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公开(公告)号：CN102725871A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201180007108.8
申请日：2011-01-18
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/30 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/10158 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的特征在于，具备：发光部，所述发光部具有：将组成式为（InX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层与组成式为（AlX2Ga1-X2）Y1In1-Y1P（0≤X2≤1，0＜Y1≤1）的势垒层交替地层叠而成的量子阱结构的活性层、夹持该活性层的组成式为（AlX3Ga1-X3）Y2In1-Y2P（0≤X3≤1，0＜Y2≤1）的第1引导层和第2引导层、以及隔着该第1引导层和第2引导层的各层夹持所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层；形成于所述发光部上的电流扩散层；和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述第1和第2覆盖层的组成式为（AlX4Ga1-x4）Y3In1-Y3P（0≤X4≤1，0＜Y3≤1）。
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公开(公告)号：CN102598318A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080051483.8
申请日：2010-09-15
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L24/45 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/30 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/10158 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种具有红色光以及红外光的发光波长、单色性优异、并且为高输出功率和高效率、耐湿性优异的发光二极管。本发明的发光二极管，其特征在于，具备：发光部、形成于所述发光部上的电流扩散层、和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述发光部具有：具有组成式为（AlX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层和组成式为（AlX2Ga1-X2）As（0＜X2≤1）的势垒层的叠层结构并发出红外光的活性层、夹着该活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，所述第1和第2覆盖层由组成式（AlX3Ga1-X3）Y1In1-Y1P（0≤X3≤1，0＜Y1≤1）表示。
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公开(公告)号：CN102422445B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201080019083.9
申请日：2010-02-24
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/30 , C23C16/30 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管用外延晶片，其特征在于，具备GaAs基板、设置在GaAs基板上的发光部和设置在发光部上的应变调整层，所述发光部具有组成式为(AlXGa1-X)YIn1-YP(其中，X和Y是分别满足0≤X≤0.1以及0.39＜Y≤0.45的数值)的应变发光层，所述应变调整层对于发光波长透明并且具有比所述GaAs基板的晶格常数小的晶格常数。根据本发明，能够提供可量产发光波长为655nm以上的高输出功率和/或高效率的LED的外延晶片。
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公开(公告)号：CN102468387A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110363280.9
申请日：2011-11-16
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种以高输出功率和高效率发出850nm以上、特别是900nm以上的发光峰波长的红外光的发光二极管。本发明的发光二极管是在基板上依次具备DBR反射层和发光部的发光二极管，其特征在于，所述发光部具有：活性层，该活性层具有阱层与势垒层的叠层结构，所述阱层由组成式(InX1Ga1-X1)As构成且0≤X1≤1，所述势垒层由组成式(AlX2Ga1-X2)Y1In1-Y1P构成且0≤X2≤1、0＜Y1≤1；夹着所述活性层的第1引导层以及第2引导层，所述第1引导层以及第2引导层由组成式(AlX3Ga1-X3)Y2In1-Y2P构成且0≤X3≤1、0＜Y2≤1；以及，介由所述第1引导层以及第2引导层的各层夹着所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，所述第1覆盖层和第2覆盖层由组成式(AlX4Ga1-X4)YIn1-YP构成且0≤X4≤1、0＜Y≤1。
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公开(公告)号：CN102414847A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019118.9
申请日：2010-03-03
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/30
CPC classification number: H01L33/30 , F21V7/0083 , F21V7/09 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10 , H01L24/06 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/10158 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及发光二极管等，所述发光二极管的特征在于，具备至少含有pn结型的发光部和层叠于所述发光部的应变调整层的化合物半导体层，所述发光部具有组成式为(AlXGa1-X)YIn1-YP(在此，X和Y是分别满足0≤X≤0.1和0.39≤Y≤0.45的数值)的应变发光层与势垒层的叠层结构，所述应变调整层相对于发光波长是透明的，并且具有比所述应变发光层和所述势垒层的晶格常数小的晶格常数。根据本发明，可以提供具有655nm以上的发光波长，单色性优异，并且为高输出功率和/或高效率的响应速度快的发光二极管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102725871B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201180007108.8
