公开(公告)号：CN109698268A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811180725.8

申请日：2018-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  金哉勋 ,  朴容星 ,  吴世忠 ,  郑峻昊

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L21/67207

Abstract: 本公开提供了一种半导体制造装置以及制造存储器件的方法。该半导体制造装置包括转移室、连接到转移室的第一工艺室、以及连接到转移室的第二工艺室。转移室可以配置为转移基板。第一工艺室可以配置为在第一温度执行用于氧化基板上的金属层的第一氧化工艺。第二工艺室可以配置为在高于第一温度的第二温度执行用于氧化基板上的金属层的第二氧化工艺。

公开(公告)号：CN108766936A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810568682.4

申请日：2012-05-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 类维生 ,  S·辛格 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  B·伊顿 ,  A·库玛

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/308 ,  H01L21/67 ,  B23K26/06 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40

CPC classification number: H01L21/3086 ,  B23K26/06 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0626 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明涉及使用具有多重脉冲串的脉冲列激光与等离子体蚀刻的晶圆切割。本文描述切割半导体晶圆的方法，每个晶圆具有多个集成电路。一种方法包括以下步骤：于半导体晶圆上方形成掩模。所述掩模由覆盖并保护所述集成电路的层所组成。以使用多重脉冲串的脉冲列激光雕绘工艺图案化所述掩模，以提供具有间隔的图案化掩模。所述图案化暴露出在集成电路之间的半导体晶圆的区域。之后经由图案化掩模中的间隔蚀刻半导体晶圆，以切割所述集成电路。

公开(公告)号：CN108630580A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810214417.6

申请日：2018-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴金锡 ,  金善政 ,  金利桓

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23C16/44 ,  C23C16/54

CPC classification number: C30B33/12 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B31/14 ,  C30B31/16 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L21/67207 ,  C23C16/44 ,  C23C16/54 ,  H01L21/68714

Abstract: 公开一种衬底处理装置以及一种制造半导体器件的方法，所述衬底处理装置包括：晶片夹盘，在晶片夹盘上放置有衬底；注入器单元，位于晶片夹盘的一侧并注入工艺气体，所述工艺气体包括第一气体及第二气体；以及气体供应单元，向注入器单元供应工艺气体。气体供应单元包括：第一气体供应源及第二气体供应源，分别容纳第一气体及第二气体；第一气体供应管线及第二气体供应管线，分别将第一气体供应源及第二气体供应源连接到注入器单元；以及第一加热单元及第二加热单元，分别设置在第一气体供应管线及第二气体供应管线上。设置在第一气体供应管线上的第一加热单元的每单位长度上的密度比设置在第二气体供应管线上的第二加热单元的每单位长度上的密度大。

公开(公告)号：CN108257893A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711470648.5

申请日：2017-12-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 张原浩 ,  裵正龙 ,  金禹永 ,  李贤贞 ,  朴世真 ,  高镛璿 ,  韩东均 ,  沈雨宽 ,  金鹏

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02101 ,  B08B3/08 ,  B08B7/0021 ,  B08B2203/007 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/67207

Abstract: 一种基板处理装置，包括：腔室，提供处理基板的空间；第一基板支撑件，在腔室内并且构造为当基板装载到腔室中时支撑基板；第二基板支撑件，在腔室内并且构造为以比第一基板支撑件支撑基板的高度更大的高度支撑基板；第一供应端口，超临界流体通过第一供应端口被供应到腔室空间的在基板下方的第一空间；第二供应端口，超临界流体通过第二供应端口被供应到腔室空间的在基板上方的第二空间；以及排放端口，超临界流体通过排放端口从腔室排出。

公开(公告)号：CN106077965B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201610450148.4

申请日：2012-05-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W-S·类 ,  B·伊顿 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  S·辛格 ,  A·库玛 ,  J·M·霍尔登

IPC: B23K26/364 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/40 ,  B23K26/402 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/42 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/67207

Abstract: 本申请公开了多步骤和非对称塑形的激光束划线。提供了藉由激光划线和等离子体蚀刻二者分割基板的方法。一种方法包括：激光剥蚀材料层；以第一辐照度和后续的第二辐照度进行剥蚀，第二辐照度低于第一辐照度。可利用经调整而具有不同通量水平的射束的多重进程、或具有各种通量水平的多重激光束，在第一通量水平下剥蚀掩模和IC层以暴露基板，并且接着在第二通量水平下自沟槽底部清除再沉积的材料。一种利用分束器的激光划线装置可自单一激光提供具有不同通量的第一和第二射束。

