公开(公告)号：CN107254673B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201710439046.7

申请日：2017-06-12

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  成都京东方光电科技有限公司

Inventor： 尹志中

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/24 ,  C23C14/04

CPC classification number: C23C14/568 ,  C23C14/042 ,  C23C14/24 ,  C23C14/52 ,  C23C14/54 ,  C23C28/00 ,  H01L51/001 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种蒸镀系统和蒸镀系统的蒸镀方法，蒸镀系统包括：至少一条蒸镀线、第一传送轨道和托盘，每条蒸镀线包括蒸镀腔室，蒸镀腔室包括多个子蒸镀腔，多个子蒸镀腔依次相连，蒸镀腔室的一端形成有蒸镀线入口、另一端形成有蒸镀线出口，子蒸镀腔内设有蒸发源组件；第一传送轨道穿设在蒸镀线入口和蒸镀线出口之间，第一传送轨道位于蒸发源组件的上方；托盘包括用于放置工件的托架，托盘可移动地设在第一传送轨道上以在蒸镀线入口和蒸镀线出口之间传送工件使蒸发源组件对工件进行蒸镀。根据本发明实施例的蒸镀系统，优化了蒸镀线的布局，简化了操作步骤，提高了空间利用率，减小了蒸镀系统的整体占用空间和成本。

公开(公告)号：CN109652764A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201910074239.6

申请日：2019-01-25

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 陈汪林 ,  李炳新 ,  王成勇 ,  颜安

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/0688 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明涉及一种基于PVD技术的块体金属陶瓷材料及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤：S1：将基片设置于PVD设备转架上，控制靶材工作面与基片正对，且两者的距离为7~50 cm；S2：控制靶材电流密度为150~300 A，基体偏压为0~-40 V，沉积时间10~30 h，即得所述块体金属陶瓷材料。本发明通过优化靶材与基片之间的间距、靶材电流密度、基体偏压、沉积时间等核心工艺参数，使得基体负变压作用，实现了块体金属陶瓷材料的制备；制备得到的金属陶瓷组织致密，晶粒细小，硬度和强度高，断裂韧性好，具有优异的热稳定性、抗腐蚀和抗高温氧化性能，力学、物理和化学性能优异。

公开(公告)号：CN109207945A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201811060180.7

申请日：2018-09-12

Applicant: 杭州联芳科技有限公司

Inventor： 丁红 ,  乔宪武

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/354 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明属于磁控溅射装置，具体涉及一种复合式磁控溅射沉积台。一种复合式磁控溅射沉积台，母沉积台和子沉积台，其特征在于：母沉积台固定在真空室内部下方，且位置在磁控溅射装置的正下方，子沉积台通过电机装置连接到母沉积台上方，并且子沉积台的台面能够水平转动，电声换能装置固定在母沉积台上，与子沉积台的台面水平。通过间歇性超声控制，有效的增强附着在金属丝表面层附着力。

公开(公告)号：CN109136859A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201811228392.1

申请日：2018-10-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李炳生 ,  宋东雨 ,  李丽 ,  李林 ,  余立冬

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/02 ,  C23C14/54 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/28 ,  C23C14/021 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明公开了一种制备高透光率氧化镓薄膜的方法，涉及一种优化工艺制备高透光率氧化镓薄膜的方法。本发明通过优化制备工艺，明显提高了氧化镓薄膜的光学性质，克服了透光率低的技术问题。本发明通过引入低温缓冲层的方法得到了高透光率的氧化镓薄膜，透光率高达90％以上。

公开(公告)号：CN108475611A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680074818.5

申请日：2016-11-28

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 陈宗良 ,  约翰·哈塔拉 ,  梁树荣 ,  约瑟·欧尔森

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C14/54 ,  C23C14/221 ,  C23C14/48 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32422 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274

Abstract: 本发明的方法是在等离子体处理设备中增加反应离子与中性物质的比。示例性方法包含提供处理设备，处理设备具有包含第一气体入口的等离子体源腔室以及耦合到等离子体源腔室的沉积腔室，其中沉积腔室包含第二气体入口，用于将使用点气体输送到邻近设置在沉积腔室内的衬底的区域。示例性方法进一步包含产生用于输送到衬底的离子束，以及修改沉积腔室内接近衬底的区域中的压力，从而增加在离子束被输送到衬底时存在的用于冲击衬底的反应离子的量。

公开(公告)号：CN108193184A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201810187721.6

