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公开(公告)号：CN106463608B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201580034198.8
申请日：2015-06-11
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L41/319 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L41/047 , H01L41/29 , H01L41/316
CPC classification number: H01L41/0477 , C23C14/08 , C23C14/088 , C23C14/165 , C23C14/34 , C23C14/3464 , H01L41/0815 , H01L41/29 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 本发明提供一种在通过溅射形成PZT薄膜时在不使用以往的种子层的情况下抑制作为杂质相的烧绿石相的生成的技术。本发明是具有在Si基板10上经由作为铂紧贴层的TiOX层4而设置的Pt电极层5、在Pt电极层5上形成的Ti薄膜层6、以及在Ti薄膜层6上形成的PZT薄膜层7的PZT薄膜层叠体。能够使Ti薄膜层6的厚度为1nm以上10nm以下。
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公开(公告)号：CN105229810B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201480026406.5
申请日：2014-05-22
IPC: H01L41/316 , C23C14/06 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/18 , C23C14/0052 , C23C14/06 , C23C14/0641 , C23C14/18 , C23C14/185 , C23C14/34 , C23C14/3464 , C23C14/46 , H01L41/187 , H01L41/316
Abstract: 一种压电体薄膜(1)，其是通过溅射得到的并且由钪铝氮化物制成的。其碳原子含有率为2.5原子％以下。在压电体薄膜(1)的制造时，在至少含有氮气的气氛下，从碳原子含有率为5原子％以下的钪铝合金靶材(10)向基板上(21)同时溅射钪和铝。另外，也可以对合金靶材的相对面倾斜地照射离子束(31)来进行溅射。另外，也可以从Sc靶材和Al靶材向基板上同时溅射铝和钪。由此，能够提供可发挥优良的压电特性的压电体薄膜及其制造方法。
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公开(公告)号：CN104817320B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510053686.5
申请日：2015-02-02
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/475 , C04B35/453 , C04B35/26 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/1878 , C04B35/475 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/327 , H01L41/0805 , H01L41/083 , H01L41/18 , H01L41/316
Abstract: 本发明的目的在于提供一种压电特性、尤其是自发极化和位移大，进一步从低公害化、对环境性以及生态学的观点出发也优异的压电组合物和压电元件。该压电组合物的特征在于，主成分是钙钛矿型结构的下述通式所表示的物质。(Bi(0.5x+y+z)Na0.5x)m(Ti(x+0.5y)Mg0.5yMez)O30.05≦x≦0.70.01≦y≦0.70.01≦z≦0.60.75≦m≦1.0(式中，x+y+z＝1，上述过渡金属元素Me为选自Mn、Cr、Fe或Co中的任意一种以上。)。
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公开(公告)号：CN104395087B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201380033316.4
申请日：2013-07-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: B41J2/14 , G11B5/48 , H01L41/053 , H01L41/08 , H01L41/09 , H01L41/113
CPC classification number: H01L41/0478 , B41J2/14233 , H01L41/0477 , H01L41/0815 , H01L41/1873 , H01L41/313 , H01L41/316
Abstract: 根据本发明的压电器件(100)设置有第一电极膜(5)、设置在第一电极膜(5)上的第一非金属导电性中间膜(4)、设置在第一非金属导电性中间膜(4)上的压电膜(3)、设置在压电膜(3)上的第二非金属导电性中间膜(2)、以及设置在第二非金属导电性中间膜(2)上的第二电极膜(1)。第一非金属导电性中间膜(4)的线性膨胀系数大于第一电极膜(5)和压电膜(3)的线性膨胀系数，并且第二非金属导电性中间膜(2)的线性膨胀系数大于第二电极膜(1)和压电膜(3)的线性膨胀系数。
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公开(公告)号：CN102194670B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201110057145.1
申请日：2011-03-03
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 直野崇幸
IPC: H01L41/08 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/316 , B41J2/14 , B41J2/16
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/1612 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 压电薄膜、压电器件、液体喷射装置、及制备压电薄膜的方法。一种压电薄膜，所述压电薄膜通过汽相沉积方法在基板表面上形成，没有产生晶粒边界，该晶粒边界基本上平行于基板表面，并且是由层叠引起的。构成压电薄膜的每个晶体的(100)平面的法线与基板表面法线的倾斜角度不小于6°且不大于36°。
