公开(公告)号：CN105742203B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201410749979.2

申请日：2014-12-10

申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 倪图强 ,  黄智林

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633

摘要： 本发明涉及一种改变处理腔室内气体流动模式的装置及晶圆处理方法和系统；基于通过进气口引入到处理腔室的气体对放置于该处理腔室内的晶圆进行处理；在处理腔室内设置进行气体流通模式调整的气体中心环，其中包含位于进气口的下方及晶圆的上方的固定部件，和能分别处在第一位置或第二位置移动环；该移动环在第一位置时，气体通过所述固定部件设置的第一开口向下输送至晶圆；该移动环在第二位置时，气体通过所述移动环设置的第二开口向下输送至晶圆。本发明通过固定部件与可移动部件的不同组合构成的气体中心环，来改变处理腔室内气体流动模式，实现对晶圆处理效果的有效控制，气体中心环调整期间无需打开处理腔室。

公开(公告)号：CN107541705A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710495599.4

申请日：2017-06-26

申请人： 威科仪器有限公司

发明人： 波里斯·L·宙斯 ,  维克多·卡纳罗 ,  尤里·尼古拉·叶夫图霍夫 ,  山迪普·柯里 ,  方兴杰

IPC分类号： C23C14/32 ,  C23C14/06 ,  H05H1/34

CPC分类号： C23C14/325 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/0611 ,  C23C14/243 ,  C23C14/542 ,  C23C14/543 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32614 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/3266

摘要： 本申请涉及供电弧等离子体沉积用的增强式阴极电弧源。改进的阴极电弧源和DLC膜沉积方法，其中在圆柱形石墨空腔内部产生定向喷射的含碳等离子体流，所述空腔的深度约等于阴极直径。所产生的碳等离子体膨胀通过孔口进入周围真空中，引起等离子体流发生强烈的自收缩。所述方法代表了一种重复工艺，其包括两个步骤：上述等离子体产生/沉积步骤和与之交替的回收步骤。这个步骤可以通过使空腔内部的阴极棒向孔口方向移动来定期除去腔壁上所积聚的过量碳。所述阴极棒伸出而高于所述孔口，且移回到初始阴极尖端位置。所述步骤可以定期再现直到膜沉积至目标厚度为止。技术优点包括膜硬度、密度和透明度改进、再现性高、持续操作时间长和微粒减少。

公开(公告)号：CN107385415A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710239093.7

申请日：2017-04-13

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 埃里克·拉塞尔·马德森 ,  兰斯·迪尔达尔

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C14/48 ,  C23C14/22 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01J37/3244 ,  B23K20/122 ,  B23K20/127 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45591 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32633 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  C23C14/22 ,  C23C14/48 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/50 ,  H01L21/67011

摘要： 本发明涉及挡板和喷头组件及相应的制造方法。挡板组件包括挡板、环和支撑构件。挡板具有外径并且配置成将气体分配通过衬底处理系统的喷头组件的喷头。气体从喷头组件的杆接收。该环具有内径并且被配置为设置在喷头组件的环形通道中。所述内径大于挡板的外径。支撑构件从挡板延伸到环。环和支撑构件将挡板保持在喷头的顶板和底板之间的位置。

公开(公告)号：CN103632916B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310380150.5

申请日：2013-08-27

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 陶玄浩 ,  洪俊杰 ,  保罗·赖卡特

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01J37/32477 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32504 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01J2237/022

摘要： 本发明涉及调整等离子体处理系统的方位非均匀性的对称返回衬垫，公开了用于调整等离子体处理室中的方位非均匀性的方法和装置。装置包括具有等离子体处理室和室衬的等离子体处理系统。调整方位非均匀性包括提供成组的导电带以将室衬连接至接地环，其中该成组的导电带中的导电带数量大于8。替代地或另外地，镜像切口针对室衬中的配对的现有切口或端口而提供。替代地或另外地，室衬具有针对配对结构而提供的虚设结构，该配对结构阻碍室中的气流和RF返回电流中的至少一者。

公开(公告)号：CN103748658B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201280035911.7