申请日：2018-03-07

Applicant: 河北物华天宝镀膜科技有限公司

Inventor： 杨宏斌 ,  冷庆吉 ,  齐丽婧 ,  郭仙 ,  柳丽丽 ,  李忠祥

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明涉及阴极设备技术领域，具体是一体式阴极盖板控制面板包括：面板背板、监控器、冷却水快接头、工艺气体快接头、通讯接口、控制快插接口及高压快插接口，本发明实施例提供的一体式阴极盖板控制面板，将磁控溅射阴极盖板的各外部连接端有机集中到一块面板上，方便生产过程中的检查，并且最大限度的使复杂的阴极盖板简洁化；所有接口全部采用快插式接口，简化了在开腔检查过程中阴极盖板的装卸步骤，同时将通讯接口与控制接口分开处理最大限度保证系统通讯的稳定性，本发明能够将外部的连接端有效集中并进行分区的集成化控制面板，结构简单，设计合理。

公开(公告)号：CN103805945B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201310231474.2

申请日：2013-06-09

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 蒋允豪

IPC: C23C14/22 ,  C23C14/12 ,  C23C14/04 ,  H01L51/56 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/56 ,  C23C14/042 ,  C23C14/243 ,  C23C14/50 ,  C23C14/54 ,  C23C14/568 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0008

Abstract: 本发明提供了一种有机层沉积设备、一种通过利用该有机层沉积设备制造有机发光显示装置的方法和一种通过该方法制造的有机发光显示装置，具体地讲，本发明提供了一种适合于在大基底的批量生产中使用的、能够实现高分辨率图案化的且能够控制图案化缝隙片和移动的基底之间的距离的有机层沉积设备、一种通过利用该有机层沉积设备制造有机发光显示装置的方法以及一种通过所述方法制造的有机发光显示装置。

公开(公告)号：CN107964650A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201711374831.5

申请日：2014-07-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·Y·孙 ,  B·P·卡农戈 ,  V·菲鲁兹多尔 ,  Y·张

IPC: C23C14/48 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54

CPC classification number: H01L21/67023 ,  B65D43/02 ,  C23C4/01 ,  C23C4/04 ,  C23C4/10 ,  C23C4/11 ,  C23C4/12 ,  C23C4/134 ,  C23C4/14 ,  C23C4/16 ,  C23C14/0015 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/0031 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0052 ,  C23C14/0084 ,  C23C14/0094 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/083 ,  C23C14/088 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32513 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67086 ,  Y10T428/131 ,  Y10T428/1317 ,  Y10T428/139 ,  Y10T428/1393 ,  C23C14/48 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明涉及用于处理腔室的腔室部件、抗等离子体盖或喷嘴及制造制品的方法。制造制品的方法包含提供用于蚀刻反应器的盖或喷嘴。随后执行离子辅助沉积(IAD)以在盖或喷嘴的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是具有小于300μm的厚度以及10微英寸或更小的平均表面粗糙度的抗等离子体的稀土氧化物膜。

公开(公告)号：CN107916403A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710907176.9

申请日：2017-09-29

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 孙尚佑 ,  深沢孝之 ,  申相原

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/3464 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明涉及一种沉积装置，其能够使材料均匀地沉积至基板上。根据本发明的实施例的沉积装置具备：多个阴极，位于腔室内；托盘，位于所述阴极的一侧，用于固定基板；阳极，与所述阴极相邻而布置，以预定角度进行旋转的同时向所述基板侧供应氧气。

公开(公告)号：CN107002230B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201680003969.1

申请日：2016-06-10

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 中村真也 ,  藤井佳词

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/00

CPC classification number: C23C14/34 ,  C23C14/081 ,  C23C14/35 ,  C23C14/52 ,  C23C14/54 ,  G01L13/00 ,  H01J37/32798 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/34

Abstract: 本发明提供一种能可靠地判断出真空室内的气氛是否适合成膜的溅射装置及其状态判断方法。本发明的溅射装置的状态判断方法，其通过溅射靶(2)并在与该靶相对配置的基板(W)上形成薄膜的溅射装置(SM)，在对基板形成薄膜之前判断真空室内的气氛是否是适合成膜的状态，所述溅射装置的状态判断方法中，使用通过隔离装置(6、71～73)而在真空室内设置靶和基板所面对的与真空室隔离开的隔离空间，随着真空室内被抽真空使得隔离空间也被抽真空的装置作为溅射装置，包含将真空室内抽真空到预设的压力，在该状态下导入气体，获取此时隔离空间内的压力，以在以规定的薄膜厚度、薄膜质量面内分布形成了薄膜时预先求出的所述隔离空间内的压力为基准压力，比较该基准压力和所述获取的隔离空间内的压力并判断溅射装置的状态的第一判断工序。