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公开(公告)号：CN102728534B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210099693.5
申请日：2012-04-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B06B1/02
CPC classification number: B06B1/0292 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H01L41/316 , H01L41/332 , H02N1/006 , H02N1/08 , Y10T29/42
Abstract: 本发明涉及机电换能器及其制造方法。所述机电换能器包括：第一电极、被设置在第一电极上的硅氧化物膜、以及包含被设置于硅氧化物膜上使得其间具有间隙的硅氮化物膜和被设置于硅氮化物膜上以与第一电极相对的第二电极的振动膜。
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公开(公告)号：CN105304809A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510373587.5
申请日：2015-06-30
Applicant: 德州仪器公司
Inventor： 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 萨拉·埃米莉·特里斯 , 张永山 , 奥伦·哈维·穆利斯 , 玛丽·艾丽莎·德拉蒙德·罗比
CPC classification number: H01L41/0815 , C23C14/0036 , C23C14/025 , C23C14/088 , C23C14/345 , C23C14/354 , H01L41/18 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 本申请案涉及用以改进用于mems应用的PbZrTiO3及Pt膜的结晶度的方法。通过经离子化金属等离子IMP工艺在衬底(102)上溅镀钛粘附层(122)而形成含有压电组件的微电子装置(100)。所述粘附层(122)经氧化使得在所述粘附层的顶部表面处，所述钛中的至少一部分被转化为实质上化学计量二氧化钛(TiO2)层。在所述粘附层的所述二氧化钛上形成铂层；所述铂层具有(111)晶体定向及小于3度的X射线摇摆曲线FWHM值。在所述铂层上形成压电材料层。所述压电材料可包含锆钛酸铅。
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公开(公告)号：CN103547700B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201280018356.7
申请日：2012-02-13
Applicant: 派洛斯有限公司
CPC classification number: H01L41/1876 , C23C14/0036 , C23C14/088 , C23C14/3464 , H01L21/02197 , H01L21/02266 , H01L37/025 , H01L41/316
Abstract: 本发明涉及一种制备由呈111取向的钙钛矿结构的锆钛酸铅制成的薄膜的方法，其包含以下步骤：提供衬底温度高于450℃的衬底以及铅靶材、锆靶材和钛靶材；通过将来自相应靶材的铅、锆和钛溅射到所述衬底上来施加所述薄膜，其中铅、锆和钛的总沉积速率大于10nm/min，选择锆的沉积速率以使得所述薄膜中锆的原子浓度相对于锆和钛的原子浓度在0.2与0.3之间，且视衬底温度以及铅、锆和钛的总沉积速率而定，选择足够低的铅的沉积速率以使得111取向的锆钛酸铅的X射线衍射图在33°到35.5°的衍射角范围内具有显著峰值（19）；以及完成所述薄膜。
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公开(公告)号：CN102959752B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201180030839.4
申请日：2011-07-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/08 , H01L41/187 , H01L41/316 , H01L41/319 , C23C14/08
CPC classification number: H01L41/0805 , C23C14/0036 , C23C14/083 , C23C14/088 , H01L41/0815 , H01L41/1873 , H01L41/22 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 提供一种具有表面形态良好、结晶性优异的压电薄膜层的压电薄膜元件的制造方法。压电薄膜元件的制造方法包括：在基板(1)上形成下部电极层(2)的工序；在下部电极层(2)上，以相对较低的成膜温度来形成压电薄膜缓冲层(3)的工序；在压电薄膜缓冲层(3)上，以比压电薄膜缓冲层(3)的成膜温度高的成膜温度来形成压电薄膜层(4)的工序；以及在压电薄膜层(4)上形成上部电极层的工序。
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公开(公告)号：CN103026520B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201180036752.8
申请日：2011-07-22
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L41/33 , H01L41/332
CPC classification number: H01L41/332 , B41J2/14233 , B41J2/1607 , B41J2/161 , B41J2/1626 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14241 , H01L41/098 , H01L41/22 , H01L41/316 , H01L41/33
Abstract: 公开了一种用于形成具有弯曲压电膜的致动器的方法。所述方法使用具有被平坦表面包围的弯曲表面的轮廓转移基板形成弯曲压电膜。在从弯曲压电膜的下侧移除轮廓转移基板之前，用于压电致动器的压电材料至少沉积在轮廓转移基板的弯曲表面上。产生的弯曲压电膜包括为柱状并对准的粒状结构，并且所有或基本上所有柱状晶粒局部垂直于压电膜的弯曲表面。
