公开(公告)号：CN108269895A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201711399169.9

申请日：2017-12-22

申请人： 南昌凯迅光电有限公司

发明人： 白继锋 ,  张银桥 ,  潘彬

IPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/22

摘要： 本发明提供一种ITO薄膜LED芯片及其制造方法，包括在GaAs衬底一侧设置第一外延层、MQW多量子阱有源层和第二外延层，第一外延层设置外延生长缓冲层、n-AIGaInP限制层，第二外延层设置p-AIGaInP限制层和p-GaP窗口层。p-GaP窗口层上制作ITO薄膜层，ITO薄膜层上制作金属电极层，GaAs衬底另一侧设置n电极层，p-GaP窗口层的掺杂浓度不低于1×1018cm-3。本发明公开一种ITO薄膜LED芯片及其制造方法，采用可粗化窗口层，既作为电流注入层又作为粗化层，分区域粗化，没有被粗化的部分作为电流注入的主要通道，粗化的区域一部分同电极连接，另一部分同ITO薄膜连接。

公开(公告)号：CN108091742A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201611031441.3

申请日：2016-11-22

申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司

发明人： 李志虎 ,  张新 ,  于军 ,  王成新 ,  徐现刚

IPC分类号： H01L33/30 ,  H01L33/12 ,  H01L33/10 ,  H01L33/06 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/30 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/12

摘要： 本发明涉及一种GaAs基改良窗口层结构的黄绿光LED及其制造方法，属于光电子技术领域，结构由下至上包括GaAs衬底、GaAs低温缓冲层、Bragg反射镜层、AlInP下限制层、多量子阱发光区、AlInP上限制层、P型(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2P第一窗口层和P型GaP第二窗口层。通过在常规黄绿光LED结构中利用MOCVD设备增加一层晶格匹配的高质量窗口层，形成改良的双层窗口层，既能避免第一窗口层的氧化，又能提升原普通结果一层窗口层的质量不高的问题，起到增加电流扩展的良率及光学窗口层的作用，提高了器件的可靠性、稳定性。

公开(公告)号：CN104918878B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201380056223.3

申请日：2013-10-25

申请人： 艾利迪公司 ,  原子能与替代能源委员会

发明人： 娜塔莉·德绍克斯 ,  伯努瓦·阿姆斯塔特 ,  菲力浦·吉莱

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/28

CPC分类号： H01L33/24 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/184 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及光电子设备(10)，该设备包括：基板(14)；在基板的一个表面(16)上的触头(18)；半导体元件(24)，每个元件承接触头；至少覆盖每个触头的侧面(21)的部分，该部分防止半导体元件在所述侧面上的生长；和从前述表面延伸至基板并且对于每对触头而言将来自该对的一个触头与来自该对的另一个触头连接的电介质区域(22)。

公开(公告)号：CN107278334A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201580071566.6

申请日：2015-12-31

申请人： 康斯坦科

发明人： 崔云龙

IPC分类号： H01L33/30 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/0016 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L33/30 ,  H01L33/305

摘要： 本发明涉及相邻活性区域之间夹着通道防止层的半导体发光器件，上述通道防止层为在用于仅使在整体活性区域中的一个活性区域活性化的充分的施加电压下，电子或空穴无法移动的半导体层，在量子区域范围内，对相邻的两个活性区域进行独立分离，半导体发光器件在单一芯片内向垂直方向包括多个独立的活性区域，从而能够进行高电压驱动。

公开(公告)号：CN107221584A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201710398206.8

申请日：2017-05-31

申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司

发明人： 李晓明 ,  闫宝华 ,  汤福国 ,  刘琦 ,  徐现刚

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L33/0062 ,  H01L21/02071 ,  H01L33/38

摘要： 一种电极无损伤且易焊线的GaAs基LED芯片的制备方法，包括如下步骤：a)在GaAs衬底上生长外延层；b)在膜光刻腐蚀制成电极图形；c)沉积Au膜；d)生长出Au膜作为N电极；e)对膜进行腐蚀，形成P电极。通过先在外延片表面制备并腐蚀有电极图形的膜，再在膜上沉积Au膜形成P电极，整个GaAs基LED芯片生产过程中不需使用胶，因此有效降低了有机物的擦刘，避免了现有技术中化学药品对电极表面的损失以及电极制备后作业过程对电极表面的划伤，且最终P电极制备前使用腐蚀液对腐蚀膜且对电极表面进行了无机溶剂的清洗使表面更洁净更易焊线，焊线不需要大压力即可焊接，避免了现有技术制备的GaAs基LED芯片难焊线、电极表面异常的问题。

