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公开(公告)号：CN103295867B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310061470.4
申请日：2013-02-27
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: B05C11/00 , H01J37/32623 , H01J37/32633 , H01J37/32651 , H01L21/67126
Abstract: 本发明涉及等离子体边界限制器单元和用于处理基板的设备。提供了一种用于处理基板的设备。该设备包括设置在处理室内以围绕在支撑单元上面限定的排放空间的等离子体边界限制器单元。该等离子体边界限制器单元包括沿着排放空间的圆周设置的多个板，所述多个板沿着排放空间的圆周相互间隔开，使得排放空间内的气体通过在相邻板之间提供的通道而流到排放空间外面。
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公开(公告)号：CN103996634A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410054295.0
申请日：2014-02-18
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67253 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01J37/3299 , H01L22/10
Abstract: 半导体制造装置和利用该半导体制造装置的半导体制造方法，具体涉及利用等离子体的基板处理装置和利用该基板处理装置的基板处理方法。根据本发明的一实施例的基板处理方法包括：传送步骤，基板传送到腔体内部的处理空间；夹紧步骤，第1气体供给到上述处理空间并激发为等离子体状态，上述基板固定在支承部件上；基板处理步骤，第2气体供给到上述处理空间并激发为等离子体状态，对上述基板实施利用上述等离子体的工序；以及检测步骤，接受上述腔体内部的光并分析所接受的上述光从而检测上述腔体内部状况，在上述检测步骤中测量上述腔体内部状况，从而决定是否实施上述基板处理步骤。
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公开(公告)号：CN104078298A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410123775.8
申请日：2014-03-28
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/305 , H01L37/02 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及一种能够调节在腔体内部生成的等离子体密度的等离子体产生单元、包括该单元的基板处理装置及方法。根据本发明的一实施例的基板处理装置包括：提供实施工序的处理空间的腔体；在上述处理空间支撑基板的基板支撑单元；向上述处理空间供给处理气体的气体供给单元；以及根据向上述处理空间供给的处理气体产生等离子体的等离子体产生单元，上述等离子体产生单元具有：设置在上述腔体的上部的天线部件；位于上述天线部件的上部的调节焊盘；以及使上述调节焊盘向上下移动的驱动部件。
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公开(公告)号：CN103855459A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310613417.0
申请日：2013-11-27
Applicant: 细美事有限公司
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/3211
Abstract: 本发明提供了一种等离子体天线以及包括所述等离子天线的等离子体产生装置。等离子体天线包括：第一天线，其利用射频信号感生电磁场；第二天线，其利用射频信号感生电磁场；以及电容器，其连接在第一天线的输入端子与第二天线的输入端子之间。
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公开(公告)号：CN103715051A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310451516.3
申请日：2013-09-27
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子处理装置。等离子体处理装置，包括：在内部形成空间的腔室；位于所述腔室内并支承基板的基板支承单元；向所述腔室内供给工艺气体的气体供给单元；位于所述腔室的上部并具有提供从所述工艺气体产生等离子体的电磁波的天线的等离子体源单元；位于所述天线的上部使从所述天线向所述腔室的相反方向提供的电磁波反射到朝向所述腔室的方向的反射板；以及使所述反射板的位置移动的反射板驱动部。
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公开(公告)号：CN103715051B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310451516.3
申请日：2013-09-27
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子处理装置。等离子体处理装置，包括：在内部形成空间的腔室；位于所述腔室内并支承基板的基板支承单元；向所述腔室内供给工艺气体的气体供给单元；位于所述腔室的上部并具有提供从所述工艺气体产生等离子体的电磁波的天线的等离子体源单元；位于所述天线的上部使从所述天线向所述腔室的相反方向提供的电磁波反射到朝向所述腔室的方向的反射板；以及使所述反射板的位置移动的反射板驱动部。
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公开(公告)号：CN103295867A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310061470.4
申请日：2013-02-27
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: B05C11/00 , H01J37/32623 , H01J37/32633 , H01J37/32651 , H01L21/67126
Abstract: 本发明涉及等离子体边界限制器单元和用于处理基板的设备。提供了一种用于处理基板的设备。该设备包括设置在处理室内以围绕在支撑单元上面限定的排放空间的等离子体边界限制器单元。该等离子体边界限制器单元包括沿着排放空间的圆周设置的多个板，所述多个板沿着排放空间的圆周相互间隔开，使得排放空间内的气体通过在相邻板之间提供的通道而流到排放空间外面。
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