公开(公告)号：CN108767077A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810504809.6

申请日：2018-05-24

申请人： 深圳市光脉电子有限公司

发明人： 李锋 ,  吉爱华 ,  叶浩文

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/12 ,  H01L33/56 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/02 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/12 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/005

摘要： 一种新型芯片光源结构，包括外延结构、N面电极层以及P面电极层；外延结构包括从下到上依次设置的钻石衬底、碳化硅过渡层、氮化铝过渡层、GaP缓冲层、GaP电流扩展和欧姆接触层、AlGaInP过渡和下限制层、发光层、AlGaInP上限制层以及窗口层；窗口层上设有N面电极层或P面电极层；GaP电流扩展和欧姆接触层上设有N面电极层或P面电极层；使用钻石衬底作为外延生长衬底，并使用碳化硅过渡层、氮化铝过渡层、磷化镓作为缓冲层，不存在衬底光吸收问题，可以抑制晶格失配和热膨胀系数失配导致的材料生长缺陷，大幅度提高光输出能力，减少了环境污染；同时，采用可模塑有机硅模粒成型工艺光色品质好、可靠性高、优化了工艺、降低成本。

公开(公告)号：CN108701714A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680082393.2

申请日：2016-02-22

申请人： 英特尔公司

发明人： C.S.莫哈帕特拉 ,  A.S.墨菲 ,  G.A.格拉斯 ,  M.V.梅茨 ,  W.拉赫马迪 ,  G.德维 ,  T.加尼 ,  J.T.卡瓦利罗斯

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3245 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/20 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696

摘要： 可形成具有含铟的三元或以上的III‑V族化合物有源沟道的晶体管装置及用于制作该晶体管装置的过程，其在制作例如在三栅或环栅（GAA）装置中使用的那些有源沟道的鳍形有源沟道时使能改进的载流子迁移率。在一个实施例中，含铟的三元或以上的III‑V族化合物可沉积在子结构的重构的上表面上的窄沟槽中，这可产生具有富铟侧表面和富铟底表面的鳍。这些富铟表面将邻接晶体管的栅氧化物，并且相对于含铟的三元或以上的III‑V族化合物有源沟道的常规同质组成可产生高电子迁移率和改进的切换速度。

公开(公告)号：CN107447254A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710403667.X

申请日：2017-06-01

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  洪铭辉

发明人： 杨博宇 ,  洪铭辉 ,  郭瑞年 ,  林延勳 ,  林耕雍 ,  万献文 ,  郑兆凱 ,  卢冠傑

IPC分类号： C30B29/00 ,  C30B25/00 ,  C30B33/02 ,  H01L51/05 ,  H01L51/42

CPC分类号： H01L21/02609 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  Y02P70/521 ,  C30B29/00 ,  C30B25/00 ,  C30B33/02 ,  H01L51/05 ,  H01L51/42

摘要： 一种制造具有钙钛矿单晶结构的材料的方法，包括：交替地生长一第一层和一第二层在一基板上，其中，上述第一层与上述第二层的组成不同，且上述第一层及上述第二层为多个；以及将上述第一层和上述第二层退火，形成一具有钙钛矿单晶结构的材料。

公开(公告)号：CN106910716A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201611009700.2

申请日：2016-11-16

申请人： IMEC 非营利协会

发明人： C·梅克林 ,  G·博卡地

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： 一种Si基高迁移率CMOS装置的制造方法及所得装置。该方法包括：提供硅基材，该硅基材具有在顶部的第一绝缘层和延伸入硅中的沟槽；通过以下步骤来在第一绝缘层上方制造III‑V半导体通道层：沉积牺牲材料的第一假层，用第一氧化物层覆盖第一假层，通过经由第一氧化物层中的孔进行蚀刻、再进行选择性区域生长，来用III‑V半导体材料替换第一假层；在III‑V半导体通道层上方制造第二绝缘层，且再次打开沟槽；通过以下步骤来在第二绝缘层上方制造锗或硅‑锗通道层：沉积牺牲材料的第二假层，用第二氧化物层覆盖第二假层，通过经由第二氧化物层中的孔进行蚀刻、再进行选择性区域生长，来用锗或硅‑锗替换第二假层。

公开(公告)号：CN106463535A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480079120.3

申请日：2014-06-24

申请人： 英特尔公司

发明人： G·A·格拉斯 ,  A·S·默西 ,  K·贾姆布纳坦

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： 公开了一种用于在相同管芯上形成Ge/SiGe沟道和III-V族沟道晶体管的技术。该技术包括在Si或绝缘体衬底上沉积Ge/SiGe或III-V族材料的伪衬底。然后可以将伪衬底图案化成鳍状部，并且鳍状部的子集可以被Ge/SiGe或III-V族材料中的另一种材料替换。例如，Ge/SiGe鳍状部可以用于p-MOS晶体管，并且III-V族材料鳍状部可以用于n-MOS晶体管，并且两组鳍状部都可以用于CMOS器件。在一些实例中，在例如替换栅极工艺期间仅替换鳍状部的子集的沟道区。在一些实例中，一些或所有鳍状部可以形成为一个或多个纳米线或纳米带或者被一个或多个纳米线或纳米带替换。