公开(公告)号：CN104157757B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201410404330.7

申请日：2014-08-15

申请人： 天津三安光电有限公司

发明人： 蔡坤煌 ,  杨恕帆 ,  吴俊毅

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/22 ,  H01L33/30 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0025

摘要： 本发明提供一种透明衬底的四元发光二极管，包括AlGaInP-LED外延片，将所述AlGaInP-LED外延片的GaP层的表面进行粗化并将其作为键合面，在键合面上镀薄膜，然后将薄膜与透明衬底进行键合，最后去除GaAs衬底。本发明提出透明键合技术，可将透明基板以衬底转移技术取代吸光材质的GaAs衬底，增加LED芯片的出光率，避免了传统AlGaInP-LED由于受材料本身和衬底的局限，导致外量子效率极低等问题；另外搭配切割道预先蚀刻的技术，避免外延层于切割过程回融或溅出，可增加发光效率并避免漏电风险。

公开(公告)号：CN106415855A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580027687.0

申请日：2015-05-20

申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

发明人： W.施密德 ,  P.孙德格伦

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/30 ,  H01L33/38 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L22/26 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/30 ,  H01L33/387 ,  H01S5/209 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/17 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326

摘要： 半导体芯片（1）包括具有n导通的层序列21）以及p导通的层序列（23）和位于其间的用于产生电磁辐射的有源区（22）的半导体层序列2）。此外，在半导体层序列（2）中，蚀刻标志层24）位于p导通的层序列（23）中或上。此外，半导体层序列（3）上的蚀刻结构（3）位于蚀刻标志层24）的背向有源区（22）的侧上。蚀刻结构（3）伸展至少直至蚀刻标志层（24）中。蚀刻标志层（24）具有标志成分，该标志成分在朝向蚀刻结构（3）的方向上与蚀刻标志层（24）相邻的层（25）中不存在或减少。

公开(公告)号：CN105895771A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610410954.9

申请日：2016-06-13

申请人： 南昌凯迅光电有限公司

发明人： 张银桥 ,  潘彬

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/387 ,  H01L33/0062 ,  H01L2933/0016

摘要： 本发明公开了一种带ITO薄膜结构的LED芯片及其制备方法，属于半导体发光二极管领域，该方法是先制成发光二极管的外延片，然后在外延片上制作出图案化的介质膜层，经过蚀刻制作出图案化的ITO薄膜层和p?GaP窗口层；在图案化的ITO薄膜层和p?GaP窗口层上制作金属电极层，金属电极层包括主电极和扩展电极。本发明采用图案化的ITO薄膜层和p?GaP窗口层作为接触层，其中作为焊盘的主电极连接在p?GaP窗口层上，扩展电极连接在ITO薄膜层上。本发明提高了整个金属电极层的附着性，确保发光器件工作电压稳定，提高产品的焊线可靠性，极大地提升了产品的质量和良率。

公开(公告)号：CN105742434A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610320406.7

申请日：2016-05-16

申请人： 安徽三安光电有限公司

发明人： 黄文宾 ,  蔡吉明 ,  林兓兓 ,  张家宏

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/14

摘要： 本发明提供了一种氮化物发光二极管及其制备方法，包括：提供一衬底，对所述衬底表面进行清洁处理；依次于所述衬底表面生长缓冲层、N型层、浅量子阱层、发光层和P型层；其中，所述浅量子阱层的生长过程中通过阱层的高低温度交错生长和铟源的间断通入调节控制V型缺陷，并通过控制V型缺陷的均匀性、密度及尺寸，从而提升发光二极管的内部量子发光效率。

公开(公告)号：CN105679896A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610179568.3

申请日：2016-03-28

申请人： 扬州乾照光电有限公司

发明人： 赵宇 ,  林鸿亮 ,  张双翔 ,  杨凯 ,  何胜 ,  李洪雨 ,  田海军

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/44

摘要： 一种砷化镓基底低亮度黄光发光二极管芯片及其制作方法，属于光电子技术领域，在制作中，GaAs缓冲层与n型载流子限制层之间设有减反射层，同时在两层p型载流子限制层之间设有p型反射吸收层。使用金属有机化合物气相沉积设备（MOCVD）将GaAs基片制备成具有低亮度黄光LED外延结构的低亮度黄光LED外延片，再将这种外延片经过芯片工艺加工成独立的LED芯片。本发明产品在不降低可靠性，不改变LED芯片外观尺寸的前提下，降低了四元系黄光LED法向光强，以利于扩宽AlGaInP四元系LED芯片的应用范围。