公开(公告)号：CN113614884B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201980094461.0

申请日：2019-03-22

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 立野秀人 ,  高野智

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种技术，其具备：基板保持件，其保持多张基板；反应管，其容纳基板保持件；加热部，其对反应管内进行加热；气体供给部，其向反应管的内管的内部供给处理气体；排气部，其从反应管的内部排出处理气体；温度测量部，其测量反应管内的温度；反射率测量部，其测量形成于反应管的内部的膜的反射率；以及控制部，其使用由温度测量部测量出的温度信息和由反射率测量部测量出的膜的反射率信息对形成于基板的膜的成膜条件进行反馈控制。

公开(公告)号：CN113614884A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201980094461.0

申请日：2019-03-22

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 立野秀人 ,  高野智

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种技术，其具备：基板保持件，其保持多张基板；反应管，其容纳基板保持件；加热部，其对反应管内进行加热；气体供给部，其向反应管的内管的内部供给处理气体；排气部，其从反应管的内部排出处理气体；温度测量部，其测量反应管内的温度；反射率测量部，其测量形成于反应管的内部的膜的反射率；以及控制部，其使用由温度测量部测量出的温度信息和由反射率测量部测量出的膜的反射率信息对形成于基板的膜的成膜条件进行反馈控制。

公开(公告)号：CN113436985A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202010963924.7

申请日：2020-09-14

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 高野智 ,  松井俊

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供能够以将基板的凹部内填埋的方式形成膜的技术。提供一种基板处理装置，其具有：供基板载置的基板载置台；从基板载置台的上方侧向基板的面上供给吸附阻碍气体的吸附阻碍气体供给部；从基板载置台的上方侧向基板的面上供给原料气体的原料气体供给部，设于吸附阻碍气体供给部的气体供给口与基板之间的距离(D1)构成为，比设于原料气体供给部的气体供给口与基板之间的距离(D2)大。

公开(公告)号：CN116779468A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202211091663.X

申请日：2022-09-07

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 森谷敦 ,  油谷幸则 ,  高野智 ,  大桥直史

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质，即使在存在进行不同的处理的反应器的情况下，也能够抑制反应器间的对各处理的影响。该技术具有：第一容器，具备构成能够将基板搬入/搬出的搬入/搬出口的搬入/搬出部和收纳基板的处理室；第二容器，与第一容器相邻，经由搬入/搬出口能够与第一容器连通；盖体，能够将搬入/搬出口封闭；密封部件，配置于搬入/搬出部与盖体之间；以及控制部，能够进行控制，以在对基板在处理室进行处理的期间，在盖体将搬入/搬出口封闭的状态下，使第一容器内的压力比第二容器内的压力低，且在对基板进行处理后且使第一容器和第二容器连通前，使第一容器内的压力比第二容器内的压力高。

公开(公告)号：CN114256117A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202111079267.0

申请日：2021-09-15

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  天野富大 ,  高野智

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供基板处理装置、半导体器件的制造方法及计算机可读的记录介质，为一种抑制基板处理工序中处理室内的气体向移载室内流入、移载室内的气体向处理室内流入的技术。具有：基板载置部，其具有载置基板的基板载置面；处理容器，其形成收纳基板载置部、且对载置于基板载置面的基板进行处理的处理室；气体供给部，其向处理室供给处理气体；第1壁部，其配置在基板载置部的外周侧；第2壁部，其与第1壁部相比配置在基板载置部的更外周侧的位置；排气流路，其形成在第1壁部与第2壁部之间，用于排出处理室内的气体；和屏蔽板，其构成为配置在基板载置部的下方，且至少延伸至第2壁部的下端的下方侧。

公开(公告)号：CN106558517B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201610079287.0

申请日：2016-02-04

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 高野智

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67196 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68792

Abstract: 目的在于提供一种即使在高温的衬底处理中也能维持高产能的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。包括：机械装置，其具有：支承衬底的末端执行器；第一连杆构造，其由前端固定有末端执行器的固定部、支承固定部的支承部和设于支承部的第一孔构成；设有第二孔的第二连杆构造；以及轴，通过插入于第一孔及第二孔而将第一连杆构造及第二连杆构造连接，轴的上端位于与载置在末端执行器的衬底的高度相同或比其低；真空搬送室，在内侧具有所述机械装置；组件，具有多个腔室，所述腔室与所述真空搬送室相邻，对通过机械装置从真空搬送室搬送的衬底进行加热处理；以及冷却机构，设于第一连杆构造或轴的上方，对第一连杆构造或轴进行冷却。

公开(公告)号：CN113436985B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202010963924.7

申请日：2020-09-14

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 高野智 ,  松井俊

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供能够以将基板的凹部内填埋的方式形成膜的技术。提供一种基板处理装置，其具有：供基板载置的基板载置台；从基板载置台的上方侧向基板的面上供给吸附阻碍气体的吸附阻碍气体供给部；从基板载置台的上方侧向基板的面上供给原料气体的原料气体供给部，设于吸附阻碍气体供给部的气体供给口与基板之间的距离(D1)构成为，比设于原料气体供给部的气体供给口与基板之间的距离(D2)大。

公开(公告)号：CN110383431B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201780086877.9

申请日：2017-02-17

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 高野智

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  H01L21/316 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明提供能够通过单张处理装置和立式处理装置进行连续处理的处理装置，提高整个处理装置的生产性。该处理装置具备：立式处理炉，其处理保持于基板保持件的N(5≤N≤50)张基板；搬送室，其配置于立式处理炉的下方，且将基板保持件搬送到立式处理炉；多个单张处理炉，其与搬送室相邻，每次处理M(1≤M＜10)张基板，且至少层叠配置有两层以上；以及移载室，其与搬送室及多个单张处理炉相邻，且设置有移载基板的移载机。

公开(公告)号：CN106206419B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201610099796.X

申请日：2016-02-23

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 大桥直史 ,  高野智

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76819 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/52 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 一种半导体器件的制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置。可抑制半导体器件的特性偏差。本发明提供一种技术，其具有下述工序：第一研磨工序，对衬底进行研磨，所述衬底在形成有多个布线用槽的第一绝缘膜上成膜有作为金属布线的第一层的金属膜；绝缘膜形成工序，在所述第一研磨工序之后，在所述衬底上形成构成为层合绝缘膜的一部分的第二绝缘膜；第二研磨工序，对所述第二绝缘膜进行研磨；测定工序，在所述第二研磨工序之后，测定所述第二绝缘膜的衬底面内的膜厚分布；和修正工序，在所述第二绝缘膜上，以与所述测定工序所测得的膜厚分布不同的膜厚分布形成构成为所述层合绝缘膜的一部分的第三绝缘膜，修正所述层合绝缘膜的膜厚分布。

公开(公告)号：CN116344414A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202210207537.X

申请日：2022-03-04

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 高野智

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供基板处理装置、基板处理方法、半导体制造方法及记录介质。获得能够在利用旋转的臂搬送基板并将所搬送的基板载置于载置台的情况下抑制基板相对于载置台的错位的技术。本公开的技术具备：搬送装置，其具有使轴向为铅垂方向而旋转的轴、和从所述轴沿水平方向延伸并且支承基板的臂，该搬送装置通过使支承着所述基板的所述臂旋转，向载置台的上方搬送所述基板；检测部，其检测支承于所述臂并被搬送的所述基板；搬送控制部，其构成为能够基于所述检测部的检测结果来检测所述基板相对于所述臂的搬送偏移，并以修正所述基板相对于所述载置台的错位的方式控制所述搬送装置；以及处理部，其对载置于所述载置台的所述基板进行处理。