公开(公告)号：CN106062963A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201480076424.4

申请日：2014-03-28

申请人： 英特尔公司

发明人： V·H·勒 ,  B·舒-金 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  R·皮拉里塞泰 ,  W·拉赫马迪 ,  H·W·肯内尔

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/78696 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/155 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684

摘要： 实施例包括器件，该器件包括：耦合到衬底的、具有第一晶格常数的第一外延层；位于第一层上的、具有第二晶格常数的第二外延层；接触第二层的上表面的、具有不等于第二晶格常数的第三晶格常数的第三外延层；以及位于第三层上的、包括沟道区的外延器件层；其中(a)第一层是弛豫的并且包括缺陷，(b)第二层是压缩应变的并且第三层是拉伸应变的，并且(c)第一层、第二层、第三层、以及器件层都被包括在沟槽中。在本文中描述了其它实施例。

公开(公告)号：CN102687243B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201080059497.4

申请日：2010-10-25

申请人： ASM国际公司

发明人： V·鲍尔 ,  T·哈坦帕 ,  M·瑞塔拉 ,  M·来斯科拉

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45555 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/0262 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1616

摘要： 提供用于形成包含VA族元素的薄膜诸如Sb、Sb-Te、Ge-Sb和Ge-Sb-Te薄膜的原子层沉积(ALD)方法，以及相关组成和结构。优选地使用式Sb(SiR1R2R3)3的Sb前体，其中R1、R2和R3为烷基。也描述了As、Bi和P前体。也提供用于合成这些Sb前体的方法。也提供在相变存储设备中使用Sb薄膜的方法。

公开(公告)号：CN105531801A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201380079155.2

申请日：2013-09-27

申请人： 英特尔公司

发明人： N·戈埃尔 ,  R·S·周 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  B·舒-金 ,  M·V·梅茨 ,  N·慕克吉 ,  N·M·泽利克 ,  G·杜威 ,  W·拉赫马迪 ,  M·拉多萨夫列维奇 ,  V·H·勒 ,  R·皮拉里塞泰 ,  S·达斯古普塔

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0245 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： 在于浅沟槽隔离(STI)区之间形成的沟槽中的一个或一对的底部处从衬底表面外延地生长单个鳍状物或一对共集成的n-型和p-型单晶电子器件鳍状物。对一个或多个鳍状物进行图案化并对STI区进行蚀刻，以形成在STI区的经蚀刻的顶部表面之上延伸的一个或多个鳍状物的高度。鳍状物高度可以是鳍状物宽度的至少1.5倍。以一种或多种共形外延材料外延地包覆每一个鳍状物的暴露的侧壁表面和顶部表面，以在鳍状物上形成器件层。在生长鳍状物之前，可以从衬底表面生长均厚缓冲外延材料；并且在于均厚层之上形成的STI沟槽中生成鳍状物。这种鳍状物的形成降低了来自材料界面晶格失配的缺陷。

公开(公告)号：CN105448917A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410441272.5

申请日：2014-09-01

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 肖德元

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/0924 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，包括NFET区域和PFET区域；在半导体衬底表面依次形成隔离层、牺牲层；刻蚀牺牲层和隔离层，形成第一凹槽和第二凹槽；在第一凹槽和第二凹槽内形成第一过渡层；第一过渡层表面形成填充满第一凹槽和第二凹槽的第一半导体层；去除第二凹槽内的第一半导体层，在第二凹槽内形成第二过渡层，第二过渡层的表面低于隔离层的表面；在第二过渡层表面形成第二半导体层；去除牺牲层，暴露出第一半导体层和第二半导体层的部分侧壁；形成横跨第一半导体层的第一栅极结构和横跨第二半导体层的第二栅极结构。上述方法形成的半导体结构性能得到提高。

公开(公告)号：CN105140103A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510456231.8

申请日：2015-07-29

申请人： 浙江大学

发明人： 程志渊 ,  陈韬 ,  王安琦

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02598 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02636

摘要： 本发明公开了一种半导体衬底及选择性生长半导体材料的方法，所述半导体衬底包含一个用于半导体材料外延的晶体生长面，以及一个或多个用于限制半导体材料生长的介质层表面。所述半导体材料生长方法为半导体材料选择性生长，通常情况下，所述选择性生长过程中，半导体材料只能生长在所述晶体生长面上，无法直接生长在介质层表面上，所述介质层表面用于限制选择性生长过程中半导体材料在某个方向上的生长。本发明的特殊结构衬底结合选择性生长，可以有效抑制半导体材料生长过程中的位错等缺陷的传播，从而显著提升半导体材料的质量。