公开(公告)号：CN107430872B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201680019575.5

申请日：2016-06-02

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 森谷友博 ,  中田仁志 ,  岛津武仁

IPC: G11B5/851 ,  G11B5/738 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/8404 ,  C23C14/022 ,  C23C14/024 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/185 ,  C23C14/35 ,  G11B5/73 ,  G11B5/7379 ,  G11B5/851

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有含有(Mg1－xTix)O的种子层和含有L10型有序合金的磁记录层的层叠结构、且具有提高了的特性的磁记录介质。本发明的磁记录介质的制造方法包含(1)准备基板的工序；(2)在基板上形成含有(Mg1－xTix)O的种子层的工序；(3)在含有稀有气体的气氛中将种子层等离子蚀刻的工序；(4)在实施了工序(3)的种子层上形成含有有序合金的磁记录层的工序。

公开(公告)号：CN106463608B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201580034198.8

申请日：2015-06-11

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 广濑光隆 ,  小林宏树 ,  逸见充则 ,  塚越和也 ,  露木达郎 ,  木村勋 ,  邹弘纲

IPC: H01L41/319 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L41/047 ,  H01L41/29 ,  H01L41/316

CPC classification number: H01L41/0477 ,  C23C14/08 ,  C23C14/088 ,  C23C14/165 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3464 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/29 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319

Abstract: 本发明提供一种在通过溅射形成PZT薄膜时在不使用以往的种子层的情况下抑制作为杂质相的烧绿石相的生成的技术。本发明是具有在Si基板10上经由作为铂紧贴层的TiOX层4而设置的Pt电极层5、在Pt电极层5上形成的Ti薄膜层6、以及在Ti薄膜层6上形成的PZT薄膜层7的PZT薄膜层叠体。能够使Ti薄膜层6的厚度为1nm以上10nm以下。

公开(公告)号：CN105473756B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201580001616.3

申请日：2015-05-15

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  佐佐和明 ,  待永广宣 ,  上田恵梨 ,  黑瀬爱美 ,  梨木智刚

IPC: C23C14/08 ,  B32B7/025 ,  B32B9/00 ,  C23C14/44 ,  C23C14/58 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/58 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  H01B1/02 ,  H01B3/426 ,  H01B3/427 ,  H01L31/022466

Abstract: 提供能够飞跃性提高晶体转化处理后的透明导电层相对于晶体转化处理前的透明导电层的电特性、实现进一步的低电阻化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备薄膜基材(2)和形成于该基材的一个主表面(2a)的结晶质透明导电层(3)。晶体转化处理前的非晶质透明导电层的载流子密度na×1019为(10～60)×1019/cm3、霍尔迁移率μa为10～25cm2/V·s，晶体转化处理后的结晶质透明导电层(3)的载流子密度nc×1019为(80～150)×1019/cm3、霍尔迁移率μc为20～40cm2/V·s，由{(nc‑na)2+(μc‑μa)2}1/2定义的移动距离L为50～150。

公开(公告)号：CN107533881B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201680022628.9

申请日：2016-04-21

Applicant: 住友金属矿山股份有限公司

Inventor： 下地匠 ,  永田纯一

IPC: H01B5/14 ,  B32B7/02 ,  C23C14/08 ,  H05K1/09

CPC classification number: B32B7/02 ,  B32B15/08 ,  C22C19/03 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  C23C14/562 ,  C23C22/68 ,  C23F1/28 ,  C25D3/38 ,  C25D5/34 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04112 ,  H01B5/14 ,  H05K1/0274 ,  H05K1/09 ,  H05K3/06 ,  H05K3/07 ,  H05K3/16 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/10151

Abstract: 提供一种导电基板，其具有：透明基材；金属层，其形成在所述透明基材的至少一个表面上；及黑化层，其形成在所述透明基材的至少一个表面上。所述黑化层含有单质铜和/或铜化合物、以及单质镍和镍化合物。所述镍化合物包括镍氧化物和镍氢氧化物。

公开(公告)号：CN109628890A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201910022200.X

申请日：2019-01-10

Applicant: 河北大学

Inventor： 陈明敬 ,  宁兴坤 ,  方立德 ,  孟庆刚 ,  王江龙 ,  王淑芳 ,  李小亭

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  H01L43/08

CPC classification number: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/5806 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供了一种钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结及其制备方法，所述钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结的厚度为30~60 nm，其包括钌酸锶薄膜和镧锶锰氧薄膜，所述镧锶锰氧薄膜中各成分的摩尔比La∶Sr∶Mn∶O=1‑x∶x∶1∶3，0≤x≤1；所述钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结是采用脉冲激光沉积法制得的。本发明钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结的制备工艺简单，生产成本低，通过改变镧锶锰氧薄膜中Sr元素的掺杂含量可精确有效调控钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结的横向、纵向交换偏置方向和数值，应用前景广阔。

公开(公告)号：CN109628882A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811604954.8

申请日：2018-12-26

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 刘明 ,  蓝国华 ,  沈律康

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C23C14/58 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C23C14/08 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/28 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873