申请日：2012-07-11

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 哈梅特·辛格

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76814

摘要： 本发明公开了用于蚀刻原子层的衬底处理系统和方法。所述方法和系统被配置为将第一气体引入所述室，该气体是适合于蚀刻所述层的蚀刻剂气体，且允许所述第一气体存在于所述室中持续足以造成所述第一气体中的至少一些吸附到所述层的一段时间。用惰性气体实质上置换在所述室内的所述第一气体，然后从惰性气体产生亚稳态体以用所述亚稳态体蚀刻层，同时实质上防止所述等离子体带电物质蚀刻所述层。

公开(公告)号：CN103562437B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201280020707.8

申请日：2012-04-24

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 约翰·德鲁厄里 ,  龙茂林 ,  亚历克斯·帕特森

IPC分类号： C23F1/00

CPC分类号： H01J37/32651 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32633

摘要： 本发明限定了具有带限定凹槽构造的内部法拉第屏蔽件的等离子体处理腔室。在一示例中，腔室包括用于接纳衬底和布置在静电卡盘上方的介电窗的静电卡盘。还包括布置在腔室内部且限定在静电卡盘和介电窗之间的法拉第屏蔽件。所述法拉第屏蔽件包括具有内区、邻近内区的中区、邻近中区的外区。进一步限定法拉第屏蔽件的为延伸贯通所有三个区的第一组径向槽(A)、仅延伸贯通仅仅外区的第二组径向槽(C)以及延伸贯通中区和外区的第三组径向槽(B)。第一、第二和第三径向槽以槽A、C、B和C的重复模式围绕法拉第屏蔽件沿径向布置。

公开(公告)号：CN105097445A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510201123.6

申请日：2015-04-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林毓超 ,  邱沅明 ,  张铭庆 ,  蔡信谊 ,  陈昭成

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01J37/32862 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32633 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069

摘要： 本发明提供了去除蚀刻室中的颗粒的方法，包括：在干蚀刻室中形成涂层，将晶圆放置在干蚀刻室内，蚀刻晶圆的含金属层，以及将晶圆移出干蚀刻室。在将晶圆移出干蚀刻室之后，去除涂层。

公开(公告)号：CN103748658A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201280035911.7

申请日：2012-07-11

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 哈梅特·辛格

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76814

摘要： 本发明公开了用于蚀刻原子层的衬底处理系统和方法。所述方法和系统被配置为将第一气体引入所述室，该气体是适合于蚀刻所述层的蚀刻剂气体，且允许所述第一气体存在于所述室中持续足以造成所述第一气体中的至少一些吸附到所述层的一段时间。用惰性气体实质上置换在所述室内的所述第一气体，然后从惰性气体产生亚稳态体以用所述亚稳态体蚀刻层，同时实质上防止所述等离子体带电物质蚀刻所述层。

公开(公告)号：CN103295867A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310061470.4

申请日：2013-02-27

申请人： 细美事有限公司

发明人： 具一教 ,  沈铉宗

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： B05C11/00 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32651 ,  H01L21/67126

摘要： 本发明涉及等离子体边界限制器单元和用于处理基板的设备。提供了一种用于处理基板的设备。该设备包括设置在处理室内以围绕在支撑单元上面限定的排放空间的等离子体边界限制器单元。该等离子体边界限制器单元包括沿着排放空间的圆周设置的多个板，所述多个板沿着排放空间的圆周相互间隔开，使得排放空间内的气体通过在相邻板之间提供的通道而流到排放空间外面。

公开(公告)号：CN101996842B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201010247277.6

申请日：2010-07-30

申请人： 显示器生产服务株式会社

发明人： 李东锡 ,  蔡焕国 ,  文熙锡 ,  崔允珖

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32834

摘要： 本发明公开了一种等离子体蚀刻装置。该装置包括一个内室、一个阴极装置和一个完整的阴极内衬。所述的内室设有一个等离子体反应空间。所述的阴极装置是设置在内室内的中间，它支撑底板。所述的完整的阴极内衬在两层上设有多个第一气孔和第二气孔，它们彼此相互间隔，使内室中的气体流动和流出保持均匀，并且阴极内衬从外面插入到阴极装置上，并且其底部与内室的内表面相连。