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公开(公告)号：CN118983365A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411041213.9
申请日：2024-07-31
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0216 , H01L31/20
摘要： 一种THBC太阳电池结构及其制备方法，包括：衬底、依次设置于衬底的前表面一侧的n+前表面场层或p+前漂浮结层、氧化铝钝化层和氢化氮化硅减反射层；依次设置于衬底的背表面一侧的隧穿氧化层、磷掺杂的n+多晶硅层、硼掺杂的p+非晶硅层或者微晶硅层、氢化氮化硅钝化层和金属电极。本发明利用异质结(SHJ)太阳电池具有优越的界面钝化特性，将TBC太阳电池中钝化较差的p+多晶硅替换为p+氢化非晶硅或者p+氢化微晶硅；同时在电池前表面插入前表面场(FSF)或者前漂浮结(FFE)，提高晶硅衬底前表面光生载流子向背面的传输距离，从而显著提高TBC太阳电池背面p+区域界面钝化和载流子传输性能。
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公开(公告)号：CN118825103B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411297183.8
申请日：2024-09-18
申请人： 金阳(泉州)新能源科技有限公司
发明人： 林楷睿
IPC分类号： H01L31/0288 , H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/042
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公开(公告)号：CN118969879A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411449319.2
申请日：2024-10-17
申请人： 福建金石能源有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/0312 , H01L31/0288 , H01L31/20
摘要： 本发明属于硅异质结电池技术领域，具体涉及一种双面微晶异质结电池及其制造方法和光伏组件，包括硅片，在硅片正面设置的第一本征硅层，在硅片背面设置的第二本征非晶硅层，还包括：在第一本征硅层外表面依次设置的N型微晶硅氧掺杂层和N型微晶硅掺杂层，在第二本征非晶硅层外表面依次设置的P型微晶碳化硅掺杂层和P型微晶硅掺杂层，并控制膜层厚度和晶化率之比。本发明能够有效地提高双面微晶异质结电池的电导率，增加背面的透光率，减少光由背面进入双面微晶异质结电池的光损失，从而提升双面微晶异质结电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN118073480B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410201846.5
申请日：2024-02-23
申请人： 国电投新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0747
摘要： 本发明涉及异质结太阳电池的制备技术领域，尤其是涉及背接触异质结太阳电池的制备方法及其装置，包括在硅片背面依次沉积本征非晶硅薄膜、氧化硅薄膜以及硼掺杂硅薄膜；对背面硼掺杂硅薄膜进行烧蚀、清洗；背面沉积硼掺杂硅薄膜，开第二槽后进行清洗，漏出第二槽的本征非晶硅，烘干处理；在第一槽内喷涂掩膜材料后沉积磷掺杂硅薄膜；清洗漏出硼掺杂硅薄膜后再次清洗处理；正面依次沉积本征非晶硅、磷掺杂硅薄膜、氮化硅薄膜以及氮氧化硅薄膜；背面沉积透明导电物薄膜后进行隔离划线，在电池背面印刷导电浆料形成金属电极，本发明将N区和P区完全隔离，杜绝了漏电的可能性，制备出的电池能充分降低表面反射率，大幅度提升转换效率。
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公开(公告)号：CN109980020B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201910331284.5
申请日：2019-04-23
申请人： 通威太阳能(成都)有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0336 , H01L31/075 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种玻璃衬底异质结太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，本发明包括从下到上依次连接的玻璃衬底、透明导电氧化物层、空穴选择层、本征非晶硅层和n型掺杂非晶硅层，空穴选择层为氧化钼薄膜，透明导电氧化物层包括掺钼氧化铟、掺钛氧化铟、掺钨氧化铟中的任一种，本发明具有结构简单、载流子的横向运输能力强、光的利用率高的优点。
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公开(公告)号：CN118867060A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411346077.4
申请日：2024-09-26
