公开(公告)号：CN108933186A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810501874.3

申请日：2018-05-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 鹈沢旭 ,  濑尾则善 ,  松村笃 ,  粟饭原范行

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/30 ,  H01L33/405

Abstract: 本发明提供一种发光二极管，其提高介由隧道结部将多个发光部层积而成的发光二极管的发光功率。发光元件层(10)是依次将n型接触层(11)、第1发光层(12)、隧道结层(13)、第2发光层(14)和p型接触层(15)层积而构成，第1发光层(12)和第2发光层(14)在同一波长发光。隧道结层(13)具有由含有p型杂质(C)的AlGaAs构成的p型隧道层(131)和由含有n型杂质(Te)的GaInP构成的n型隧道层(133)，在p型隧道层(131)和n型隧道层(133)之间，设有与n型隧道层(133)相比含有高浓度的n型杂质的高浓度n型杂质含有层(132)。