申请日：2011-01-18
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/30 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/10158 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的特征在于，具备：发光部，所述发光部具有：将组成式为（InX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层与组成式为（AlX2Ga1-X2）Y1In1-Y1P（0≤X2≤1，0＜Y1≤1）的势垒层交替地层叠而成的量子阱结构的活性层、夹持该活性层的组成式为（AlX3Ga1-X3）Y2In1-Y2P（0≤X3≤1，0＜Y2≤1）的第1引导层和第2引导层、以及隔着该第1引导层和第2引导层的各层夹持所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层；形成于所述发光部上的电流扩散层；和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述第1和第2覆盖层的组成式为（AlX4Ga1-x4）Y3In1-Y3P（0≤X4≤1，0＜Y3≤1）。
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公开(公告)号：CN102414847B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201080019118.9
申请日：2010-03-03
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/30
CPC classification number: H01L33/30 , F21V7/0083 , F21V7/09 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10 , H01L24/06 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/10158 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及发光二极管等，所述发光二极管的特征在于，具备至少含有pn结型的发光部和层叠于所述发光部的应变调整层的化合物半导体层，所述发光部具有组成式为(AlXGa1-X)YIn1-YP(在此，X和Y是分别满足0≤X≤0.1和0.39≤Y≤0.45的数值)的应变发光层与势垒层的叠层结构，所述应变调整层相对于发光波长是透明的，并且具有比所述应变发光层和所述势垒层的晶格常数小的晶格常数。根据本发明，可以提供具有655nm以上的发光波长，单色性优异，并且为高输出功率和/或高效率的响应速度快的发光二极管。
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公开(公告)号：CN103155181A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048839.7
申请日：2011-08-16
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/641 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有655nm以上的发光波长，单色性优异，并且具有高输出功率、高辉度、高效率，响应速度快，具有从光取出面放射的光之中的与光取出面正交的方向上的光的强度较强的指向性，且能够向外部效率好地散出热的发光二极管和发光二极管灯。具备至少含有pn结型的发光部（3）和与发光部（3）层叠的应变调整层（13）的化合物半导体层（11），发光部（3）具有组成式为（AlXGa1-X）YIn1-YP的应变发光层和势垒层的叠层结构，其中，0≤X≤0.1、0.37≤Y≤0.46，应变调整层（13）能够透过发光部（3）的光，并且具有比应变发光层和势垒层的晶格常数小的晶格常数，在位于光取出面（11a）的反对侧的化合物半导体层（11）的面（11b）上具有隔着反射结构体（4）而接合的功能性基板（5）。
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公开(公告)号：CN103098238B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201180043286.6
申请日：2011-07-08
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/30 , A01G9/26 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/405 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , Y02A40/274 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及的发光二极管，具备pn结型的发光部，所述发光部具有由n层的应变发光层（12）和n-1层的势垒层（13）构成的发光层（10），势垒层存在时，所述发光层（10）具有1层的应变发光层（12）和1层的势垒层（13）交替地层叠而成的结构，n为1～7的整数，并且发光层（10）的厚度为250nm以下。
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公开(公告)号：CN103155181B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201180048839.7
申请日：2011-08-16
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/641 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有655nm以上的发光波长，单色性优异，并且具有高输出功率、高辉度、高效率，响应速度快，具有从光取出面放射的光之中的与光取出面正交的方向上的光的强度较强的指向性，且能够向外部效率好地散出热的发光二极管和发光二极管灯。具备至少含有pn结型的发光部（3）和与发光部（3）层叠的应变调整层（13）的化合物半导体层（11），发光部（3）具有组成式为（AlXGa1-X）YIn1-YP的应变发光层和势垒层的叠层结构，其中，0≤X≤0.1、0.37≤Y≤0.46，应变调整层（13）能够透过发光部（3）的光，并且具有比应变发光层和势垒层的晶格常数小的晶格常数，在位于光取出面（11a）的反对侧的化合物半导体层（11）的面（11b）上具有隔着反射结构体（4）而接合的功能性基板（5）。
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