公开(公告)号：CN108604615A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201680080717.9

申请日：2016-12-19

Applicant: 荷兰能源研究中心基金会

Inventor： 兰伯特·约翰·吉林斯 ,  吴宇 ,  张栋 ,  约翰尼斯·艾德里安努斯·玛丽亚·万鲁斯马 ,  伦 ,  斯蒂芬·利伯图斯·卢森堡 ,  齐格弗里德·克里斯蒂安·维恩斯特拉

IPC: H01L31/078 ,  H01L27/30 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0725 ,  H01L27/302 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/043 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/4213 ,  H01L51/445 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 串联太阳能电池(3)包括顶部太阳能电池(210)和底部太阳能电池(230)。顶部太阳能电池和底部太阳能电池各自具有相应的前表面和后表面，其中，相应的前表面均适于在使用期间面向辐射源。顶部太阳能电池布置成其后表面覆盖在底部太阳能电池的前表面上。顶部太阳能电池包括光伏吸收层(212)，光伏吸收层(212)的带隙大于晶体硅的带隙。底部太阳能电池包括晶体硅衬底(232)。在底部太阳能电池的前表面的至少一部分上，设置有钝化层堆栈(236)，钝化层堆栈(236)包括薄介电质膜(238)和选择性载流子提取材料或多晶硅的辅助层(240)。薄介电质膜设置在硅衬底与辅助层之间。

公开(公告)号：CN108336159A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810198937.2

申请日：2018-03-12

Applicant: 南昌大学

Inventor： 岳之浩 ,  周浪 ,  黄海宾 ,  袁吉仁 ,  高超

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/078

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/078 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03529

Abstract: 一种异质结晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极-导电区域和钝化-进光区域：发射极-导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，钝化-进光区域由钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化-进光区域和背电场-导电区域：钝化-进光区域由钝化减反射层II；背电场-导电区域由基底向外依次为本征非晶硅钝化层II、重掺杂n型非晶硅、金属栅线II。本发明在保持晶体硅太阳电池双面进光的特性前提下，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。

公开(公告)号：CN107534066A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680012278.8

申请日：2016-02-29

Applicant: 密歇根大学董事会

Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 ,  李圭相

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/076 ,  H01L31/101 ,  H01L51/44 ,  H01L27/30

CPC classification number: H01L51/4246 ,  H01L27/302 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/076 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1013 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/447 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/548 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明提供一种制造多结光敏器件的方法。所述方法可包括：制造至少两个光活性层，其中至少一个光活性层被制造在透明基板上，并且至少一个光活性层被制造在反射基板上；在透明基板上制造的至少一个光活性层上图案化至少一个光学滤波器层；以及使用冷焊或范德华键合来结合至少两个光活性层。本发明也提供了一种多结光敏器件。所述器件可以具有至少两个光活性层和至少一个光学滤波器层，其中使用冷焊或范德华键合来结合至少两层。所述光学滤波器层可以是分布式布拉格反射器。

公开(公告)号：CN105895712A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610228165.3

申请日：2016-04-13

Applicant: 黄广明

Inventor： 黄广明

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/078 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/078 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/202

Abstract: 本发明公开了一种晶体硅非晶硅层叠电池及其制作方法，太阳电池由晶体硅和非晶体硅层叠而成，充分利用非晶硅薄膜电池在700nm的波长以内，吸收系数大和晶体硅电池在波长大于700nm时吸收系数强的特点，充分利用太阳光谱；同时背面钝化的结构增加了对红外光谱的吸收，充分利用太阳光谱，提高电池的效率，同时减反射膜具有自清洁功能。

公开(公告)号：CN105814695A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201480062046.4

申请日：2014-09-19

Applicant: 立那工业股份有限公司

Inventor： 俞荣浚 ,  穆尼布·沃贝尔

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/076 ,  H01L31/078 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

Abstract: 一种可操作成将光转换成电的器件，其包括：衬底，其包括半导体材料；一个或多个结构，其基本上垂直于衬底；一个或多个层，其共形设置在一个或多个结构上，其中该一个或多个结构以及一个或多个层形成一个或多个结；以及导电材料，其在衬底上设置在一个或多个结构之间的区域中。

公开(公告)号：CN105449027A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510600881.5

