公开(公告)号：CN105144353B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201480020867.1

申请日：2014-05-14

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 土井利浩 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC分类号： H01L21/316 ,  C08L33/26 ,  C08L39/06

CPC分类号： H01L21/02197 ,  C09D133/26 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/55

摘要： 本发明提供一种铁电薄膜形成用组合物及其制造方法。本发明的铁电薄膜形成用组合物是通过预烧工序及烧成工序来调整成膜的杨氏模量，且即使每一次的涂膜较厚，烧成时也几乎不发生龟裂而能够获得结晶性较高的薄膜，从而可减少涂膜次数而提高薄膜的制造效率。通过使用铁电薄膜形成用组合物，即使每一次的涂膜较厚，烧成时也几乎不发生龟裂而形成结晶性较高的薄膜，所述铁电薄膜形成用组合物的特征在于，该铁电薄膜形成用组合物是包含铁电薄膜的前驱体、溶剂及反应控制物质，且通过涂膜的预烧及烧成来形成铁电薄膜的组合物，上述反应控制物质的含量是在200℃～300℃的预烧阶段中成膜的杨氏模量为42GPa以下且在400℃～500℃的烧成阶段中成膜的杨氏模量成为55GPa以上的量。

公开(公告)号：CN107447254A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710403667.X

申请日：2017-06-01

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  洪铭辉

发明人： 杨博宇 ,  洪铭辉 ,  郭瑞年 ,  林延勳 ,  林耕雍 ,  万献文 ,  郑兆凱 ,  卢冠傑

IPC分类号： C30B29/00 ,  C30B25/00 ,  C30B33/02 ,  H01L51/05 ,  H01L51/42

CPC分类号： H01L21/02609 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  Y02P70/521 ,  C30B29/00 ,  C30B25/00 ,  C30B33/02 ,  H01L51/05 ,  H01L51/42

摘要： 一种制造具有钙钛矿单晶结构的材料的方法，包括：交替地生长一第一层和一第二层在一基板上，其中，上述第一层与上述第二层的组成不同，且上述第一层及上述第二层为多个；以及将上述第一层和上述第二层退火，形成一具有钙钛矿单晶结构的材料。

公开(公告)号：CN102473625B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201080029671.0

申请日：2010-04-21

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 曾山信幸 ,  渡边敏昭 ,  樱井英章

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02087 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282

摘要： 本发明将以混合重量比计含有50∶50～0∶100选自β‐二酮类、β‐酮酸酯类、多元醇类、羧酸类、烷醇胺类、α‐羟基羧酸、α‐羟基羰基衍生物和腙衍生物中的1种或2种以上的有机溶剂与水的CSD涂布膜除去用液喷射或滴加至CSD法中热处理前的基板外周端部，将涂布膜除去、并防止颗粒的发生而不会发生裂纹或局部剥离的情况。

公开(公告)号：CN105393338A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201480041141.6

申请日：2014-08-27

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 土井利浩 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC分类号： H01L21/316 ,  C01G33/00 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L41/318

CPC分类号： H01L41/1876 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/56 ,  H01L28/75 ,  H01L41/318

摘要： 本发明提供一种膜中的各组成大致均匀，且压电特性及介电特性较高的PNbZT薄膜的制造方法。本发明的PNbZT薄膜的制造方法，其包含如下工序：准备满足组成式PbzNbxZryTi1-yO3且锆及钛的浓度比Zr/Ti不同的多种溶胶-凝胶液，其中，0＜x≤0.05、0.40≤y≤0.60及1.05≤z≤1.25；以浓度比Zr/Ti阶段性变小的方式从多种溶胶-凝胶液中选择规定的溶胶-凝胶液，在基板上将溶胶-凝胶液的涂布及临时烧结重复进行两次以上，由此在基板(12)上层叠浓度比Zr/Ti阶段性变小的两层以上的临时烧结膜(11a～11c)；及将多个临时烧结膜(11a～11c)一并烧成，由此得到单一的PNbZT薄膜(11)的工序。

公开(公告)号：CN1966762B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN200610095864.1

申请日：2002-01-18

申请人： 株式会社渡边商行 ,  都田昌之

发明人： 都田昌之 ,  楠原昌树 ,  梅田优 ,  深川满

IPC分类号： C23C16/448 ,  C23C16/52

CPC分类号： H01L27/11502 ,  B01B1/005 ,  B01D3/346 ,  B01F3/04021 ,  B01F5/0646 ,  B01F5/0653 ,  B01F5/0656 ,  B01F5/0671 ,  B01F5/0676 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C16/4486 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  Y10S261/65

