公开(公告)号：CN109065661A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810801049.5

申请日：2018-07-20

Applicant: 北京镓族科技有限公司

Inventor： 吴真平 ,  余杰

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28

CPC classification number: H01L31/1085 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18

Abstract: 基于铝酸镁衬底的氧化镓薄膜光电探测器及其制造方法。本发明提供了一种氧化镓薄膜光电探测器，以及相应的氧化镓薄膜和氧化镓薄膜的制造方法。所述的探测器包括依次叠置的衬底、氧化镓薄膜和电极，其中氧化镓薄膜为(00l)取向的β‑Ga2O3薄膜，衬底为MgAl2O4衬底。本发明的工艺可控性强、容易操作。本发明制得的氧化镓薄膜表面致密、厚度稳定均一，适于大面积制备、且复性好。本发明制得的光电探测器响应度高、暗电流小、紫外可见抑制比高、制造工艺简单，且所用材料容易获得。

公开(公告)号：CN109037386A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810801066.9

申请日：2018-07-20

Applicant: 北京镓族科技有限公司

Inventor： 吴真平 ,  余杰

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明提供了一种氧化镓薄膜光电探测器，以及相应的氧化镓薄膜和氧化镓薄膜的制造方法。所述的探测器包括依次叠置的衬底、氧化镓薄膜和电极，其中氧化镓薄膜为(00l)取向的β‑Ga2O3薄膜，衬底为MgO衬底。本发明的工艺可控性强、容易操作。本发明制得的氧化镓薄膜表面致密、厚度稳定均一，适于大面积制备、且复性好。本发明制得的光电探测器响应度高、暗电流小、紫外可见抑制比高、制造工艺简单，且所用材料容易获得。