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公开(公告)号：CN110098272B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910385128.7
申请日：2019-05-09
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0687 , H01L31/18
Abstract: 本发明揭示了一种柔性空间三结太阳能电池外延片的制造方法，属于空间飞行器电池的技术领域，适用于空间飞行器电源，同时也可应用于地面移动电源。该外延片包括不锈钢基底及其上外延的三个串联的子电池，子电池带系组合为1.10eV/1.42eV/1.90eV。本发明以柔性不锈钢作为最终衬底，能获得极大的比功率(＞1000W/Kg)，大幅降低空间电源的发射成本，同时其柔性的特性也能应用于地面移动电源。
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公开(公告)号：CN109560166A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811416792.5
申请日：2019-01-16
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0687
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/035236 , H01L31/0687
Abstract: 本发明公开了一种超晶格空间GaInP/InGaAs/Ge电池外延片的制造方法，目前，GaInP/InGaAs/Ge三结电池中Ge材料禁带宽度较小，吸收的光谱范围较宽，导致其电流密度远大于InGaAs中电池和GaInP顶电池层，造成了太阳光的利用率的损失，本发明公开了一种超晶格空间GaInP/InGaAs/Ge电池外延片的制造方法，它是分别在中电池和顶电池的基区中引入超晶格结构，即：本发明通过在中电池的p-GaInAs基区层和顶电池的p-GaInP基区层之中分别引入GaAsP/GaInAs和GaInP/AlGaInP超晶格，因而能改善电池中的电流匹配，提高电池的的抗辐照性能，同时使少数光生载流子收集效率提升，减少光生载流子的辐射复合，从而提高了空间GaInP/InGaAs/Ge电池外延片的光电转化效率，使电池性能进一步提升。
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公开(公告)号：CN109545897A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811417548.0
申请日：2018-11-26
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0693 , H01L31/0687 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/0687 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/0693 , H01L31/1844 , H01L31/1852
Abstract: 本发明公开了一种基区带隙递变的空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法，它是将常规晶格匹配电池的顶电池基区改为宽带隙、带隙递变、晶格常数一致的结构，即：本发明在空间GaInP/InGaAs/Ge晶格匹配电池的顶电池基区引入宽带隙p-AlxGayIn1-x-yP/GaInP材料。通过组分的变化，使得基区层带隙递减、同时各层晶格参数相同。与常规空间GaInP/InGaAs/Ge电池相比，本结构在抑制位错密度的同时，能增加光生载流子少子的收集效率，同时提升电池的开路电压，从而改善电池的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN109599460A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811431322.6
申请日：2018-11-26
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0693 , H01L31/0687 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/0687 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/0693 , H01L31/1844 , H01L31/1852
Abstract: 本发明公开了一种复合背面场空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法，它优化了常规空间晶格匹配GaInP/GaInAs/Ge电池中的背面场层，即：本发明在空间晶格匹配GaInP/InGaAs/Ge电池中的中电池和顶电池分别引入复合背面场结构，中电池为Al0.3Ga0.7As/Ga0.5In0.5P复合背面场结构，顶电池为Al0.33Ga0.15In0.52P/Al0.1Ga0.4In0.5P复合背面场结构。通过复合背面场各层组分和浓度的设计，使背面场内形成导带阶和浓度梯度，使得背面场与基区间电场加强，从而使电池基区中产生的光生载流子到达背面场时反射效率提高，少子更好的被收集，从而提升了电池的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN109545898A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811421360.3
申请日：2018-11-26
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0693 , H01L31/0687 , H01L31/0352 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/1844 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/03529 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/1852