公开(公告)号：CN107871696A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710870327.8

申请日：2017-09-22

Applicant: AP系统股份有限公司

Inventor： 金泰勳 ,  韩宰贤

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67155 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供一种用于处理衬底的设备，其预加热连接于第一腔室与第二腔室之间的转移腔室中的衬底。一种用于处理衬底的设备包含被配置以提供第一腔室与第二腔室之间的衬底的转移空间的转移腔室、装设于转移腔室中以转移衬底的转移机器人和装设于转移腔室中以在真空状态中将辐射能量转移到衬底的加热单元，衬底坐落于转移机器人上以移动到加热位置。本发明的用于处理衬底的设备可使衬底通过维持在真空状态中的转移腔室中的辐射能量加热，以在无人为压力增大的情况下转移前，通过利用待用时间来均匀地预加热衬底，由此改善生产率。

公开(公告)号：CN107768300A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201610675069.3

申请日：2016-08-16

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 张虎威

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/20 ,  H01J37/32 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67213

Abstract: 本发明提供一种卡盘、反应腔室及半导体加工设备。本发明的卡盘包括本体和基体，该本体包括第一承载面和环绕在第一承载面外周的第二承载面，第一承载面用于承载晶片的中心区域，第二承载面用于承载晶片的边缘区域，其中，第一承载面具有第一粗糙度，第一粗糙度能够在保证位于第一承载面与晶片之间的气体均匀分布的前提下，增大晶片与第一承载面之间的接触面积。本发明的反应腔室包括本发明的卡盘。本发明的半导体加工设备包括本发明的反应腔室。本发明提供的卡盘，可以提高晶片向卡盘进行热传导的效率，避免因晶片表面升温过快而造成的损坏。

公开(公告)号：CN107644808A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201710600272.9

申请日：2017-07-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 姜浩英

IPC: H01L21/027 ,  H01L23/544 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02016 ,  G03F7/42 ,  G03F7/427 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/687 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明公开了衬底的背面摩擦减小。处理室系统包括被配置成将衬底固定在第一处理室内的衬底安装模块。该系统还包括被配置成向衬底的正面表面施加光敏膜的第一沉积模块以及被配置成向衬底的背面表面施加膜层的第二沉积模块。衬底的正面表面与背面表面相反。衬底具有第一摩擦系数的裸背面表面。在衬底的背面表面上形成膜层。形成在衬底的背面表面上的膜层具有第二摩擦系数。第二摩擦系数低于第一摩擦系数。

公开(公告)号：CN107533951A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680025233.4

申请日：2016-04-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·汤普生 ,  M·萨利 ,  B·J·布扬

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/32 ,  H01L21/67 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C07F7/00

CPC classification number: H05K1/0296 ,  C07F7/00 ,  C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/50 ,  G03G15/50 ,  G03G15/80 ,  G03G21/1652 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/32 ,  H01L21/67207 ,  H05K1/0269 ,  H05K1/117 ,  H05K3/4015 ,  H05K3/403 ,  H05K2201/0394 ,  H05K2201/09063 ,  H05K2201/09181 ,  H05K2201/10287 ,  H05K2201/10363

Abstract: 相对于第二基板表面选择性地沉积膜到第一基板表面上的方法。方法包括使用甲硅烷基胺浸泡包含羟基终端的基板表面以形成甲硅烷基醚终端以及沉积膜到该甲硅烷基醚终端表面以外的表面上。

公开(公告)号：CN104752274B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201410431336.3

申请日：2014-08-28

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 吕峰 ,  张风港 ,  赵梦欣 ,  丁培军

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01J37/32642 ,  C23C14/0068 ,  C23C14/34 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3411 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供的工艺腔室以及半导体加工设备，其包括反应舱、进气系统和晶片传输装置，其中，反应舱设置在工艺腔室内，用以对晶片进行工艺；进气系统用于向反应舱提供工艺气体；晶片传输装置用于将晶片传输至反应舱内，在反应舱内设置有衬环组件，衬环组件的结构被设置为在其与反应舱的内侧壁之间形成匀流腔，用以将来自进气系统的工艺气体通过所述匀流腔均匀地输送至反应舱内。本发明提供的工艺腔室，其可以提高工艺气体进入反应舱的速度、控制参与工艺过程的工艺气体的流量的准确度，以及工艺气体在反应舱内的分布均匀性。