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公开(公告)号：CN108389940A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810492929.9
申请日：2012-08-07
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/0079 , H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供防止反射率的降低、能够实现高辉度发光的发光二极管及其制造方法。这样的发光二极管的制造方法的特征在于，依次具有：在生长用基板上形成依次包含发光层以及电流扩散层的化合物半导体层的工序；在所述电流扩散层上形成间隔地配置的点状的多个欧姆接触电极的工序；在所述电流扩散层上，以使所述多个欧姆接触电极的表面之中的周缘部以外露出的方式形成透明膜的工序；在所述透明膜上及所述欧姆接触电极的露出的部分上形成反射层的工序；在所述反射层上形成接合层的工序；在所述接合层上接合基板的工序；和除去所述生长用基板的工序。
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公开(公告)号：CN102414847B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201080019118.9
申请日：2010-03-03
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/30
CPC classification number: H01L33/30 , F21V7/0083 , F21V7/09 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10 , H01L24/06 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/10158 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及发光二极管等，所述发光二极管的特征在于，具备至少含有pn结型的发光部和层叠于所述发光部的应变调整层的化合物半导体层，所述发光部具有组成式为(AlXGa1-X)YIn1-YP(在此，X和Y是分别满足0≤X≤0.1和0.39≤Y≤0.45的数值)的应变发光层与势垒层的叠层结构，所述应变调整层相对于发光波长是透明的，并且具有比所述应变发光层和所述势垒层的晶格常数小的晶格常数。根据本发明，可以提供具有655nm以上的发光波长，单色性优异，并且为高输出功率和/或高效率的响应速度快的发光二极管。
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公开(公告)号：CN103155181A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048839.7
申请日：2011-08-16
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/641 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有655nm以上的发光波长，单色性优异，并且具有高输出功率、高辉度、高效率，响应速度快，具有从光取出面放射的光之中的与光取出面正交的方向上的光的强度较强的指向性，且能够向外部效率好地散出热的发光二极管和发光二极管灯。具备至少含有pn结型的发光部（3）和与发光部（3）层叠的应变调整层（13）的化合物半导体层（11），发光部（3）具有组成式为（AlXGa1-X）YIn1-YP的应变发光层和势垒层的叠层结构，其中，0≤X≤0.1、0.37≤Y≤0.46，应变调整层（13）能够透过发光部（3）的光，并且具有比应变发光层和势垒层的晶格常数小的晶格常数，在位于光取出面（11a）的反对侧的化合物半导体层（11）的面（11b）上具有隔着反射结构体（4）而接合的功能性基板（5）。
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公开(公告)号：CN102318094A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201080008005.9
申请日：2010-01-25
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/64 , F21S2/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/641 , H01L33/0079 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的目的是提供散热性优异，能够抑制接合时的基板的开裂，施加高电压能够以高辉度发光的发光二极管、发光二极管灯以及发光二极管的制造方法。本发明的发光二极管是在包含发光层(2)的发光部(3)接合了热沉基板(5)的发光二极管(1)，热沉基板(5)是第1金属层(21)和第2金属层(22)交替地层叠而成，第1金属层(21)由热导率为130W/m·K以上、热膨胀系数与发光部(3)的材料大致相等的材料形成，第2金属层(22)由热导率为230W/m·K以上的材料形成，通过使用该发光二极管(1)能够达到所述目的。
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公开(公告)号：CN104718632A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201380052677.3
申请日：2013-10-08
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/30 , H01L33/405 , H01L33/44
Abstract: 本发明在金属反射膜与化合物半导体层之间设置多个点状的欧姆接触电极，在化合物半导体层的与半导体基板的相反侧依次设置欧姆电极和表面电极，所述表面电极包含盘部和与该盘部连结的多个线状部，欧姆电极的表面由线状部覆盖，欧姆接触电极和所述欧姆电极形成在俯视时不与盘部重叠的位置，多个欧姆接触电极之中，5％以上40％以下的欧姆接触电极配置在俯视时与线状部重叠的位置。本发明能够提供在维持发光输出的状态下，达成低正向电压的发光二极管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103890981A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280051930.9
申请日：2012-10-02
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/38 , H01L21/205 , H01L33/14