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照增强型空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法。为了提高GaInP/GaInAs/Ge太阳能电池的抗辐照能力，目前常采用技术主要是将顶电池GaInP的厚度减薄，使电池变成顶电池限流，使辐照后中电池电流的衰减不引起整个电流的变化；另外在中电池中增加分布式布拉格反射器(DBR)结构、减薄中电池GaInAs的厚度，使的中电池GaInAs抗辐照能力增强。本发明公开了一种抗辐照增强型空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法，与常规空间GaInP/InGaAs/Ge电池结构相比，采用本发明技术方案的产品结构在常规GaInP/InGaAs/Ge电池中电池窗口层上沉积一定厚度、高掺杂的阻隔层材料AlGaAs，通过使中电池厚度增加，使得辐射通量更小的较高能量的质子停留在中电池基区，使得中电池的累积损伤更小，从而提高了电池的抗辐射能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109638089A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811416774.7
申请日：2018-11-26
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0304 , H01L31/032 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/0749 , H01L31/078 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/03046 , H01L31/0322 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/0749 , H01L31/078 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种空间GaInP/GaAs/CuInGaSe三结电池外延片的制造方法，其包括双面抛光的n型GaAs衬底，在所述的GaAs衬底上表面沉积有GaAs欧姆接触层、GaInP子电池、GaInP/AlGaAs隧穿结层、GaAs子电池、GaAs隧穿结层、GaAs缓冲层。所述的GaAs衬底下表面溅射有CuInGaSe子电池,GaInP/GaAs/CuInGaSe三结电池的带隙组合为1.9eV/1.42eV/1.1eV。本发明通过更加优化的带隙组合，使得三结电池对太阳光谱的利用率进一步提高，从而提升了电池的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN109637949A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811345657.6
申请日：2018-11-13
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L33/0095
Abstract: 本发明公开了一种RTA退火炉校温方法，该方法利用衬底制作成校温陪片，利用金属和衬底在特定温度下才能形成良好欧姆接触的特性来定义退火的临界温度，在临界温度基础上可以得到安全的目标工艺温度，该方法还可以监控腔体在临界温度的温场分布。本发明一种RTA退火炉校温方法具有便捷、经济、可靠的优点，不需要专门购买昂贵的校温用TCWafer装置，同时解决了传统TC Wafer装置对背面有金属材料的样品无法有效反馈温场分布的弊端。
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公开(公告)号：CN109148634A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810965173.5
申请日：2018-08-23
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/054 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0735 , H01L31/054 , H01L31/0725 , H01L31/1844
Abstract: 本发明涉及一种倒置三结砷化镓太阳电池。包括在砷化镓衬底上依次生长的(Al)GaInP顶电池，GaAs中电池，InGaAs底电池，各个子电池之间通过隧穿结连接。本发明中，中电池与底电池之间，以及底电池之后各生长一组分布式布拉格反射器(DBR)，通过DBR过滤位错，释放应力以及提高抗辐照性能。通过渐变缓冲层或者阶变缓冲层，将外延材料的晶格常数调至目标值，然后采用第一组DBR，过滤缓冲层中产生的位错，有效释放因晶格失配产生的应力，提高底电池的晶体质量；同时改善外延生长的厚度及掺杂的均匀性，提高太阳电池外延片的成品率及性能。
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公开(公告)号：CN110098272A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910385128.7
申请日：2019-05-09
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0687 , H01L31/18
Abstract: 本发明揭示了一种柔性空间三结太阳能电池外延片的制造方法，属于空间飞行器电池的技术领域，适用于空间飞行器电源，同时也可应用于地面移动电源。该外延片包括不锈钢基底及其上外延的三个串联的子电池，子电池带系组合为1.10eV/1.42eV/1.90eV。本发明以柔性不锈钢作为最终衬底，能获得极大的比功率(＞1000W/Kg)，大幅降低空间电源的发射成本，同时其柔性的特性也能应用于地面移动电源。
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公开(公告)号：CN109545896A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811417502.9
申请日：2018-11-26
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0693 , H01L31/0687 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/0687 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/0693 , H01L31/1844
Abstract: 本发明公开了一种基区组分递变的空间失配电池外延片的制备方法，由于顶电池和中电池与衬底Ge晶格不匹配，需要一定厚度组分渐变的缓冲层来消除失配引起的应力。本发明公开了一种基区组分递变的空间失配电池外延片的制备方法，它是将中电池基区层组分递变，即：本发明将空间GaInP/InGaAs/Ge失配电池的中电池的p-GaInAs基区层分为五个组分递变的递变层，递变层之间沉积组分缓变的过渡层。与常规GaInP/InGaAs/Ge失配电池相比，消除了常规失配电池较厚的缓冲层，从而达到减少成本的目的。通过优化缓冲层生长速率、厚度和ⅤⅢ比来减少位错，降低因组分变化产生的复合，以达到常规失配结构的光电转化效率。
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