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公开(公告)号：CN106463608B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201580034198.8
申请日：2015-06-11
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L41/319 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L41/047 , H01L41/29 , H01L41/316
CPC classification number: H01L41/0477 , C23C14/08 , C23C14/088 , C23C14/165 , C23C14/34 , C23C14/3464 , H01L41/0815 , H01L41/29 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 本发明提供一种在通过溅射形成PZT薄膜时在不使用以往的种子层的情况下抑制作为杂质相的烧绿石相的生成的技术。本发明是具有在Si基板10上经由作为铂紧贴层的TiOX层4而设置的Pt电极层5、在Pt电极层5上形成的Ti薄膜层6、以及在Ti薄膜层6上形成的PZT薄膜层7的PZT薄膜层叠体。能够使Ti薄膜层6的厚度为1nm以上10nm以下。
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公开(公告)号：CN101855724B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200880115651.8
申请日：2008-11-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L27/105 , C23C14/06 , H01L45/00
CPC classification number: C23C14/046 , C23C14/0623 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明的硫属化物膜，通过溅射在形成在基板上的绝缘层的接触孔内成膜，由含有使融点下降的融点下降材料的硫属化合物组成。
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公开(公告)号：CN103140601B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180048223.X
申请日：2011-10-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3464 , C23C14/024 , C23C14/088 , C23C14/35 , C30B23/002 , C30B23/025 , C30B23/063 , C30B29/32
Abstract: 提供能够形成(100)/(001)取向的电介质膜的电介质成膜装置和电介质成膜方法。电介质成膜装置(10)具有加热配置在从靶(21)放出的粒子附着的位置的防附着板(34)的防附着板加热部(19)。从溅射气体导入部(14)向真空槽(11)内导入溅射气体，将防附着板(34)加热至比成膜温度高的温度，使蒸气从附着在防附着板(34)的薄膜放出，在基板(31)形成籽晶层后，使基板(31)为成膜温度，从电源(13)对靶(21)施加交流电压，对靶(21)进行溅射，以将电介质膜成膜于基板(31)。
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公开(公告)号：CN106463608A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580034198.8
申请日：2015-06-11
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L41/319 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L41/047 , H01L41/29 , H01L41/316
CPC classification number: H01L41/0477 , C23C14/08 , C23C14/088 , C23C14/165 , C23C14/34 , C23C14/3464 , H01L41/0815 , H01L41/29 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 本发明提供一种在通过溅射形成PZT薄膜时在不使用以往的种子层的情况下抑制作为杂质相的烧绿石相的生成的技术。本发明是具有在Si基板10上经由作为铂紧贴层的TiOX层4而设置的Pt电极层5、在Pt电极层5上形成的Ti薄膜层6、以及在Ti薄膜层6上形成的PZT薄膜层7的PZT薄膜层叠体。能够使Ti薄膜层6的厚度为1nm以上10nm以下。
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公开(公告)号：CN103140601A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201180048223.X
申请日：2011-10-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3464 , C23C14/024 , C23C14/088 , C23C14/35 , C30B23/002 , C30B23/025 , C30B23/063 , C30B29/32
Abstract: 提供能够形成(100)/(001)取向的电介质膜的电介质成膜装置和电介质成膜方法。电介质成膜装置(10)具有加热配置在从靶(21)放出的粒子附着的位置的防附着板(34)的防附着板加热部(19)。从溅射气体导入部(14)向真空槽(11)内导入溅射气体，将防附着板(34)加热至比成膜温度高的温度，使蒸气从附着在防附着板(34)的薄膜放出，在基板(31)形成籽晶层后，使基板(31)为成膜温度，从电源(13)对靶(21)施加交流电压，对靶(21)进行溅射，以将电介质膜成膜于基板(31)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101855724A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200880115651.8
申请日：2008-11-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L27/105 , C23C14/06 , H01L45/00
CPC classification number: C23C14/046 , C23C14/0623 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明的硫属化物膜，通过溅射在形成在基板上的绝缘层的接触孔内成膜，由含有使融点下降的融点下降材料的硫属化合物组成。
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公开(公告)号：CN103189968B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201180053170.0
申请日：2011-10-03
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供能够形成具有（100）/（001）取向的PZT薄膜的电介质薄膜的成膜方法。使PbO气体附着在衬底的表面形成种子层后，一边在已抽真空的真空槽内对衬底进行加热一边对锆钛酸铅（PZT）靶施加电压进行溅射，在衬底的表面上形成PZT薄膜。由种子层提供Pb和O，得到在PZT薄膜上不发生Pb缺损的、具有（001）/（100）取向的PZT膜。
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公开(公告)号：CN106062239A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011289.X
申请日：2015-03-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/08 , C23C14/06 , H01L21/316 , H01L41/187 , H01L41/316 , H01L41/319
CPC classification number: H01L41/319 , C23C14/083 , C23C14/088 , C23C14/185 , C23C14/34 , C23C14/35 , H01L21/02197 , H01L21/02266 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明的多层膜的制造方法是在基板(2、31)形成导电层(3)，以覆盖所述导电层(3)的方式通过溅射法形成含有氧化物的种子层(4)，所述氧化物具有钙钛矿结构，以覆盖所述种子层(4)的方式形成介质层(5)。
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公开(公告)号：CN103189968A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180053170.0
申请日：2011-10-03
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/088 , C01G21/06 , C01G25/006 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , C23C14/024 , C23C14/35 , H01J37/34 , H01J37/3426 , H01J37/3464 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供能够形成具有（100）/（001）取向的PZT薄膜的电介质薄膜的成膜方法。使PbO气体附着在衬底的表面形成种子层后，一边在已抽真空的真空槽内对衬底进行加热一边对锆钛酸铅（PZT）靶施加电压进行溅射，在衬底的表面上形成PZT薄膜。由种子层提供Pb和O，得到在PZT薄膜上不发生Pb缺损的、具有（001）/（100）取向的PZT膜。
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公开(公告)号：CN101589469B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200880002896.X
申请日：2008-01-24
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/345 , C23C14/046 , C23C14/0623 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供一种硫属化物膜的形成方法，在形成在基板上的绝缘层的接触孔内形成硫属化物膜，该方法包括：准备与上述硫属化物膜同一组成的靶的步骤；上述靶的直径为T(m)，上述靶与上述基板之间的距离为L(m)时，将上述距离L与上述靶的直径T的比L/T设定为0.5～1.5的步骤；通过对上述基板施加偏置功率，对上述靶施加溅射功率的溅射工序，在上述接触孔内形成硫属化物膜的步骤。
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