CPC classification number: H01L33/145 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0066 , H01L33/0079 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44
Abstract: 本发明提供一种减少了光吸收的发光二极管、其制造方法、灯和照明装置。一种发光二极管（100），具备：设置在基板（1）上的含有发光层（24）的化合物半导体层（10）；被设置在基板（1）与化合物半导体层（10）之间的欧姆接触电极（7）；被设置在化合物半导体层（10）的基板（1）相反侧的欧姆电极（11）；包含以覆盖欧姆电极（11）的表面的方式设置的分支部（12b）和与分支部（12b）连结的焊盘部（12a）的表面电极（12）；和被设置在发光层（24）之中的、在与焊盘部（12a）俯视重叠的区域所配置的焊盘下发光层（24a）和在除了与焊盘部（12a）俯视重叠的区域以外的区域所配置的发光层（24）之间，阻碍向焊盘下发光层（24a）供给的电流的电流隔断部（13）。
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公开(公告)号：CN102422445B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201080019083.9
申请日：2010-02-24
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/30 , C23C16/30 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管用外延晶片，其特征在于，具备GaAs基板、设置在GaAs基板上的发光部和设置在发光部上的应变调整层，所述发光部具有组成式为(AlXGa1-X)YIn1-YP(其中，X和Y是分别满足0≤X≤0.1以及0.39＜Y≤0.45的数值)的应变发光层，所述应变调整层对于发光波长透明并且具有比所述GaAs基板的晶格常数小的晶格常数。根据本发明，能够提供可量产发光波长为655nm以上的高输出功率和/或高效率的LED的外延晶片。
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公开(公告)号：CN102414847A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019118.9
申请日：2010-03-03
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/30
CPC classification number: H01L33/30 , F21V7/0083 , F21V7/09 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10 , H01L24/06 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/10158 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及发光二极管等，所述发光二极管的特征在于，具备至少含有pn结型的发光部和层叠于所述发光部的应变调整层的化合物半导体层，所述发光部具有组成式为(AlXGa1-X)YIn1-YP(在此，X和Y是分别满足0≤X≤0.1和0.39≤Y≤0.45的数值)的应变发光层与势垒层的叠层结构，所述应变调整层相对于发光波长是透明的，并且具有比所述应变发光层和所述势垒层的晶格常数小的晶格常数。根据本发明，可以提供具有655nm以上的发光波长，单色性优异，并且为高输出功率和/或高效率的响应速度快的发光二极管。
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公开(公告)号：CN108933186A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810501874.3
申请日：2018-05-23
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0062 , H01L33/30 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种发光二极管，其提高介由隧道结部将多个发光部层积而成的发光二极管的发光功率。发光元件层(10)是依次将n型接触层(11)、第1发光层(12)、隧道结层(13)、第2发光层(14)和p型接触层(15)层积而构成，第1发光层(12)和第2发光层(14)在同一波长发光。隧道结层(13)具有由含有p型杂质(C)的AlGaAs构成的p型隧道层(131)和由含有n型杂质(Te)的GaInP构成的n型隧道层(133)，在p型隧道层(131)和n型隧道层(133)之间，设有与n型隧道层(133)相比含有高浓度的n型杂质的高浓度n型杂质含有层(132)。
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公开(公告)号：CN103890981B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201280051930.9
申请日：2012-10-02
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/38 , H01L21/205 , H01L33/14
CPC classification number: H01L33/145 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0066 , H01L33/0079 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44
Abstract: 本发明提供一种减少了光吸收的发光二极管、其制造方法、灯和照明装置。一种发光二极管100），具备：设置在基板（1）上的含有发光层24）的化合物半导体层（10）；被设置在基板（1）与化合物半导体层（10）之间的欧姆接触电极7）；被设置在化合物半导体层（10）的基板（1）相反侧的欧姆电极（11）；包含以覆盖欧姆电极（11）的表面的方式设置的分支部（12b）和与分支部12b）连结的焊盘部（12a）的表面电极（12）；和被设置在发光层（24）之中的、在与焊盘部（12a）俯视重叠的区域所配置的焊盘下发光层（24a）和在除了与焊盘部（12a）俯视重叠的区域以外的区域所配置的发光层（24）之间，阻碍向焊盘下发光层24a）供给的电流的电流隔断部（13）。
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