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公开(公告)号：CN103999246B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201280062289.9
申请日：2012-12-18
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 粟饭原范行
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明提供一种保护膜及在其上方形成的电极膜以均匀膜厚形成、并且光取出效率高的发光二极管及其制造方法。这样的发光二极管，在其上部具备平坦部和具有倾斜侧面及顶面的台面型结构部，倾斜侧面采用湿式蚀刻形成，保护膜具有配置在俯视为周缘区域的内侧且光射出孔的周围而使化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗，电极膜是形成为与从通电窗露出来的化合物半导体层的表面相接触，并且覆盖在平坦部上形成的保护膜的一部分，在顶面上具有光射出孔的连续膜，透明膜形成在反射层与化合物半导体层之间，在透明膜内、与光射出孔重叠的范围内贯穿地设有贯通电极。
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公开(公告)号：CN102468387A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110363280.9
申请日：2011-11-16
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种以高输出功率和高效率发出850nm以上、特别是900nm以上的发光峰波长的红外光的发光二极管。本发明的发光二极管是在基板上依次具备DBR反射层和发光部的发光二极管，其特征在于，所述发光部具有：活性层，该活性层具有阱层与势垒层的叠层结构，所述阱层由组成式(InX1Ga1-X1)As构成且0≤X1≤1，所述势垒层由组成式(AlX2Ga1-X2)Y1In1-Y1P构成且0≤X2≤1、0＜Y1≤1；夹着所述活性层的第1引导层以及第2引导层，所述第1引导层以及第2引导层由组成式(AlX3Ga1-X3)Y2In1-Y2P构成且0≤X3≤1、0＜Y2≤1；以及，介由所述第1引导层以及第2引导层的各层夹着所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，所述第1覆盖层和第2覆盖层由组成式(AlX4Ga1-X4)YIn1-YP构成且0≤X4≤1、0＜Y≤1。
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公开(公告)号：CN108933186A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810501874.3
申请日：2018-05-23
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0062 , H01L33/30 , H01L33/405
Abstract: 本发明提供一种发光二极管，其提高介由隧道结部将多个发光部层积而成的发光二极管的发光功率。发光元件层(10)是依次将n型接触层(11)、第1发光层(12)、隧道结层(13)、第2发光层(14)和p型接触层(15)层积而构成，第1发光层(12)和第2发光层(14)在同一波长发光。隧道结层(13)具有由含有p型杂质(C)的AlGaAs构成的p型隧道层(131)和由含有n型杂质(Te)的GaInP构成的n型隧道层(133)，在p型隧道层(131)和n型隧道层(133)之间，设有与n型隧道层(133)相比含有高浓度的n型杂质的高浓度n型杂质含有层(132)。
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公开(公告)号：CN102598318B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201080051483.8
申请日：2010-09-15
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L24/45 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/30 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/10158 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种具有红色光以及红外光的发光波长、单色性优异、并且为高输出功率和高效率、耐湿性优异的发光二极管。本发明的发光二极管，其特征在于，具备：发光部、形成于所述发光部上的电流扩散层、和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述发光部具有：具有组成式为（AlX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层和组成式为（AlX2Ga1-X2）As（0＜X2≤1）的势垒层的叠层结构并发出红外光的活性层、夹着该活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，所述第1和第2覆盖层由组成式（AlX3Ga1-X3）Y1In1-Y1P（0≤X3≤1，0＜Y1≤1）表示。
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公开(公告)号：CN102725870B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201180007106.9
申请日：2011-01-20
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/30 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光二极管、具有该发光二极管的发光二极管灯和照明装置，所述发光二极管的特征在于，具有发光部、在上述发光部上形成的电流扩散层和接合于所述电流扩散层的功能性基板，所述发光部具有：活性层，即，将组成式为（InX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层和组成式为（AlX2Ga1-X2）As（0≤X2≤1）的势垒层交替层叠而成的量子阱结构的活性层；夹持该活性层的、组成式为（AlX3Ga1-X3）As（0≤X3≤1）的第1引导层和第2引导层；隔着该第1引导层和第2引导层的各层夹持上述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层，上述第1和第2覆盖层的组成式为（AlX4Ga1-X4）YIn1-YP（0≤X4≤1，0＜Y≤1）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103999247B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201280062400.4