申请人： 眉山琏升光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0216
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种用于异质结太阳能电池高性能钝化膜及其制备方法，包括以下步骤：在制绒后的硅基底上依次沉积五层硅基薄膜和氢处理层，所述五层硅基薄膜依次为界面防外延层、过渡层、宽带隙过渡层、宽带隙致密层和致密阻挡层。发明钝化膜中多层设置和厚度配比可以保证电池端串联电阻及填充因子的稳定。
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公开(公告)号：CN118841473A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411157768.X
申请日：2024-08-22
申请人： 安徽乾景宇辰新能源有限公司
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0216 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种晶硅异质结太阳能电池非晶硅钝化层结构及其制备方法，所述非晶硅钝化层结构包括N型硅片，所述N型硅片正面由内向外依次设有：高氢稀释比沉积的i‑a‑Si:H薄膜，低氢稀释比沉积的i‑a‑Si:H薄膜，N型掺杂层，TCO导电膜和电极，所述N型硅片的背面由内向外依次设有：高氢稀释比沉积的i‑a‑Si:H薄膜，低氢稀释比沉积的i‑a‑Si:H薄膜，P型掺杂层，TCO导电膜和电极；所述高氢稀释比沉积时采用流量比6～8:1的H2和SiH4，所述低氢稀释比沉积时采用流量比4～5:1的H2和SiH4。本发明所述的晶硅异质结太阳能电池表现出优异的光伏性能，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117423781B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202311619461.2
申请日：2023-11-30
申请人： 天合光能股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/0747
摘要： 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法。制备方法包括如下步骤：对硅基底进行清洗制绒处理；在硅基底的两个表面分别制备本征非晶硅层；在正面本征非晶硅层上制备N型掺杂层；在背面本征非晶硅层上制备P型掺杂层；采用RPD设备在P型掺杂层上制备背面含铟TCO种子层，利用PVD设备在背面含铟TCO种子层上制备背面无铟TCO薄膜；利用PVD设备在N型掺杂层上制备正面含铟TCO种子层，并在正面含铟TCO种子层上制备正面无铟TCO薄膜；以及分别制备背面电极、正面电极。本申请可以有效增加RPD与PVD结合设备的正常运行时间以及有效运行时间，增加设备有效产能，降低电池制造成本。
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公开(公告)号：CN114823990B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202210466722.0
申请日：2022-04-29
申请人： 苏州迈为科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种异质结电池效率提升方法，涉及异质结电池技术领域，能够同步解决硅片表面污染、氧化和水汽吸附问题，不影响PVD设备的工作节拍。该方法步骤包括制绒清洗、非晶硅沉积、TCO膜制备和栅线制备，在TCO膜制备步骤之前增加非晶硅表面处理，用于改善异质结电池制备过程中非晶硅表面可能存在的污染和氧化问题，并去除托盘表面吸附水汽；非晶硅表面处理采用面状ICP等离子源来实现；具体地，在真空侧的顶部设置若干线圈；线圈与外部RF匹配器连接，用于产生射频磁通，射频磁通沿轴向感应出的射频电场对其中的电子进行加速，从而产生等离子体；待表面处理的沉积了非晶硅的硅片位于线圈下方且按预设速度依次通过等离子体区域。
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公开(公告)号：CN118800821A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411157765.6
申请日：2024-08-22
申请人： 安徽乾景宇辰新能源有限公司
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0224 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种含有透明导电氧化物层结构的晶硅异质结太阳能电池及其制备方法，所述晶硅异质结太阳能电池包括：n型硅片，所述n型硅片正面由内向外依次设有：本征钝化层、n型掺杂层、氧化铟基TCO缓冲层、无铟TCO层、栅线状氧化铟基TCO层和正面电极，背面由内向外依次设有：本征钝化层、p型掺杂层、氧化铟基TCO缓冲层、无铟TCO层和背面电极。本发明通过在无铟TCO层上增加栅线状氧化铟基TCO层，且栅线状氧化铟基TCO层位于电极下方，能够降低TCO层与电极间的接触电阻率，提升接触性能，增强电学导电性，较好地兼顾了TCO层的电学导电性与透过性，有利于增大电池的有效电流，提高HJT电池的转换效率。
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