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    一种砷化镓太阳电池及其制备方法
    2.
    发明授权
    一种砷化镓太阳电池及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN112687752B

    公开(公告)日：2021-06-01

    申请号：CN202110269888.9

    申请日：2021-03-12

    申请人： 南昌凯迅光电有限公司

    发明人： 王克来 ,  徐培强 ,  潘彬 ,  王向武

    IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明涉及一种砷化镓太阳电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的砷化镓太阳电池中，从该电池的背光面到受光面依次包括下电极、衬底层、砷化镓外延层、上电极和减反膜；其中，所述减反膜为双层结构，包括以TiO2@AZO为原料制成的内减反层和SiO2为原料制成的外减反层，所述内减反层紧邻所述上电极栅线设置，所述外减反层远离所述上电极栅线设置；所述TiO2@AZO为采用TiO2为内芯，AZO为外壳的核壳结构。该电池通过采用TiO2@AZO为原料通过真空蒸镀的方式沉积到上电极栅线表面或外延层表面制成内减反层，提高了上电极的导电效果和太阳光的透过率。

    一种砷化镓薄膜太阳电池及制作方法
    3.
    发明公开
    一种砷化镓薄膜太阳电池及制作方法 有权

    公开(公告)号：CN112701176A

    公开(公告)日：2021-04-23

    申请号：CN202110304745.7

    申请日：2021-03-23

    申请人： 南昌凯迅光电有限公司

    发明人： 李俊承 ,  徐培强 ,  吴洪清 ,  白继锋 ,  米万里 ,  熊珊 ,  潘彬 ,  王向武 ,  张银桥

    IPC分类号： H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/05 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明涉及砷化镓薄膜电池技术领域，尤其涉及一种砷化镓薄膜太阳电池及制作方法。一种砷化镓薄膜太阳电池，包括外延层、聚酰亚胺薄膜层和键合层，外延层上均匀间隔开设有腐蚀槽，腐蚀槽把外延层分割成具有间距的阵列状外延层，与外延层接触的键合层上均匀间隔开设有走道，走道把与外延层接触的键合层分割成具有间距的阵列状键合层。一种砷化镓薄膜太阳电池的制作方法，使用ICP或化学腐蚀的办法，外延层和键合层被分割为具有间距的微小的阵列，并且实现阵列之间的互联，使得有源层进行小面积分割互联，有效减少的外延层应力的释放，解决了由于聚酰亚胺薄膜无法抵抗外延层的应力而造成整个器件是弯曲的问题。

    一种制作三结太阳电池的方法及三结太阳电池
    4.
    发明公开
    一种制作三结太阳电池的方法及三结太阳电池 无效

    公开(公告)号：CN112103365A

    公开(公告)日：2020-12-18

    申请号：CN202011264394.3

    申请日：2020-11-13

    申请人： 南昌凯迅光电有限公司

    发明人： 李俊承 ,  米万里 ,  孙志泉 ,  杨文斐 ,  吴洪清 ,  徐培强 ,  张银桥 ,  王向武 ,  潘彬

    IPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明公开了一种制作三结太阳电池的方法及三结太阳电池，其中，制作三结太阳电池的方法包括以下步骤：首先GaSb电池以及InGaP子电池与GaAs子电池，采用外延生长技术在GaSb衬底上外延生长GaSb电池结构，采用倒置生长技术在GaAs衬底上一次外延出InGaP子电池、GaAs子电池结构；而后在两种外延片上，沉积ITO导电薄膜；之后对ITO导电薄膜表面进行抛光；而后将两种外延片进行键合；键合完成即可将GaAs衬底从外延层上剥离；而后进行芯片制作工艺，制作上下电机、减反射膜，并通过划片形成单体电池。本发明公开的制作三结太阳电池的方法具有制作良率高、成本低的优点，并且制成的电池可以对长波段的太阳光谱进行良好吸收的优点。

    一种超晶格空间GaInP/InGaAs/Ge电池外延片的制造方法
    6.
    发明公开
    一种超晶格空间GaInP/InGaAs/Ge电池外延片的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN109560166A

    公开(公告)日：2019-04-02

    申请号：CN201811416792.5

    申请日：2019-01-16

    申请人： 南昌凯迅光电有限公司

    发明人： 万智 ,  徐培强 ,  林晓珊 ,  张银桥 ,  汪洋 ,  王向武

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0687

    CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/0687

    摘要： 本发明公开了一种超晶格空间GaInP/InGaAs/Ge电池外延片的制造方法，目前，GaInP/InGaAs/Ge三结电池中Ge材料禁带宽度较小，吸收的光谱范围较宽，导致其电流密度远大于InGaAs中电池和GaInP顶电池层，造成了太阳光的利用率的损失，本发明公开了一种超晶格空间GaInP/InGaAs/Ge电池外延片的制造方法，它是分别在中电池和顶电池的基区中引入超晶格结构，即：本发明通过在中电池的p-GaInAs基区层和顶电池的p-GaInP基区层之中分别引入GaAsP/GaInAs和GaInP/AlGaInP超晶格，因而能改善电池中的电流匹配，提高电池的的抗辐照性能，同时使少数光生载流子收集效率提升，减少光生载流子的辐射复合，从而提高了空间GaInP/InGaAs/Ge电池外延片的光电转化效率，使电池性能进一步提升。

    一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法
    8.
    发明公开
    一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法 有权

    公开(公告)号：CN113690335A

    公开(公告)日：2021-11-23

    申请号：CN202111243885.4

    申请日：2021-10-26

    申请人： 南昌凯迅光电有限公司

    发明人： 徐培强 ,  李俊承 ,  宁如光 ,  林晓珊 ,  潘彬 ,  王向武

    IPC分类号： H01L31/078 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明涉及砷化镓太阳电池结构技术领域，具体是涉及一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法，该太阳电池自下向上依次为Ge衬底、Ge底电池、GaAs缓冲层、第一隧穿结、DBR、InGaAs中电池、第二隧穿结、GaInP顶电池；其中，所述第一隧穿结和所述第二隧穿结结构相同，为AlGaInP/InP/AlGaAsP/AlGaInP多异质结结构。本发明制作的太阳电池，其隧穿结采用多异质结隧穿结，可明显提高隧穿电流，降低隧穿结处的压降，同时增强隧穿结的辐照性能，改善产品的可靠性。

    一种三结砷化镓太阳电池及其制备方法
    9.
    发明授权
    一种三结砷化镓太阳电池及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN112736157B

    公开(公告)日：2021-07-20

    申请号：CN202110358726.2

    申请日：2021-04-02

    申请人： 南昌凯迅光电有限公司

    发明人： 徐培强 ,  王克来 ,  宁如光 ,  林晓珊 ,  潘彬 ,  王向武 ,  张银桥

    IPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明涉及一种三结砷化镓太阳电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的一种三结砷化镓太阳电池，包括：Ge衬底；于所述Ge衬底上由下至上依次外延生长的底电池、GaAs缓冲层、中底隧穿结、AlInP缓冲层、InAlGaAs缓冲层、DBR、中电池、中顶隧穿结、顶电池以及盖帽层；其中，所述AlInP缓冲层具有一粗糙面，所述粗糙面设置于靠近所述InAlGaAs缓冲层的一侧，所述粗糙面由若干个金字塔形凸起均匀分布形成。本发明设计可以直接将材料的晶格常数过渡到目标值，降低生长时间，消除应力，获得高质量、平整的外延片。适合用于禁带匹配，晶格失配的三结砷化镓太阳电池。