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公开(公告)号：CN113066907A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110616416.6
申请日：2021-06-03
申请人： 南昌凯迅光电有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0687
摘要： 本发明涉及一种纳米网状表面电极的三结砷化镓太阳电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明利用聚苯乙烯纳米球来制作周期型结构，在微球间隙填充进金属，最后形成周期性纳米结构的整面网状电极，来代替传统的梳状电极，能够减少电池表面电极遮光比，提高电流收集效率。
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公开(公告)号：CN112687752B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110269888.9
申请日：2021-03-12
申请人： 南昌凯迅光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0304 , H01L31/06 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种砷化镓太阳电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的砷化镓太阳电池中，从该电池的背光面到受光面依次包括下电极、衬底层、砷化镓外延层、上电极和减反膜；其中，所述减反膜为双层结构，包括以TiO2@AZO为原料制成的内减反层和SiO2为原料制成的外减反层，所述内减反层紧邻所述上电极栅线设置，所述外减反层远离所述上电极栅线设置；所述TiO2@AZO为采用TiO2为内芯，AZO为外壳的核壳结构。该电池通过采用TiO2@AZO为原料通过真空蒸镀的方式沉积到上电极栅线表面或外延层表面制成内减反层，提高了上电极的导电效果和太阳光的透过率。
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公开(公告)号：CN112701176A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202110304745.7
申请日：2021-03-23
申请人： 南昌凯迅光电有限公司
IPC分类号： H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/05 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及砷化镓薄膜电池技术领域，尤其涉及一种砷化镓薄膜太阳电池及制作方法。一种砷化镓薄膜太阳电池，包括外延层、聚酰亚胺薄膜层和键合层，外延层上均匀间隔开设有腐蚀槽，腐蚀槽把外延层分割成具有间距的阵列状外延层，与外延层接触的键合层上均匀间隔开设有走道，走道把与外延层接触的键合层分割成具有间距的阵列状键合层。一种砷化镓薄膜太阳电池的制作方法，使用ICP或化学腐蚀的办法，外延层和键合层被分割为具有间距的微小的阵列，并且实现阵列之间的互联，使得有源层进行小面积分割互联，有效减少的外延层应力的释放，解决了由于聚酰亚胺薄膜无法抵抗外延层的应力而造成整个器件是弯曲的问题。
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公开(公告)号：CN112103365A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011264394.3
申请日：2020-11-13
申请人： 南昌凯迅光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种制作三结太阳电池的方法及三结太阳电池，其中，制作三结太阳电池的方法包括以下步骤：首先GaSb电池以及InGaP子电池与GaAs子电池，采用外延生长技术在GaSb衬底上外延生长GaSb电池结构，采用倒置生长技术在GaAs衬底上一次外延出InGaP子电池、GaAs子电池结构；而后在两种外延片上，沉积ITO导电薄膜；之后对ITO导电薄膜表面进行抛光；而后将两种外延片进行键合；键合完成即可将GaAs衬底从外延层上剥离；而后进行芯片制作工艺，制作上下电机、减反射膜，并通过划片形成单体电池。本发明公开的制作三结太阳电池的方法具有制作良率高、成本低的优点，并且制成的电池可以对长波段的太阳光谱进行良好吸收的优点。
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公开(公告)号：CN105870276A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610412856.9
申请日：2016-06-13
申请人： 南昌凯迅光电有限公司
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0066 , H01L33/30 , H01L33/38
摘要： 本发明公开了一种ITO结构LED芯片及其切割方法，该方法先制成发光二极管外延片；然后在外延片上制作ITO薄膜层；在ITO薄膜层上制作出带切割走道的介质膜层；经过湿法或干法蚀刻制作出图形化的ITO薄膜层和p?GaP窗口层；在图形化的ITO薄膜层和p?GaP窗口层上制作金属电极层；采用钻石刀片对应预制作的切割走道进行芯粒切割。本发明采用预制作的切割走道宽度大于刀片厚度4?6μm，这样避免了钻石刀片与ITO薄膜直接接触，减少对高速旋转状态的钻石切割刀片的阻力，并解决了ITO薄膜和GaP薄膜在刀片切割时直接接触容易伴随碎屑附着和产生的崩角、崩边、裂纹等问题，极大地提升了产品的外观质量、可靠性和成品良率。