申请日：2012-12-13
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 粟饭原范行
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/005 , H01L33/0062 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0058
Abstract: 本发明提供一种以均匀的膜厚形成有保护膜及电极膜的发光二极管。这种发光二极管具备平坦部和台面型结构部，倾斜侧面采用湿式蚀刻形成，并且水平方向的截面积朝向顶面连续变小地形成，保护膜覆盖平坦部、台面型结构部的倾斜侧面、和台面型结构部的顶面的周缘区域，并且具有配置在周缘区域的内侧、且光射出孔的周围而使化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗，电极膜是被形成为与从通电窗露出来的层的表面接触、并且覆盖在平坦部上形成的保护膜、在顶面上具有光射出孔的连续膜，在反射层和层之间、且通电窗和被其包围的范围内具备透明导电膜。
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公开(公告)号：CN103081135B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201180042882.2
申请日：2011-08-10
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 粟饭原范行
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及的发光二极管，其特征在于，具备：发光部，所述发光部具有交替地层叠有由组成式为（AlX1Ga1?X1）As的化合物半导体构成的阱层和势垒层的量子阱结构的活性层、夹着所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层；在所述发光部上形成的电流扩散层；和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述第1和第2覆盖层由组成式为（AlX2Ga1?X2）Y1In1?Y1P的化合物半导体构成，其中，0≤X1≤1，0≤X2≤1，0＜Y1≤1，所述阱层和势垒层的对数为5以下。
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公开(公告)号：CN102725871B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201180007108.8
申请日：2011-01-18
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/30 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/10158 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的特征在于，具备：发光部，所述发光部具有：将组成式为（InX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的阱层与组成式为（AlX2Ga1-X2）Y1In1-Y1P（0≤X2≤1，0＜Y1≤1）的势垒层交替地层叠而成的量子阱结构的活性层、夹持该活性层的组成式为（AlX3Ga1-X3）Y2In1-Y2P（0≤X3≤1，0＜Y2≤1）的第1引导层和第2引导层、以及隔着该第1引导层和第2引导层的各层夹持所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层；形成于所述发光部上的电流扩散层；和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述第1和第2覆盖层的组成式为（AlX4Ga1-x4）Y3In1-Y3P（0≤X4≤1，0＜Y3≤1）。
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公开(公告)号：CN103081135A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180042882.2
申请日：2011-08-10
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 粟饭原范行
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及的发光二极管，其特征在于，具备：发光部，所述发光部具有交替地层叠有由组成式为（AlX1Ga1-X1）As的化合物半导体构成的阱层和势垒层的量子阱结构的活性层、夹着所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层；在所述发光部上形成的电流扩散层；和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述第1和第2覆盖层由组成式为（AlX2Ga1-X2）Y1In1-Y1P的化合物半导体构成，其中，0≤X1≤1，0≤X2≤1，0＜Y1≤1，所述阱层和势垒层的对数为5以下。
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公开(公告)号：CN103999247A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280062400.4
申请日：2012-12-13
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 粟饭原范行
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/005 , H01L33/0062 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0058
Abstract: 本发明提供一种以均匀的膜厚形成有保护膜及电极膜的发光二极管。这种发光二极管具备平坦部和台面型结构部，倾斜侧面采用湿式蚀刻形成，并且水平方向的截面积朝向顶面连续变小地形成，保护膜覆盖平坦部、台面型结构部的倾斜侧面、和台面型结构部的顶面的周缘区域，并且具有配置在周缘区域的内侧、且光射出孔的周围而使化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗，电极膜是被形成为与从通电窗露出来的层的表面接触、并且覆盖在平坦部上形成的保护膜、在顶面上具有光射出孔的连续膜，在反射层和层之间、且通电窗和被其包围的范围内具备透明导电膜。
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