申请日：2015-09-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 芝崎聪一郎 ,  平贺广贵 ,  齐藤仁美 ,  中川直之 ,  山崎六月 ,  山本和重

IPC: H01L31/078 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/0687 ,  H01L25/042 ,  H01L25/043 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0749 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/544 ,  H01L2924/00 ,  H01L31/078 ,  H01L31/03529

Abstract: 根据一个实施方案，多接合型太阳能电池包括第一太阳能电池、第二太阳能电池和绝缘层。第一太阳能电池包括第一光电转化元件。第二太阳能电池与第一太阳能电池并联连接。第二太阳能电池包括串联连接的多个第二光电转化元件。绝缘层设置在第一太阳能电池和第二太阳能电池之间。第二光电转化元件包括p电极和n电极。p电极与包含在光入射面的相对侧的表面的p+区域连接。n电极与包含在光入射面的相对侧的表面的n+区域连接。在多个第二光电转化元件彼此相邻的区域内，p电极彼此相对或n电极彼此相对。

公开(公告)号：CN104576804A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410830593.4

申请日：2014-12-29

Applicant: 浙江大学

Inventor： 林时胜 ,  王朋 ,  李晓强

IPC: H01L31/078 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/078 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种石墨烯/磷化铟太阳电池及其制备方法，该石墨烯/磷化铟太阳电池自上而下依次有正面电极、石墨烯层、磷化铟基底和背面电极。其制备流程包括：先在磷化铟衬底片一面制作背面电极；然后进行表面化学清洗；再将石墨烯转移至磷化铟片上；最后在石墨烯上制作正面电极。本发明的石墨烯/磷化铟太阳电池利用石墨烯材料的高透光性及高导电性，结合磷化铟优异的半导体性质，所制备的太阳电池具有高转化效率，且本发明的制备方法工艺简单、成本较低。

公开(公告)号：CN104393090A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410556315.4

申请日：2014-10-20

Applicant: 上海空间电源研究所

Inventor： 沈静曼 ,  陆宏波 ,  李欣益 ,  张玮 ,  孙利杰 ,  周大勇 ,  陈开建 ,  石梦奇

IPC: H01L31/078

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/078 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046

Abstract: 本发明公开了一种含有异质结结构的宽带隙反向三结太阳电池，包含由底层向顶层按生长方向依次设置的衬底、缓冲层、底电池、超宽带隙隧穿结、中电池、宽带隙隧穿结、顶电池以及接触层；底电池为AlGaInP电池，中电池为AlGaAs和GaInP异质结电池，顶电池为GaAs电池；中电池采用Zn掺杂的AlxGaAs作为基区，Si掺杂的GayInP作为发射区；其中0.05≤x≤0.45，0.48≤y≤0.54；底电池其背场采用梯度Zn掺杂的AlzGaInP，其中0.13≤z≤0.5。本发明提供的含有异质结结构的宽带隙反向三结太阳电池，能够降低界面复合速率，得到高质量的电池材料，同时提高电池短路电流密度和开路电压。

公开(公告)号：CN103140935A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201180038607.3

申请日：2011-08-05

Applicant: 韩国科学技术研究院

Inventor： 金庆坤 ,  韩承熙 ,  金弘坤 ,  高敏宰 ,  李都权 ,  金泰熙

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/078 ,  H01L27/302 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种串联太阳能电池，包括：被堆叠且串联电连接的非晶硅太阳能电池以及有机太阳能电池，非晶硅太阳能电池包括非晶硅制成的光敏层，且有机太阳能电池包括有机材料的光敏层，其可以吸收更宽波长范围的光，呈现改进的开路电压（VOC）性能，且可以简单的方式以低成本生产。

公开(公告)号：CN102844881A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201180016255.1

申请日：2011-02-15

Applicant: 韩国机械研究院

Inventor： 金俊东 ,  韩昌洙

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种具有PN结和肖特基结的多路太阳能电池及其制造方法。根据本发明的示例性实施方式的太阳能电池包括：PN半导体层，其包括P型半导体层和N型半导体层；第一电极，其与PN半导体层的第一表面欧姆连接；肖特基结层，其与PN半导体层的第二表面肖特基连接，所述PN半导体层的第二表面面对PN半导体层的第一表面；以及，第二电极，其被形成接触所述肖特基结层。