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公开(公告)号：CN113594285A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202111155240.5
申请日：2021-09-30
申请人： 南昌凯迅光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种正向四结砷化镓太阳电池及其制作方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、Ge底电池、GaAs缓冲层、第一隧穿结、InyAlGaAs缓冲层、第一组DBR、第一子电池、第二隧穿结、第二组DBR、第二子电池、第三隧穿结、AlGaInP顶电池；所述第一子电池由InxAlGaAs背电场，InxGaAs基区，分段式量子点InxGaAs发射区及第一AlInP或GaInP窗口层组成；所述第二子电池由InxAlGaAs背电场，InxAlGaAs基区，分段式量子点InxAlGaAs发射区及第二AlInP或GaInP窗口层组成；所述AlGaInP顶电池由AlGaInP背电场、GaInP基区、GaInP发射区及IZO窗口层组成。本发明制作的正向四结砷化镓太阳电池，电流密度得到大幅提升，光电转换率高、稳定性好。
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公开(公告)号：CN113066913A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110616418.5
申请日：2021-06-03
申请人： 南昌凯迅光电有限公司
摘要： 本发明公开了N面出光AlGaInPLED薄膜芯片,所述芯片自下而上依次包括：基板、键合金属层、金属反射电极、介质层、P型欧姆接触层、发光层、N型电流扩展层、N型粗化层、N电极，所述N电极与N型粗化层直接形成欧姆接触。本发明还公开了LED薄膜芯片的制备方法。本发明直接在N型粗化层上制备欧姆接触，有效简化了N面出光AlGaInPLED薄膜芯片制备工艺，降低生产成本的同时解决了业界普遍采用n+‑GaAs作为欧姆接触层产生的吸光问题。
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公开(公告)号：CN112736157A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110358726.2
申请日：2021-04-02
申请人： 南昌凯迅光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种三结砷化镓太阳电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的一种三结砷化镓太阳电池，包括：Ge衬底；于所述Ge衬底上由下至上依次外延生长的底电池、GaAs缓冲层、中底隧穿结、AlInP缓冲层、InAlGaAs缓冲层、DBR、中电池、中顶隧穿结、顶电池以及盖帽层；其中，所述AlInP缓冲层具有一粗糙面，所述粗糙面设置于靠近所述InAlGaAs缓冲层的一侧，所述粗糙面由若干个金字塔形凸起均匀分布形成。本发明设计可以直接将材料的晶格常数过渡到目标值，降低生长时间，消除应力，获得高质量、平整的外延片。适合用于禁带匹配，晶格失配的三结砷化镓太阳电池。
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公开(公告)号：CN112687752A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202110269888.9
申请日：2021-03-12
申请人： 南昌凯迅光电有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0304 , H01L31/06 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种砷化镓太阳电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的砷化镓太阳电池中，从该电池的背光面到受光面依次包括下电极、衬底层、砷化镓外延层、上电极和减反膜；其中，所述减反膜为双层结构，包括以TiO2@AZO为原料制成的内减反层和SiO2为原料制成的外减反层，所述内减反层紧邻所述上电极栅线设置，所述外减反层远离所述上电极栅线设置；所述TiO2@AZO为采用TiO2为内芯，AZO为外壳的核壳结构。该电池通过采用TiO2@AZO为原料通过真空蒸镀的方式沉积到上电极栅线表面或外延层表面制成内减反层，提高了上电极的导电效果和太阳光的透过率。
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公开(公告)号：CN111463331A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010269817.4
申请日：2020-04-08
申请人： 南昌凯迅光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有复合ITO结构的LED芯片及其制备方法，属于半导体发光二极管领域，该方法是在制备的LED外延片上通过不同的氧流量蒸镀复合ITO薄膜层。复合ITO由上下两层折射率不同的ITO组成，下层ITO的厚度为λ/2n，上层ITO的厚度为λ/4n，且下层ITO的折射率大于上层ITO。本发明提供的复合ITO结构中下层ITO主要起到电流扩展作用，上层ITO起到增透的作用。本发明提高了芯片的出光效率，实现了芯片亮度的提升。
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