Abstract: 本发明涉及纳米结构薄膜材料领域，涉及一种具有弯曲稳定性的LiFe5O8纳米柱阵列薄膜及其制备方法，包括以下步骤：采用脉冲激光沉积技术在基片上进行陶瓷靶材外延复合纳米薄膜的生长；所述陶瓷靶材为LiFe5O8:MgO陶瓷靶材；生长结束后，进行退火处理，最后降至室温，得到LF1MX复合纳米薄膜，其中LF1MX表示(LiFe5O8)1:(MgO)X，X的数值范围是2～4；将LF1MX复合纳米薄膜中的MgO相去除，得到具有弯曲稳定性的LiFe5O8纳米柱阵列薄膜。本发明采用脉冲激光沉积技术和材料自成核现象，制得LF1MX复合纳米薄膜，通过去除LF1MX复合纳米薄膜中的MgO相，实现LiFe5O8纳米柱阵列的制备。本发明具有成本低，制备简单，同时获得形状规整的高质量纳米柱阵列的特点。

公开(公告)号：CN109477909A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780043406.X

申请日：2017-07-10

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： R·A·贝尔曼 ,  S·D·哈特 ,  K·W·科齐三世 ,  C·A·伯尔森 ,  J·J·普莱斯 ,  C·A·K·威廉姆斯

IPC: G02B1/115 ,  G02B1/14 ,  C03C17/00 ,  C23C14/00 ,  G02B5/28

CPC classification number: G02B1/14 ,  B29D11/00865 ,  C03C17/3435 ,  C03C21/002 ,  C03C2217/734 ,  C03C2217/78 ,  C03C2217/91 ,  C23C14/0047 ,  C23C14/0078 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/082 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/225 ,  C23C14/34 ,  C23C14/352 ,  G02B1/115 ,  G02B5/28

Abstract: 一种涂覆的制品可以包括基材和光学涂层。所述基材可以具有包含第一部分和第二部分的主表面。垂直于主表面的第一部分的第一方向可以不同于垂直于主表面的第二部分的第二方向。光学涂层至少可以设置在主表面的第一部分和第二部分上。在基材的第一部分处和基材的第二部分处，涂覆的制品在约50nm或更深的压痕深度处可以展现出约8GPa或更大的硬度，所述硬度通过布氏压头硬度测试在所述抗反射表面上测得。

公开(公告)号：CN109267028A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201811444407.8

申请日：2018-11-29

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 费佳蕾 ,  吴红艳 ,  王璐 ,  沈国柱

IPC: C23C14/46 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/46 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明涉及一种镍锌氧化合物光电薄膜及其制备方法，借助双阴极辉光等离子放电作用在Ni基体表面溅射沉积锌氧化合物薄膜，将基体用丙酮进行超声清洗，之后将预处理好的基体放入等离子体炉内的试样台上完成样品表面锌氧化合物薄膜的制备。本发明以高纯金属元素为靶材，为了提高元素反应的供应量和供应效率，在基片和靶材周围形成双层辉光等离子放电，成膜仅需要10-30min。本发明通过元素的溅射反应形成大面积高质量的复合透明薄膜电极，薄膜的厚度在5-10微米。本发明得到的薄膜表面质量高，且制备方法已较为成熟，成本低，无污染，工艺流程较为简单，对基体本身的性能几乎无影响，不会损伤基体。

公开(公告)号：CN109065661A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810801049.5

申请日：2018-07-20

Applicant: 北京镓族科技有限公司

Inventor： 吴真平 ,  余杰

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28

CPC classification number: H01L31/1085 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18

Abstract: 基于铝酸镁衬底的氧化镓薄膜光电探测器及其制造方法。本发明提供了一种氧化镓薄膜光电探测器，以及相应的氧化镓薄膜和氧化镓薄膜的制造方法。所述的探测器包括依次叠置的衬底、氧化镓薄膜和电极，其中氧化镓薄膜为(00l)取向的β‑Ga2O3薄膜，衬底为MgAl2O4衬底。本发明的工艺可控性强、容易操作。本发明制得的氧化镓薄膜表面致密、厚度稳定均一，适于大面积制备、且复性好。本发明制得的光电探测器响应度高、暗电流小、紫外可见抑制比高、制造工艺简单，且所用材料容易获得。

公开(公告)号：CN105393360B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201480040462.4

申请日：2014-07-16

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 中山德行 ,  西村英一郎 ,  井藁正史

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L21/477

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种结晶质氧化物半导体薄膜，其中，在非晶质状态中蚀刻性优良，并且在结晶质状态中具有低载流子浓度和高载流子迁移率，适宜用作薄膜晶体管的沟道层材料，仅由方铁锰矿型结构的In2O3相构成。通过将氧化物烧结体作为靶来形成非晶质氧化物薄膜，并且，对该非晶质氧化物薄膜通过利用光刻法技术进行蚀刻来进行微细加工，进行退火处理，并且，所述氧化物烧结体由铟、镓、氧和不可避免的杂质构成，所述镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计处于0.09～0.45的范围，并且以方铁锰矿型结构的In2O3相作为主结晶相，在该主结晶相中微细地分散有β‑Ga2O3型结构的GaInO3相或者β‑Ga2O3型结构的GaInO3相和(Ga,In)2O3相。