公开(公告)号：CN103380480B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201280009465.2

申请日：2012-01-26

申请人： 国际商业机器公司

发明人： B·海克麦特朔-塔巴里 ,  A·卡基菲鲁兹 ,  A·雷茨尼采克 ,  D·K·萨达那 ,  G·G·沙希迪 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/14 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/3065

摘要： 一种外延方法包括提供（402）衬底材料的暴露的晶体区域。在低温工艺中将硅外延沉积（404）在所述衬底材料上，其中沉积温度低于500摄氏度。用稀释气体稀释（408）源气体，其中稀释气体与源气体的气体比小于1000。

公开(公告)号：CN102575378B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201080046939.1

申请日：2010-10-14

申请人： 埃尔塔设备公司

发明人： L·D·华盛顿 ,  D·P·波尔 ,  G·西伽士 ,  G·何

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L21/205

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明的实施方案一般涉及以高生长速率(诸如大约30μm/hr或更快，例如大约40μm/hr，大约50μm/hr，大约55μm/hr，大约60μm/hr或更快)外延生长III/V族材料的工艺。可以在太阳能、半导体或其他电子装置应用中利用沉积的III/V族材料或膜。在一些实施方案中，可以在气相沉积工艺期间在设置于支撑衬底上或上方的牺牲层上形成或生长III/V族材料。随后，可以在外延剥离(ELO)工艺期间将III/V族材料从支撑衬底上移除。III/V族材料是外延生长层的薄膜，所述外延生长层的薄膜含有砷化镓、砷化镓铝、砷化镓铟、氮化砷化镓铟、磷化镓铝铟、其磷化物、其氮化物、其衍生物、其合金或其组合物。

公开(公告)号：CN103890981A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051930.9

申请日：2012-10-02

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 松村笃 ,  德永悠

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/14

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44

摘要： 本发明提供一种减少了光吸收的发光二极管、其制造方法、灯和照明装置。一种发光二极管（100），具备：设置在基板（1）上的含有发光层（24）的化合物半导体层（10）；被设置在基板（1）与化合物半导体层（10）之间的欧姆接触电极（7）；被设置在化合物半导体层（10）的基板（1）相反侧的欧姆电极（11）；包含以覆盖欧姆电极（11）的表面的方式设置的分支部（12b）和与分支部（12b）连结的焊盘部（12a）的表面电极（12）；和被设置在发光层（24）之中的、在与焊盘部（12a）俯视重叠的区域所配置的焊盘下发光层（24a）和在除了与焊盘部（12a）俯视重叠的区域以外的区域所配置的发光层（24）之间，阻碍向焊盘下发光层（24a）供给的电流的电流隔断部（13）。

公开(公告)号：CN103811305A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410077528.9

申请日：2014-03-05

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 周旭亮 ,  于红艳 ,  李士颜 ,  潘教青 ,  王圩

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02395

摘要： 本发明公开了一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上，采用超高真空化学气相沉积方法外延锗层；步骤2：经外延了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；步骤3：生长半绝缘砷化镓层；步骤4：生长砷化镓盖层；步骤5：抛光、清洗、封装，完成衬底的制备。本发明提出的上述方法中采用超高真空化学气相沉积从硅衬底过渡到锗层，通过底层锗的弛豫来消除4％的应变，由于砷化镓与锗的晶格失配只有800ppm，利用超高真空化学气相外延从硅衬底到锗层，避免了失配位错的产生，采用高低温砷化镓层的配合来解决反向畴的问题。

公开(公告)号：CN101867156B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201010158570.5

申请日：2010-04-07

申请人： 索尼公司

发明人： 城岸直辉 ,  荒木田孝博

IPC分类号： H01S5/323

CPC分类号： H01L21/02546 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/32316 ,  H01S2304/00 ,  H01S2304/04

摘要： 本发明提供半导体层及其制造方法以及激光器二极管及其制造方法。本发明提供能够通过简单的方法抑制杂质失去活性的半导体层制造方法、抑制杂质失去活性的半导体层、能够通过简单的方法抑制杂质失去活性的激光器二极管制造方法以及包括抑制杂质失去活性的半导体层的激光器二极管。在制造半导体层的方法中，在通过采用AsH3的外延生长形成半导体层后，当工艺温度为500℃以上时停止提供AsH3且不另外提供新的气体。

