公开(公告)号：CN108281346A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201711390799.X

申请日：2017-12-21

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 冯野 ,  普拉尚斯·库马尔 ,  安德鲁·D·贝利三世

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  G06F9/30

CPC classification number: H01L22/26 ,  H01J37/32926 ,  H01J37/32963 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/67259 ,  H01L22/00 ,  H01L22/12 ,  H01L22/24 ,  H01L21/02 ,  G06F9/30003 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及从光谱时间序列进行特征提取以控制工艺结束点的方法。方法包括访问从在训练操作期间收集的用于蚀刻工艺的光谱时间序列产生的虚拟毯。在制造晶片上运行制造蚀刻工艺，使得执行制造蚀刻工艺时，为制造蚀刻工艺产生由光谱时间序列定义的毯的部分。将制造蚀刻工艺的毯的部分与虚拟毯比较。当比较指示已达到制造晶片的期望指标时，处理制造蚀刻工艺的结束指示。一示例中，毯的部分包括当前捕获的光谱帧和至少一先前捕获的光谱帧。制造蚀刻工艺的毯的部分拟合至虚拟毯以识别在相关中使用的虚拟帧号与相关联的浮动参数来预测该指标的值。在训练期间产生的每个毯和虚拟毯由多项式定义。在训练中产生的毯的系数是虚拟毯的多项式的系数的子集。

公开(公告)号：CN103972123B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201310537592.6

申请日：2013-11-04

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 丁荣载

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01J37/3299 ,  H01J37/32972

Abstract: 本发明提供了监控生产工艺的方法及生产工艺监控装置。一种监控生产工艺的方法包括：通过使用测量装置分析等离子体发射光的发射强度来产生测量数据，当生产工艺装置中的等离子体气体从对应于高能态的能级变成对应于低能态的能级时产生所述等离子体发射光；基于测量数据产生补偿值，所述补偿值通过抵消由于生产工艺装置和测量装置的污染或测量装置的测量位置导致的灵敏度的变化而产生；基于补偿值监控生产工艺。

公开(公告)号：CN107579044A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710534660.1

申请日：2017-07-03

Applicant: SPTS科技有限公司

Inventor： 奥立佛·J·安塞尔 ,  戴维·A·托塞尔 ,  马丁·哈尼辛克

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/302 ,  B23K10/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32917 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32963 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L22/12 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明提供了一种对与等离子体切割工艺的最终阶段相关的状况进行探测的方法，包括以下步骤：提供非金属基板，所述非金属基板上限定有多个切割通道；沿所述切割通道，等离子体蚀刻穿透所述衬底，其中在所述等离子体蚀刻期间，监测从所述切割通道的至少一部分发出的红外辐射，从而当观察到来自切割通道的红外辐射的增加时，视为进入等离子体切割操作的最后阶段；和由所监测的红外辐射探测与所述等离子体切割的最终阶段相关的状况。本发明还涉及相关的装置。

公开(公告)号：CN106504971A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201710002475.8

申请日：2017-01-03

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方光电科技有限公司

Inventor： 李宛泽 ,  刘轩 ,  刘祖宏

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32963 ,  H01J37/32972 ,  H01J37/32981

Abstract: 本发明提供一种等离子刻蚀方法及等离子刻蚀装置，涉及显示技术领域，可提高基板良率。所述等离子刻蚀方法包括：从刻蚀腔室中实时采集获取波长-光强图，并根据所述波长-光强图，得到所述刻蚀腔室内含量最多的生成物；根据所述生成物实时控制所述刻蚀腔室内的温度。用于刻蚀待刻蚀基板。

公开(公告)号：CN103811249B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201310045137.4

申请日：2013-02-05

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 安藤阳二 ,  小野哲郎 ,  臼井建人

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3299 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32972

Abstract: 本发明提供一种具备高灵敏度化了的等离子体发光检测单元的等离子体处理装置以及使用了高灵敏度化了的等离子体发光检测单元的等离子体处理方法。本发明提供一种等离子体处理装置，具备：处理室，进行等离子体处理；气体供给单元，对所述处理室供给工艺气体；高频电源，供给用于对供给到所述处理室内的工艺气体进行等离子体化的高频电力；以及光检测器，检测在所述处理室内生成的等离子体的发光，所述离子体处理装置的特征在于：所述光检测器具备：检测部，在规定的曝光时间的期间，检测通过脉冲调制了的高频电力生成的等离子体的发光；以及控制部，进行控制以使在各所述曝光时间内检测的所述等离子体的发光的量成为恒定。

公开(公告)号：CN101840850B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201010176814.2

申请日：2010-03-12

Applicant: SPP加工技术系统英国有限公司

Inventor： O·安塞尔 ,  A·巴拉斯 ,  P·本内特 ,  D·托塞尔

IPC: H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01J37/32917 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32963 ,  H01J37/32972 ,  H01J37/32981 ,  H01J37/3299

