工作人员提动支撑杆即可使得水平板放下，这样方便使用制冷效果高，并设有静电连接线除去静电，且通过工作人员更换固定杆进行放置，可以方便于拿取，制冷气体通过制冷孔进入到箱柜内部，这样冷却效果较佳。

公开(公告)号：CN108605389A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780010901.0

申请日：2017-01-24

Applicant: EV ,  集团 ,  E·索尔纳有限责任公司

Inventor： T.魏泽 ,  M.蒂施勒

IPC: H05B6/10 ,  H01L21/67

CPC classification number: H05B6/105 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68792

Abstract: 提出了一种用于保持、旋转和加热衬底的装置和方法。

公开(公告)号：CN108573900A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810183440.3

申请日：2018-03-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 福岛讲平 ,  冈部庸之

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C23C16/45502 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/67011

Abstract: 本发明涉及能够控制面间均匀性的基板处理装置。基板处理装置具备：内管，其设置为能够容纳多张基板，并且具有第一开口部；外管，其包围所述内管；可动壁，其被设置为能够在所述内管内、或者所述内管与所述外管之间移动，并且具有第二开口部；气体供给单元，其向所述内管内供给处理气体；排气单元，其被设置于比所述可动壁靠外侧的位置，且经由所述第一开口部和所述第二开口部对被供给到所述内管内的所述处理气体进行排气；以及压力检测单元，其检测所述内管内的压力。