公开(公告)号：CN103380480A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201280009465.2

申请日：2012-01-26

申请人： 国际商业机器公司

发明人： B·海克麦特朔-塔巴里 ,  A·卡基菲鲁兹 ,  A·雷茨尼采克 ,  D·K·萨达那 ,  G·G·沙希迪 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/14 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/3065

摘要： 一种外延方法包括提供（402）衬底材料的暴露的晶体区域。在低温工艺中将硅外延沉积（404）在所述衬底材料上，其中沉积温度低于500摄氏度。用稀释气体稀释（408）源气体，其中稀释气体与源气体的气体比小于1000。

公开(公告)号：CN101484986B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200780025186.4

申请日：2007-05-28

申请人： 住友化学株式会社

发明人： 中野强

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/201 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明提供电子迁移率特性获得改善的更高性能的化合物半导体外延基板及其制造方法。化合物半导体外延基板具有电子移动的通道层以及位于通道层的前侧和背侧的外延层，并且，位于通道层的背侧的外延层中每单位面积的p型载流子浓度总量A(/cm2)、位于通道层的前侧的外延层中每单位面积的p型载流子浓度总量B(/cm2)满足下式(1)。0＜A/B≤3.5(1)。在此，A＝(位于通道层的背侧的外延层中含有的活性状态的受主杂质提供的总p型载流子浓度)×(位于背侧的外延层的总厚度)，B＝(位于通道层的前侧的外延层中含有的活性状态的受主杂质提供的总p型载流子浓度)×(位于前侧的外延层的总厚度)。

公开(公告)号：CN102498241A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080040868.4

申请日：2010-09-16

申请人： 住友化学株式会社

发明人： 佐泽洋幸

IPC分类号： C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/02

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02441 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/187 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供化合物半导体结晶的制造方法，其具有：在表面为硅结晶的基底基板上形成包含Cx1Siy1Gez1Sn1-x1-y1-z1(0≤x＜1，0≤y1≤1，0≤z1≤1，且0＜x1+y1+z1≤1)的牺牲层的牺牲层形成工序、在牺牲层上形成与牺牲层晶格匹配或准晶格匹配的化合物半导体结晶的结晶形成工序，通过对牺牲层蚀刻，从基底基板剥离化合物半导体结晶的结晶剥离工序。

公开(公告)号：CN101867156A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010158570.5

申请日：2010-04-07

申请人： 索尼公司

发明人： 城岸直辉 ,  荒木田孝博

IPC分类号： H01S5/323

CPC分类号： H01L21/02546 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/32316 ,  H01S2304/00 ,  H01S2304/04

摘要： 本发明提供半导体层及其制造方法以及激光器二极管及其制造方法。本发明提供能够通过简单的方法抑制杂质失去活性的半导体层制造方法、抑制杂质失去活性的半导体层、能够通过简单的方法抑制杂质失去活性的激光器二极管制造方法以及包括抑制杂质失去活性的半导体层的激光器二极管。在制造半导体层的方法中，在通过采用AsH3的外延生长形成半导体层后，当工艺温度为500℃以上时停止提供AsH3且不另外提供新的气体。

公开(公告)号：CN101451265A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810169408.6

申请日：1999-08-18

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 羽木良明 ,  中井龙资

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/42 ,  H01L23/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C30B11/00 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  Y10T428/265

摘要： 可以得到一种GaAs单晶衬底及使用该单晶衬底的外延晶片，可以抑制外延层生长时产生滑移位错，能够改善器件的耐压特性。GaAs单晶衬底具有最大为2×104cm－2的平面平均位错密度，2.5－20.0×1015cm－3的碳浓度，2.0－20.0×1016cm－3的硼浓度，最多为1×1017cm－3的除碳和硼外的杂质浓度，5.0－10.0×1015cm－3的EL2浓度，1.0－5.0×108Ωcm的电阻率，及最大为1.0×10－5的光弹性分析测得的平均残余应变。