摘要： 一种可长期使用而不会阻塞、并且能够向反应部稳定供给原料的汽化器包括分散部(8)，所述分散部包括：形成在分散部本体(1)内部的气体通道(2)，将加压运载气体(3)引入气体通道(2)的气体入口(4)，将原料溶液(5)供给到流过气体通道(2)的运载气体的装置(6)，将包括原料溶液(5)的运载气体送到汽化部(22)的气体出口(7)，和用于冷却在气体通道(2)内流动的运载气体的装置(18)；用于加热和汽化从分散部送来的包括雾化的原料溶液的运载气体的汽化部(22)，所述汽化部包括其一端与诸如沉积装置的各种装置的反应部连接、另一端与所述气体出口(7)连接的汽化管(20)，和用于加热汽化管(20)的加热装置(21)；以及安装在所述气体出口(7)外侧的具有小孔(101)的防辐射部件(102)。

公开(公告)号：CN104072135A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410057519.3

申请日：2014-02-19

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 土井利浩 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC分类号： C04B35/493 ,  C04B35/491 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/33 ,  C30B29/32

CPC分类号： B05D3/0254 ,  B05D1/38 ,  C23C14/088 ,  C23C14/5806 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1254 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L28/56 ,  Y10T428/26

摘要： 本发明提供一种PNbZT铁电薄膜的制造方法和复合电子部件。该方法中，将用于形成不含Nb的PZT铁电薄膜的组合物涂布在形成于基板（10）的下部电极（11）上，预烧结后，进行烧成来使其结晶化，从而形成厚度45～90nm的结晶化促进层（12），在上述形成的结晶化促进层（12）上涂布用于形成PNbZT铁电薄膜的组合物来形成PNbZT的涂膜（13a），对该涂膜（13a）进行预烧结后，进行烧成来使其结晶化，从而在上述下部电极（11）上形成PNbZT铁电薄膜，其中，在所述PNbZT铁电薄膜中，与组合物中所含的钙钛矿B位原子即Zr及Ti的总计100原子%中含有4～10原子%的Nb。

公开(公告)号：CN101971303B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200880103167.3

申请日：2008-09-02

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  尔必达存储器株式会社

发明人： 河野有美子 ,  有马进 ,  柿本明修 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742 ,  H01L28/55

摘要： 本发明提供Sr-Ti-O系膜的成膜方法，以膜中的Sr与Ti的比率Sr/Ti按原子数比计为1.2～3的方式进行成膜后，在含有0.001％～80％的O2的气氛中，在500℃以上进行退火。此外，以包含将多个SrO膜成膜阶段和多个TiO膜成膜阶段多次连续进行这样的次序的方式，多次进行上述SrO膜成膜阶段和上述TiO膜成膜阶段。进而，在使Sr吸附后、使Sr氧化时，使用O3和H2O作为氧化剂。

公开(公告)号：CN101517717B

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN200780034552.2

申请日：2007-09-18

申请人： 英特尔公司

发明人： P·拉纳德

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/0217 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/47 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/512 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78654

摘要： 描述一种用于形成具有有源区域和相容的电介质层的半导体结构的方法。在一个实施例中，半导体结构具有由第一半导体材料的氧化物组成的电介质层，其中在电介质层与第一半导体材料之间形成有第二(且成分不同的)半导体材料。在另一个实施例中，用第三半导体材料取代第二半导体材料的一部分，以便赋予第二半导体材料的晶格结构单轴应变。

公开(公告)号：CN101208295B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200680023282.0

申请日：2006-06-27

申请人： 美光科技公司

发明人： 丹·米尔沃德 ,  斯特凡·乌伦布罗克 ,  蒂莫西·A·奎克

IPC分类号： C07C251/12 ,  C07F3/00 ,  C07F7/00 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C07C251/12 ,  C07F5/003 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/316

摘要： 本发明提供包含至少一个β-双烯酮亚胺基配体的含金属化合物，和制备及使用其的方法。在一些实施例中，所述含金属化合物为包含不对称β-双烯酮亚胺基配体的均配型配合物。在其它实施例中，含金属化合物为包含至少一个β-双烯酮亚胺基配体的异配型配合物。所述化合物可用于使用气相沉积方法来沉积含金属层。本发明也提供包含所述化合物的气相沉积系统。本发明也提供β-双烯酮亚胺基配体源。

公开(公告)号：CN101689500B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200880022669.3

申请日：2008-09-03

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 高木俊夫

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC分类号： H01L21/31691 ,  C23C16/409 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141

摘要： 一种成膜装置，边加热载置台的载置面，边在真空气氛下从与上述载置台相对的处理气体供给部向基板供给处理气体，从而进行成膜处理，其特征在于，具有：用于使上述载置台升降到对基板进行成膜处理的处理位置的升降机构；隔着间隙包围处于上述处理位置时的上述载置台、且与该载置台一起将上述真空容器内划分成在该载置台上方的上部空间和在该载置台下方的下部空间的包围部分；与上述上部空间连通、将上述上部空间内的处理气氛进行真空排气的真空排气路；将从上述上部空间到上述真空排气路为止的与气体接触的部位加热到比反应物发生附着的温度高的温度的加热构件；以及在上述加热构件与包围上述下部空间的上述真空容器的下侧部分之间设置的隔热部。