Abstract: 本发明公开了一种化学蚀刻工件的装置，该装置包括：接收处理气体的腔室，该腔室具有用于抽取排出气体的泵送口；和位于腔室内泵送口的上游的工件支撑部。该腔室进一步包括副腔，该副腔位于泵送口的上游和工件支撑部的下游，副腔包括窗口和临近窗口的激发源，该激发源用于在排出气体的样品中产生等离子体，从而产生能够通过窗口被监测的光发射。

公开(公告)号：CN105431566A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201480027297.9

申请日：2014-03-07

Applicant: 卡迪奈尔镀膜玻璃公司

Inventor： 基思·J·伯罗斯 ,  克里斯托弗·L·格鲁贝尔 ,  克劳斯·H·W·哈尔蒂希

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/00 ,  C23C14/54 ,  H01J37/34

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/54 ,  C23C14/542 ,  C23C14/544 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32972 ,  H01J37/34

Abstract: 用于将气体输送到溅射室的气体歧管设置有端口(116)以容纳等离子体发射监测仪，以监测所述溅射室中的等离子体信息，以提供反馈控制。所述等离子体发射监测仪的准直器暴露于气流中，并且所述监测仪的涂覆因此被大大减少。

公开(公告)号：CN103313502B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310070318.2

申请日：2013-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 角谷晶子 ,  桥本清 ,  佐藤洁和 ,  吉行健 ,  来栖努

IPC: H05H1/24 ,  G21K5/00

CPC classification number: H01J37/3299 ,  A61N5/1067 ,  A61N2005/1088 ,  H01J27/24 ,  H01J37/30 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H01J49/161 ,  H01J2237/0815 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明涉及能够在使用激光的离子源中始终监视真空容器内的离子中的与目标离子不同的非目标离子的离子源、重粒子线照射装置、离子源的驱动方法以及重粒子线照射方法。激光烧蚀等离子体产生装置（27）使得从真空容器（1）内的包含有元素的靶（2）产生激光烧蚀等离子体（4）。离子束引出部（18）通过将激光烧蚀等离子体（4）中包含的离子从真空容器（1）内引出来生成离子束（5）。离子检测器（9）检测真空容器（1）内的离子中的与元素被离子化后的目标离子不同的非目标离子，作为检测结果而输出检测信号（14），该检测信号（14）表示非目标离子的数量，或者表示作为非目标离子相对于目标离子的混合比的值。

公开(公告)号：CN103109343B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201180034905.5

申请日：2011-07-07

Applicant: 于利奇研究中心有限公司

Inventor： S.穆特曼 ,  A.戈迪恩 ,  R.卡里尤斯 ,  M.许尔斯贝克 ,  D.哈伦斯基

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01J1/02 ,  C23C14/52 ,  C23C16/44 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/52 ,  G01J3/44 ,  H01J37/32 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32972

Abstract: 本发明涉及一种用于在等离子体室中产生等离子体的rf电极，其特征在于光学通孔。本发明还涉及一种等离子体室，包括rf电极和具有用于容纳衬底的衬底固定器的反电极，其中在rf电极和反电极之间能够构成用于产生等离子体的高频交变场。该等离子体室的特征在于具有光学通孔的rf电极。本发明还涉及一种用于在等离子体室中对层或等离子体进行原位分析或原位处理的方法，其中该层设置在反电极上并且在朝向层的一侧上设置rf电极。该方法的特征在于选择具有光学通孔的rf电极，并且其特征在于至少一个步骤，在所述步骤中电磁辐射为了对层或等离子体进行分析或处理的目的通过光学通孔引导，并且在于至少一个其它步骤，在所述步骤中所散射或发射或反射的辐射被输送到分析设备。

公开(公告)号：CN104299880A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410341799.0

申请日：2014-07-17

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 户上真人 ,  臼井建人 ,  广田侯然 ,  井上智己 ,  中元茂

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32972 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32908 ,  H01J37/32963 ,  H01J37/3299 ,  H01J2237/0266 ,  H01J2237/2445 ,  H01J2237/3341

Abstract: 本发明提供提高了处理的成品率的等离子体处理装置或等离子体处理装置的运行方法。该等离子体处理装置包括检测来自在处理室内形成的等离子体的发光强度的变化的检测器，使用来自该检测器的输出来调节形成上述等离子体或处理配置于该处理室内的晶片的条件，上述检测器检测上述处理中的任意时刻以前的多个时刻下的上述发光强度的信号，从该检测出的信号中去除上述发光强度的长周期的时间变化的分量，从而检测上述发光强度的短时间变化的分量，并且上述检测器基于检测出的上述发光强度的短时间变化来调节形成上述等离子体或处理配置于该处理室内的晶片的条件。